《半导体工艺原理》课程教学课件（PPT讲稿）第9章 蚀刻

Chapter9蚀刻 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm

Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 1 Chapter 9 蚀刻

蚀刻的定义 ·移除晶圆表面的材料 ·选择性蚀刻或是整面全区蚀刻 ·选择性蚀刻是将光刻胶上的C设计图案转移 到晶圆表面 ·化学蚀刻，物理蚀刻或是两者的组合 ·其他的应用：光刻版制作等 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 2 k.htm

Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 2 蚀刻的定义 • 移除晶圆表面的材料 • 选择性蚀刻或是整面全区蚀刻 • 选择性蚀刻是将光刻胶上的IC设计图案转移 到晶圆表面 • 化学蚀刻, 物理蚀刻 或是两者的组合 • 其他的应用:光刻版制作等

栅极光刻版对准 栅极光刻版 光刻胶 多晶硅 STI USG P型井区 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 3 k.htm

Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 3 栅极光刻版对准 P型井区 STI USG 多晶硅 光刻胶 栅极光刻版

栅极光刻版曝光 栅极光刻版 ↓↓↓↓ 光刻胶 多晶硅 STI USG P型井区 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 4 k.htm

Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 4 栅极光刻版曝光 STI USG P型井区 多晶硅 光刻胶 栅极光刻版

显影/硬烘烤/检视 光刻胶 多晶硅 STI USG P型井区 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 5 k.htm

Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 5 显影/硬烘烤/检视 STI USG P型井区 多晶硅 光刻胶

蚀刻多晶硅 多晶硅 光刻 STI USG P型井区 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 6 k.htm

Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 6 蚀刻多晶硅 P型井区 STI USG PR光刻 胶 多晶硅

蚀刻多晶硅（续) 栅极氧化层 多晶硅 光刻 STI USG P型井☒ Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 7 k.htm

Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 7 蚀刻多晶硅 (续) P型井区 STI USG 栅极氧化层 多晶硅 光刻 胶

光刻胶剥除 栅极氧化层 多晶硅 STI USG P型井区 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 8 k.htm

Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 8 光刻胶剥除 P型井区 STI USG 栅极氧化层 多晶硅

离子掺杂 栅极氧化层 掺杂物离子，As+ 多晶硅 STI USG P型井☒ www2.austin.cc.tx.us/Hongxiao/B 源极汲极 Hong Xiao,Ph.D. 9 k.htm

Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 9 离子掺杂 P型井区 STI USG 多晶硅 n + n + 源极/汲极 栅极氧化层 掺杂物离子,As+

快速加热退火 栅极氧化层 多晶硅栅极 STI USG P型井☒ 源极汲极 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/B 10 k.htm

Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 10 快速加热退火 P型井区 STI USG 栅极氧化层 多晶硅栅极 源极/汲极 n + n +