《电动力学》课程授课教案(讲义)第四章 电磁波的传播

第四章电磁波的传播84.1平面电磁波1、电磁场的波动方程(1)真空中在p=0,J=0的自由空间中,电磁强度E和磁场强度H满足波动方程VE-1E(4.1.1)=0c?at?VH-LOA=0(4.1.2)c2at?式中1=2.997925×10*米/秒(4.1.3)CsVeoMo是光在真空中的速度(2)介质中当电磁波在介质内传播时,介质的介电常数?和磁导率μ一般地都随电磁波的频率变化,这种现象叫色散。这时没有E和H的一般波动方程,仅在单色波(频率为の)的情况下才有VE-10E2=0(4.1.4)v?at?VH-OH=0(4.1.5)v? at?式中
第四章 电磁波的传播 §4.1 平面电磁波 1、电磁场的波动方程 (1)真空中 在 = 0 , J = 0 的自由空间中,电磁强度 E 和磁场强度 H 满足波动方程 0 1 2 2 2 2 = − t E c E (4.1.1) 0 1 2 2 2 2 = − t H c H (4.1.2) 式中 8 0 0 2.997925 10 1 = = c 米/秒 (4.1.3) 是光在真空中的速度。 (2)介质中 当电磁波在介质内传播时,介质的介电常数 和磁导率 一般地都随电磁波 的频率变化,这种现象叫色散。这时没有 E 和 H 的一般波动方程,仅在单色波 (频率为 )的情况下才有 0 1 2 2 2 2 = − t E v E (4.1.4) 0 1 2 2 2 2 = − t H v H (4.1.5) 式中

1v(0) :(4.1.6)Je(0)u(a)是频率の的函数。2、亥姆霍兹方程在各向同性的均匀介质内,假设p=0,J=0,则对于单色波有E(r,t)= E(r)e-ix(4.1.7)H(r,t)= H(r)e-io(4.1.8)这时麦克斯韦方程组可化为V?E+E=0, (k=)(4.1.9)V.E=0(4.1.10)H=-IVxE(4.1.11)Mo(4.1.9)式称为亥姆霍兹方程。由于导出该方程时用到了V·E=0的条件,因此,亥姆霍兹方程的解只有满足V·E=0时,才是麦克斯韦方程的解。3、单色平面波亥姆霍兹方程的最简单解是单色平面波E(r,t)= Ege(r-a)(4.1.12 )H(r,1)= He(kr-a)(4.1.13 )式中为波失量,其值为=0/u=2元(4.1.14)元平面波在介质中的相速度为p=S(4.1.15)k"Jeu:式中和u一般是频率の的函数
( ) ()() 1 v = (4.1.6) 是频率 的函数。 2、亥姆霍兹方程 在各向同性的均匀介质内,假设 = 0 , J = 0 ,则对于单色波有 ( ) ( ) i t E r t E r e − = , (4.1.7) ( ) ( ) i t H r t H r e − = , (4.1.8) 这时麦克斯韦方程组可化为 E + k E = 0, (k = ) 2 2 (4.1.9) E = 0 (4.1.10) E i H = − (4.1.11) (4.1.9)式称为亥姆霍兹方程。由于导出该方程时用到了 E = 0 的条件,因此, 亥姆霍兹方程的解只有满足 E = 0 时,才是麦克斯韦方程的解。 3、单色平面波 亥姆霍兹方程的最简单解是单色平面波 ( ) i(k r t) E r t E e − = 0 , (4.1.12) ( ) i(k r t) H r t H e − = 0 , (4.1.13) 式中 k 为波矢量,其值为 2 k = = (4.1.14) 平面波在介质中的相速度为 1 = = k vP (4.1.15) 式中 和 一般是频率 的函数

算符和~-作用于单色平面波的场(4.1.12)式或(4.1.13)式时,可简化at为a=-i0V=ik,(4.1.16)atOE=-10E.即V×E=xE,V.E=.E,而at电场和磁场的关系为EnxEH=.(4.1.17)Vu式中n,为波传播方向上的单位失量。4、电磁波的能量和能流电磁波的能量密度为E·D+H·B(4.1.18)0=对于单色平面波有sE?=H?,故 = E? = μH?(4.1.19)单色平面波的能流密度为三Ex(ixE)= 0VS=ExH=,(4.1.20 )Vu对时间平均的能流密度为S-IRe(E×H)EEn(4.1.21)211
算符 和 t 作用于单色平面波的场(4.1.12)式或(4.1.13)式时,可简化 为 i t ik = − = , (4.1.16) 即 E ik E = , E ik E = ,而 E i E t = − 。 电场和磁场的关系为 H n E = (4.1.17) 式中 k k n = ,为波传播方向上的单位矢量。 4、电磁波的能量和能流 电磁波的能量密度为 (E D H B) = + 2 1 (4.1.18) 对于单色平面波有 2 2 E = H ,故 2 2 = E = H (4.1.19) 单色平面波的能流密度为 S E H E (n E) v = = = (4.1.20) 对时间平均的能流密度为 S (E H ) E n 2 0 * 2 1 Re 2 1 = = (4.1.21)

84.2电磁波在介质交界面上的反射和折射如图1-3-1所示,取2两介质的交界面为xy平An介质2面,z轴从介质1指向介质2。设平面电磁波从介1.4介质1081K质1入射到交界面上,入射波、反射波和折射波的图1-3-1电场强度分别为入射波: E,= Eroe(--a)(4.2.1)反射波:E,=Eioe(-a)(4.2.2 )折射波:E,=E20e(F-a)(4.2.3 )1、反射定律和折射定律电磁波在交界面上反射和折射时,分别遵守反射定律和折射定律(4.2.4)0, = 0)Je212sinok2(4.2.5)-nsine,k,VeA式中n2,为介质2相对于介质1的折射率。除铁磁质外,一般介质μ=μo,故可得62(4.2.6 )n21Ve2、反射波和折射波的振幅(1)菲涅耳公式
§4.2 电磁波在介质交界面上的反射和折射 如图 1-3-1 所示,取 两介质的交界面为 xy 平 面,z 轴从介质 1 指向介 质 2。设平面电磁波从介 质 1 入射到交界面上,入 射波、反射波和折射波的 电场强度分别为 入射波: i(k r t) i E E e − = 1 10 (4.2.1) 反射波: i(k r t) r E E e − = ' 1 ' 10 (4.2.2) 折射波: i(k r t) i E E e − = 2 20 (4.2.3) 1、反射定律和折射定律 电磁波在交界面上反射和折射时,分别遵守反射定律和折射定律 ' 1 = 1 (4.2.4) 21 1 1 2 2 1 2 2 1 sin sin n k k = = (4.2.5) 式中 21 n 为介质 2 相对于介质 1 的折射率。除铁磁质外,一般介质 0 ,故可 得 1 2 21 n = (4.2.6) 2、反射波和折射波的振幅 (1)菲涅耳公式

按入射波电失量的振幅E分下列三种情形:(i)E垂直于入射面Elo = -ssin(@ -0,)(4.2.7)Erosin(@, +0,)E20 =2 cos0, sin 0,(4.2.8)Erosin(@, +0,)(i)E平行于入射面Elo =ttan(e, -0,)(4.2.9 )Eotan(e, +, )E20 2 cos0, sin 0,(4.2.10)E1。 sim(, +0, )cos(0, -0, )(ii)E.与入射面斜交把三个波的电矢量的振幅(E。)E201Eio1n2都分解为垂直于入射面的分量E。O-和平行于入射面的分量(E。),如图B20E10-n121-3-2所示,即oB10NE1EEIo= E1or + Eo(4.2.11 )图1-3-2Eio = Eio+ + Eiol(4.2.12)E2o = E20 + E201(4.2.13)结果得出,E和E2都只与E有关:而E和E0则都只与Eo有关。具体关系如下:Eon --in(ea-a)E(4.2.14)sin(@, +0,)2sin 0, cos0l EiolE20(4.2.15 )sin(0, +0,)
按入射波电矢量的振幅 E10 分下列三种情形: (i) E10 垂直于入射面 ( ) ( ) 1 2 1 2 10 ' 10 sin sin + − = − E E (4.2.7) ( ) 1 2 1 2 10 20 sin 2cos sin + = E E (4.2.8) (ii) E10 平行于入射面 ( ) ( ) 1 2 1 2 10 ' 10 tan tan + − = E E (4.2.9) ( ) ( ) 1 2 1 2 1 2 10 20 sin cos 2cos sin + − = E E (4.2.10) (iii) E10 与入射面斜交 把三个波的电矢量的振幅 ( ) E0 都分解为垂直于入射面的分量 E0⊥ 和平行于入射面的分量 ( ) E0 // ,如图 1-3-2 所示,即 E10 E10 E10// = ⊥ + (4.2.11) ' 10// ' 10 ' E10 E E = ⊥ + (4.2.12) E20 E20 E20// = ⊥ + (4.2.13) 结果得出, ' E10⊥ 和 E20⊥ 都只与 E10⊥ 有关;而 ' E10 // 和 E20// 则都只与 E10 // 有关。具体 关系如下: ( ) ( ) ⊥ ⊥ + − = − 10 1 2 ' 1 2 10 sin sin E E (4.2.14) ( ) ⊥ ⊥ + = 10 1 2 2 1 20 sin 2sin cos E E (4.2.15)

tan(e -)i x Erol(4.2.16)n, ×Eio =tan(0, +0.)2sin9,cos0,n, Ezou =sin(o. +0,)os(0 -0.)"(4.2.17)n, ×E10可见(i)和(ii)是(ii)的两种特殊情况。(2)反射和折射产生的偏振由(4.2.16)式可知,在6,+0,=90°的情况下,E平行于入射面的分量没有反射波,因而反射波便是E垂直于入射面的完全偏振波。这就是光学中的布儒斯特定律,这时的入射角称为布儒斯特角,其值为62, = tan'l (4.2.18)V3、全反射由折射定律知,当电磁波从ε较大的介质(s))入射到较小的介质(s2.时,sin,>n21。这时,就是复数,因而不再具有折射角这种直观的几何意义了。但折射定律sin e,_ k2sine,k仍然成立。这时折射波为E, = E2oe-h /sin * 0, - n2,= - el(ksin,-a)(4.2.19 )是沿交界面×方向传播的电磁波。它的振幅沿z轴方向指数衰减。当振幅衰减到交界面上的振幅的一时,沿z方向的距离为
( ) ( ) 1 10// 1 2 ' 1 2 10// ' 1 tan tan n E n E + − = (4.2.16) ( ) ( ) 1 10// 1 2 1 2 2 1 2 20// sin cos 2sin cos n E n E + − = (4.2.17) 可见(i)和(ii)是(iii)的两种特殊情况。 (2)反射和折射产生的偏振 由(4.2.16)式可知,在 0 1 + 2 = 90 的情况下, E 平行于入射面的分量没 有反射波,因而反射波便是 E 垂直于入射面的完全偏振波。这就是光学中的布儒 斯特定律,这时的入射角称为布儒斯特角,其值为 1 1 2 tan − b = (4.2.18) 3、全反射 由折射定律知,当电磁波从 较大的介质 ( ) 1 入射到 较小的介质 ( ) 2 1 的交界面上时,折射角 2 大于入射角 1 ,当 1 21 sin = n 时, 2 变为 0 90 ,这时的 入射角称为临界角,其值为 1 2 1 0 sin − = 。 若入射角再增大,当 1 0 时, 1 21 sin n 。这时 2 就是复数,因而不再具 有折射角这种直观的几何意义了。但折射定律 1 2 2 1 sin sin k k = 仍然成立。这时折射波为 k i(k x t) i E E e n z e − − = − 1 1 1 2 sin 1 21 2 20 sin (4.2.19) 是沿交界面 x 方向传播的电磁波。它的振幅沿 z 轴方向指数衰减。当振幅衰减到 交界面上的振幅的 e 1 时,沿 z 方向的距离为

1八(4.2.20 )20ki sin e, -n12元 /sin*0,-n2在一般情况下,z。和波长同数量级。因此在发生全反射时,折射波的能量主要集中在交界面附近厚度为-.的薄层内。当,>.时,反射波的平均能流密度等于入射波的平均能流密度。因此,对时间平均来说,入射波的能量全部被反射,所以叫做全反射
2 1 21 2 1 2 1 21 2 1 0 sin 2 sin 1 k n n z − = − = (4.2.20) 在一般情况下, 0 z 和波长 1 同数量级。因此在发生全反射时,折射波的能 量主要集中在交界面附近厚度为 0 z 的薄层内。当 1 0 时,反射波的平均能流 密度等于入射波的平均能流密度。因此,对时间平均来说,入射波的能量全部被 反射,所以叫做全反射

84.3有导体存在时电磁波的传播1、导体的弛豫时间在静电时,自由电荷只能分布在导体表面上。当导体里某处有电荷密度p出现时,就会引起电流流动。p(t)与时间t的关系为p0)- Ppe = pe(4.3.1 )式中是导体的电导率。T=%,叫做导体的弛豫时间,它等于β值减小到P6的时间。在交变场中,只要电磁波的频率の满足a>(4.3.2)0就可以认为导体里没有自由电荷分布,因此(4.3.2)式可当做良导体的条件。2、导体内的电磁波对于一定频率的单色波来说,麦克斯韦方程组可以化为VxE=iouh(4.3.3)VxH=-i0sE(4.3.4)V.E=0(4.3.5)V.H=0(4.3.6)式中6'=6+/℃(4.3.7)Q叫做导体的复介电常数由(4.3.3)一(4.3.6)可得导体内的亥姆霍兹方程为V?E+k?E=0(4.3.8)
§4.3 有导体存在时电磁波的传播 1、导体的弛豫时间 在静电时,自由电荷只能分布在导体表面上。当导体里某处有电荷密度 出 现时,就会引起电流流动。 (t) 与时间 t 的关系为 ( ) t t t e e − − = 0 = 0 (4.3.1) 式中 是导体的电导率。 = ,叫做导体的弛豫时间,它等于 值减小到 0 的时间。 在交变场中,只要电磁波的频率 满足 1 (4.3.2) 就可以认为导体里没有自由电荷分布,因此(4.3.2)式可当做良导体的条件。 2、导体内的电磁波 对于一定频率的单色波来说,麦克斯韦方程组可以化为 E i H = (4.3.3) H i E ' = − (4.3.4) E = 0 (4.3.5) H = 0 (4.3.6) 式中 + i ' (4.3.7) 叫做导体的复介电常数。 由(4.3.3)—(4.3.6)可得导体内的亥姆霍兹方程为 0 2 2 E + k E = (4.3.8)

k=oleu(4.3.9)这时k是一个复矢量,设k=β+ia(4.3.10 )则方程(3.3.8)的单色波解为E(r,1)= Epe-ar .e (bar-a)(4.3.11)其中k的实部β称为周相常数,虚部α称为衰减常数。如图1-3-3,设电磁波从介质入射到导体平面(z=0)上,zx平面为入射面则由边值关系ko, =k, =0kox=k=β+iαx可得z/i(3, B,)导体unX-介质6Y图1-3-3(4.3.12)α=(o, 0,α),β=(ksin0, 0, β.)其中Vo'sμ- sin?0) +o"μ?? -(osu-ksin(4.3.13)X(o*cμ- k sin?0)B=osusin0++(4.3.14)23、穿透深度
' k = (4.3.9) 这时 k 是一个复矢量,设 k = + i (4.3.10) 则方程(3.3.8)的单色波解为 ( ) r i( r t) E r t E e e − − = 0 , (4.3.11) 其中 k 的实部 称为周相常数,虚部 称为衰减常数。 如图 1-3-3,设电磁波从介质入射到导体平面(z=0)上, zx 平面为入射面。 则由边值关系 x x x x k0 = k = + i , k0 y = k y = 0 可得 = (0, 0,) , ( sin , 0, ) 0 z = k (4.3.12) 其中 ( ) ( ) 2 2 0 2 2 2 2 2 2 2 0 2 sin 2 1 sin 2 1 = − k + − − k (4.3.13) ( ) ( ) 2 2 0 2 2 2 2 2 2 2 0 2 sin 2 1 sin 2 1 k k z = − + + − (4.3.14) 3、穿透深度

当电磁波垂直入射到导体表面上时,由(4.3.12)式和(4.3.13)式可得ou(4.3.15)α=β=V2这时,透射波的振幅随z作指数衰减,当振幅减小到导体表面处振幅的-时,沿eZ方向经过的距离定义为穿透深度28=1(4.3.16)=αVouo
当电磁波垂直入射到导体表面上时,由(4.3.12)式和(4.3.13)式可得 2 = = (4.3.15) 这时,透射波的振幅随 z 作指数衰减,当振幅减小到导体表面处振幅的 e 1 时,沿 z 方向经过的距离定义为穿透深度 1 2 = (4.3.16)
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