《半导体工艺原理》课程教学课件（PPT讲稿）第8章 离子注入

Chapter 8 离子注入 1

1 Chapter 8 离子注入

目标 ·至少列出三种最常使用的掺杂物 ·辨认出至少三种掺杂区域 ·描述离子注入的优点 ·描述离子注入机的主要部分 ·解释通道效应 ·离子种类和离子能量的关系 ·解释后注入退火 ·辨认安全上的危害 2

2 目标 • 至少列出三种最常使用的掺杂物 • 辨认出至少三种掺杂区域 • 描述离子注入的优点 • 描述离子注入机的主要部分 • 解释通道效应 • 离子种类和离子能量的关系 • 解释后注入退火 • 辨认安全上的危害

离子注入 ·简介 ·安全性 ·硬件 ·工艺 ·概要 3

3 离子注入 • 简介 • 安全性 • 硬件 • 工艺 • 概要

晶圆制造流程图 材料 +IC生产厂房 测试 金属化 化学机 介电质沉 械研磨 积 晶圆 加热工艺 离子注人与 蚀刻与光 封装 光阻剥除 阻剥除 光罩 光刻 最终测试 设计

4 材料 设计 光罩 IC生产厂房 测试 封装 最终测试 加热工艺 光刻 离子注入与 光阻剥除 金属化 化学机 械研磨 介电质沉 积 晶圆 晶圆制造流程图 蚀刻与光 阻剥除

简介：掺杂半导体 ·什么是半导体？ ·为什么半导体需要被掺杂？ 。什么是n型掺杂物？ ·什么是p型糁杂物？ 5

5 简介: 掺杂半导体 • 什么是半导体? • 为什么半导体需要被掺杂? • 什么是n型掺杂物? • 什么是p型掺杂物?

简介 ·掺杂半导体 ·两种掺杂的方法 -扩散 -离子注入 ·离子注入的其他应用 6

6 简介 • 掺杂半导体 • 两种掺杂的方法 –扩散 –离子注入 • 离子注入的其他应用

掺杂半导体：扩散 ·等向性工艺 ·无法单独控制掺杂物的轮廓和掺杂物的 浓度 。在1970年代中期以后被离子注入取代. 7

7 掺杂半导体：扩散 • 等向性工艺 • 无法单独控制掺杂物的轮廓和掺杂物的 浓度 • 在1970年代中期以后被离子注入取代

掺杂半导体：扩散 ·最先用来掺杂半导体 ·在高温炉中完成 ·使用二氧化硅光罩 ·仍然使用在掺杂物驱入(drive-in) ·在超浅接面形成的应用 8

8 掺杂半导体：扩散 • 最先用来掺杂半导体 • 在高温炉中完成 • 使用二氧化硅光罩 • 仍然使用在掺杂物驱入(drive-in) • 在超浅接面形成的应用

沉积掺杂氧化层 沉积掺杂氧化层 二氧化硅 硅基片

9 沉积掺杂氧化层 硅基片 二氧化硅 沉积掺杂氧化层

氧化 二氧化硅 硅基片 10

10 氧化 硅基片 二氧化硅