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曲阜师范大学:新能源材料与器件专业《半导体材料与器件》课程教学大纲

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曲阜师范大学:新能源材料与器件专业《半导体材料与器件》课程教学大纲
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曲华師范大学课程教学大纲学院:物理工程学院半导体材料与器件课程名称:英文名称:SemiconductorMaterialsandDevices课程代码:072612课程性质:专业核心课计划学时:理论:54实践/实验:18学分:41-18周授课时间:物理楼授课地点:适用专业:新能源材料与器件审核人:批准人:执笔人:吕品课程负责人:吕品授课教师:吕品修订日期:2023年7月17日

学 院: 物理工程学院 课程名称: 半导体材料与器件 英文名称:Semiconductor Materials and Devices 课程代码: 072612 课程性质: 专业核心课 计划学时: 理论:54 实践/实验:18 学 分: 4 授课时间: 1-18 周 授课地点: 物理楼 适用专业: 新能源材料与器件 执笔人: 吕品 审核人: 批准人: 课程负责人: 吕品 授课教师: 吕品 修订日期:2023 年 7 月 17 日

《半导体材料与器件》课程教学大纲一、课程简介本课程为新能源材料与器件专业核心课程,学生需要修读固体物理先行课程,且需具备熟练进行高等数学推算的能力。通过本课程的学习,学生将能够掌握半导体物理的基本理论和基本规律,具备分析和应用半导体材料与器件的各种物理效应的能力,为后续新能源材料与器件的专业课程的学习及将来从事半导体材料与器件的研究工作奠定良好基础。二、课程目标1.系统讲授半导体物理的基本理论和基本规律,学生能够从微观的角度理解发生在半导体材料中的宏观物理现象,并能较为灵活的加以运用,可以解决相关问题。(支撑毕业要求1、2)2.了解半导体物理学思想和研究问题的方法,学生能够具备提出问题以及分析解决半导体材物理问题的能力,了解半导体材料器件的设计原理,为后续新能源材料与器件相关课程打好坚实的基础。(支撑毕业要求1、2)3.培养学生主动查阅、整理文献的习惯,在此过程中了解半导体材料与器件领域的前沿信息以及国内外的发展动态,意识到该领域对国家经济社会发展的影响,将学习动力与社会责任感之间建立联系。(支撑毕业要求1、2)表1:课程目标与毕业要求具体指标点的对应关系表课程目标1:系统讲授半导体物理的基本理论和基本规律,学生能够从微观的角度理解发生在半导体材料中的宏观物理现象,并能较为灵活的加以运用,可以解决相关问题。课程目标2:了解半导体物理学思想和研究问题的方法,学生能够具备提出问题以及分析解决半导体材物理问题的能力,了解半导体材料器件的设计原课程目标理,为后续新能源材料与器件相关课程打好坚实的基础。课程目标3:培养学生主动查阅、整理文献的习惯,在此过程中了解半导体材料与器件领域的前沿信息以及国内外的发展动态,意识到该领域对国家经济社会发展的影响,将学习动力与社会责任感之间建立联系。课程目标课程目标1课程目标2课程目标3毕业要求指标点1-1:熟练掌握与新能源相毕业要求1:关的材料、物理、化学等基VV工程知识础理论知识,以及材料合1/9

《半导体材料与器件》课程教学大纲 1 / 9 一、课程简介 本课程为新能源材料与器件专业核心课程,学生需要修读固体物理先行课程,且需 具备熟练进行高等数学推算的能力。通过本课程的学习,学生将能够掌握半导体物理的 基本理论和基本规律,具备分析和应用半导体材料与器件的各种物理效应的能力,为后 续新能源材料与器件的专业课程的学习及将来从事半导体材料与器件的研究工作奠定 良好基础。 二、课程目标 1.系统讲授半导体物理的基本理论和基本规律,学生能够从微观的角度理解发生在 半导体材料中的宏观物理现象,并能较为灵活的加以运用,可以解决相关问题。(支撑毕 业要求 1、2) 2.了解半导体物理学思想和研究问题的方法,学生能够具备提出问题以及分析解决 半导体材物理问题的能力,了解半导体材料器件的设计原理,为后续新能源材料与器件 相关课程打好坚实的基础。(支撑毕业要求 1、2) 3. 培养学生主动查阅、整理文献的习惯,在此过程中了解半导体材料与器件领域的 前沿信息以及国内外的发展动态,意识到该领域对国家经济社会发展的影响,将学习动 力与社会责任感之间建立联系。(支撑毕业要求 1、2) 表 1:课程目标与毕业要求具体指标点的对应关系表 课程目标 课程目标 1:系统讲授半导体物理的基本理论和基 本规律,学生能够从微观的角度理解发生在半导体 材料中的宏观物理现象,并能较为灵活的加以运 用,可以解决相关问题。 课程目标 2:了解半导体物理学思想和研究问题的 方法,学生能够具备提出问题以及分析解决半导体 材物理问题的能力,了解半导体材料器件的设计原 理,为后续新能源材料与器件相关课程打好坚实的 基础。 课程目标 3:培养学生主动查阅、整理文献的习惯, 在此过程中了解半导体材料与器件领域的前沿信 息以及国内外的发展动态,意识到该领域对国家经 济社会发展的影响,将学习动力与社会责任感之间 建立联系。 课程目标 毕业要求指标点 课程目标 1 课程目标 2 课程目标 3 毕业要求 1: 工程知识 1-1:熟练掌握与新能源相 关的材料、物理、化学等基 础理论知识,以及材料合 √ √

《半导体材料与器件》课程教学大纲成、表征、机理分析、器件设计组装与测试等基本操作技能;1-2:掌握新能源材料与器件领域的基础工程知识与技能;1-3:了解新能源材料与器件领域在实际工业工程中>的实践与应用。2-1:了解本领域的前沿信息、发展趋势以及国内外新能源产业的发展战略和动态,掌握文献及专业信毕业要求2:息的来源和获取方法,初V7问题分析步具备运用新能源材料与器件相关的自然科学与工程技术基本原理分析专业问题的能力。三、教学内容表2:课程目标与教学内容和教学方法的对应关系表课程课程课程学时教学章节周次日期内容提要目标目标目标分配方法123了解半导体材料在器件方面的应用,观赏相关视频,欣赏启发实践相关高质量的科研论文;12VV讨论回忆涉及固体物理和量子力学方面的基础知识。11-12掌握半导体的结合性质。讲授V221-1掌握半导体的晶格结构。讲授/掌握金刚石结构的各向异221-1讲授V性。掌握半导体中电子状态和能321-2 讲授V带规律。321-2JV掌握半导体的能带规律。讲授421-3讲授VV掌握半导体中电子的运动。掌握半导体中电子有效质413量、平均速度,加速度的物理2讲授VJ意义。1-4掌握本征半导体的导电机5讲授21-5构,空穴的基本概念及物理2 / 9

《半导体材料与器件》课程教学大纲 2 / 9 成、表征、机理分析、器件 设计组装与测试等基本操 作技能; 1-2:掌握新能源材料与器 件领域的基础工程知识与 技能; √ √ 1-3:了解新能源材料与器 件领域在实际工业工程中 的实践与应用。 √ 毕业要求 2: 问题分析 2-1:了解本领域的前沿信 息、发展趋势以及国内外 新能源产业的发展战略和 动态,掌握文献及专业信 息的来源和获取方法,初 步具备运用新能源材料与 器件相关的自然科学与工 程技术基本原理分析专业 问题的能力。 √ √ √ 三、教学内容 表 2:课程目标与教学内容和教学方法的对应关系表 周次 日期 章节 内容提要 学时 分配 教学 方法 课程 目标 1 课程 目标 2 课程 目标 3 1 实践 了解半导体材料在器件方面 的应用,观赏相关视频,欣赏 相关高质量的科研论文; 回忆涉及固体物理和量子力 学方面的基础知识。 2 启发 讨论 √ √ 1 1-1 掌握半导体的结合性质。 2 讲授 √ 2 1-1 掌握半导体的晶格结构。 2 讲授 √ 2 1-1 掌握金刚石结构的各向异 性。 2 讲授 √ 3 1-2 掌握半导体中电子状态和能 带规律。 2 讲授 √ 3 1-2 掌握半导体的能带规律。 2 讲授 √ √ 4 1-3 掌握半导体中电子的运动。 2 讲授 √ √ 4 1-3 掌握半导体中电子有效质 量、平均速度,加速度的物理 意义。 2 讲授 √ √ 5 1-4 1-5 掌握本征半导体的导电机 构,空穴的基本概念及物理 2 讲授 √ √

《半导体材料与器件》课程教学大纲意义。掌握回旋共振的基本概念。启发5实践2掌握回旋共振的测试原理。V讨论621-6讲授V掌握硅、锗的能带结构掌握II-V族化合物半导体261-7讲授VV的能带结构。第一章知识点总结、习题辅启发7实践导、及本章相关领域讨论介221讨论绍。272-1讲授掌握硅、锗的杂质能级V2-2掌握IⅢI-V族化合物半导体82讲授V24的杂质能级,点缺陷的概念。第二章知识点总结、习题辅启发8实践导、及本章相关领域讨论介2JV讨论绍。理解并掌握半导体中载流子9讲授V2V3-1的状态密度。理解并掌握半导体的费米能93-22讲授V级及载流子的统计分布。理解并掌握导带电子和价带空穴浓度的求解思路,以及103-22讲授J载流子浓度乘积的物理意义。理解并掌握本征半导体的载V103-32讲授V流子浓度。理解并掌握杂质半导体的载3-4211讲授V流子浓度。熟练掌握N型半导体的载流113-42子浓度,重点熟练强电离区讲授2的求解过程。了解P型半导体的载流子浓12 3-42讲授度。了解一般情况下的载流子统启发12实践2V计分布,以及目前器件的制讨论备工艺和存在的问题。掌握简并半导体的概念及物7133-62讲授V理意义及求解过程。第三章知识点总结、习题辅启发导、及本章相关领域讨论介13实践2JV绍。讨论3 / 9

《半导体材料与器件》课程教学大纲 3 / 9 意义。掌握回旋共振的基本 概念。 5 实践 掌握回旋共振的测试原理 。 2 启发 讨论 √ √ 6 1-6 掌握硅、锗的能带结构。 2 讲授 √ 6 1-7 掌握Ⅲ - Ⅴ族化合物半导体 的能带结构。 2 讲授 √ √ 7 实践 第一章知识点总结、习题辅 导、及本章相关领域讨论介 绍。 2 启发 讨论 √ √ 7 2-1 掌握硅、锗的杂质能级 2 讲授 √ 8 2-2 2-4 掌握Ⅲ -Ⅴ族化合物半导体 的杂质能级,点缺陷的概念。 2 讲授 √ 8 实践 第二章知识点总结、习题辅 导、及本章相关领域讨论介 绍。 2 启发 讨论 √ √ 9 3-1 理解 并掌握半导体中载流子 的状态密度。 2 讲授 √ √ 9 3 - 2 理解并掌握半导体 的费米能 级及载流子的统计分布。 2 讲授 √ 10 3 - 2 理解并掌握导带电子和价带 空穴浓度的求解思路,以及 载流子浓度乘积的物理意 义。 2 讲授 √ 10 3 - 3 理解并掌握本征半导体的载 流子浓度。 2 讲授 √ √ 11 3 - 4 理解 并掌握杂质半导体的载 流子浓度。 2 讲授 √ 11 3 - 4 熟练掌握 N 型半导体的载流 子浓度 ,重点熟练强电离区 的求解过程 。 2 讲授 √ 12 3 - 4 了解 P 型半导体的载流子浓 度 。 2 讲授 √ 12 实践 了解一般情况下的载流子统 计分布 ,以及目前器件的制 备工艺 和存在的问题。 2 启发 讨论 √ √ √ 13 3 - 6 掌握简并半导体的概念及物 理意义 及求解过程 。 2 讲授 √ √ 13 实践 第三章知识点总结、习题辅 导、及本章相关领域讨论介 绍。 2 启发 讨论 √ √

《半导体材料与器件》课程教学大级掌握载流子的漂移运动规律4-1214讲授V和迁移率的概念。掌握载流子的散射概念及半2144-2讲授V导体中主要的散射机制。掌握迁移率和电阻率与杂质154-32讲授浓度和温度之间的关系;第四章知识点总结、习题辅启发实践15导、及本章相关领域讨论介2/V讨论绍。掌握非平衡载流子注入和复 5-1合物理过程,及非平衡载流165-22讲授V子的寿命计算及物理意义。 5-3了解准费米能级的概念;162V 5-4讲授4掌握复合理论的几种方式。了解陷阱效应及物理意义;5-517掌握载流子的扩散运动及相2讲授V5-6关物理量的计算方式。了解载流子的漂移扩散,爱因斯坦关系是;了解连续性5-717方程。2讲授V5-8知识点总结、习题辅导、及本章相关领域讨论介绍。第五章知识点总结、习题辅启发18实践导、及本章相关领域讨论介2讨论绍。第一章到第五章全部知识点启发实践18总结梳理,以及相关重点和2讨论难点答疑。四、课程考核(一)课程目标与课程考核的对应关系表3:课程目标与课程考核的对应关系表课程课程课程考核方式及考核内容目标目标目标占比123(1)掌握半导体的晶体结构、电子状态及能带规律:1.预习讨论(2)理解半导体中的杂质能级和缺陷类型2.课堂提问3.例题解答(3)掌握半导体中载流子浓度及其随温度变化的规律:4.期中考试(4)理解半导体中载流子的散射机制:4 / 9

《半导体材料与器件》课程教学大纲 4 / 9 14 4-1 掌握载流子的漂移运动规律 和迁移率的概念。 2 讲授 √ 14 4-2 掌握载流子的散射概念及半 导体中主要的散射机制。 2 讲授 √ 15 4-3 掌握迁移率和电阻率与杂质 浓度和温度之间的关系; 2 讲授 √ 15 实践 第四章知识点总结、习题辅 导、及本章相关领域讨论介 绍。 2 启发 讨论 √ √ 16 5-1 5-2 5-3 掌握非平衡载流子注入和复 合物理过程,及非平衡载流 子的寿命计算及物理意义。 了解准费米能级的概念; 2 讲授 √ 16 5-4 掌握复合理论的几种方式。 2 讲授 √ √ 17 5-5 5-6 了解陷阱效应及物理意义; 掌握载流子的扩散运动及相 关物理量的计算方式。 2 讲授 √ 17 5-7 5-8 了解载流子的漂移扩散,爱 因斯坦关系是;了解连续性 方程。 知识点总结、习题辅导、及本 章相关领域讨论介绍。 2 讲授 √ 18 实践 第五章知识点总结、习题辅 导、及本章相关领域讨论介 绍。 2 启发 讨论 √ √ 18 实践 第一章到第五章全部知识点 总结梳理,以及相关重点和 难点答疑。 2 启发 讨论 √ √ 四、课程考核 (一)课程目标与课程考核的对应关系 表 3:课程目标与课程考核的对应关系表 考核内容 考核方式及 占比 课程 目标 1 课程 目标 2 课程 目标 3 (1)掌握半导体的晶体结构、电子状态及能带规律; (2)理解半导体中的杂质能级和缺陷类型; (3)掌握半导体中载流子浓度及其随温度变化的规律; (4)理解半导体中载流子的散射机制; 1.预习讨论 2.课堂提问 3.例题解答 4.期中考试 √

《半导体材料与器件》课程教学大纲(5)掌握非平衡载流子注入和复合物理过程:5.期末考试1.预习讨论(1)利用半导体物理知识设计半导体材料器件及解决实2.课堂提问际问题的能力;3.例题解答/(2)串联已有半导体物理学和材料学知识的能力。4.期中考试5.期末考试1.预习讨论(1)提前预习与查阅资料的能力:2.课堂提问(2)建立模型和简化模型的能力;3.例题解答(3)独立思考提出解决问题方法的能力。4.期中考试5.期末考试(二)评定方法评价方式为活动表现评价与终结性评价相结合,包括平时成绩20%、课后作业10%期中考试20%,期末考试50%。(三)评分标准表4:课程目标与评分标准的对应关系表评分标准课程占分热练掌握较好掌握基本掌握部分掌握不能掌握目标比例不合格:<60优:90-100良:80-89中:70-79合格:60-69(1)熟练掌握(1)较好掌握(1)基本掌握(1)部分掌(1)不能掌握半导体物理的半导体物理的半导体物理的握半导体物半导体物理的基本原理和基基本原理和基基本原理和基理的基本原基本原理和基本规律:本规律;本规律:理和基本规本规律;(2)熟练掌握(2)较好掌握(2)基本掌握律;(2)不能掌握半导体中电子半导体中电子半导体中电子(2)部分掌半导体中电子的状态及能带的状态及能带的状态及能带握半导体中的状态及能带结构:结构:结构:电子的状态结构;(3)较好掌握(3)不能掌握(3)熟练掌握(3)基本掌握及能带结构:半导体中杂质半导体中杂质半导体中杂质(3)部分掌半导体中杂质课程和缺陷能级;和缺陷能级;和缺陷能级;握半导体中和缺陷能级;40%目标(4)熟练掌握(4)较好掌握(4)基本掌握杂质和缺陷(4)不能掌握1热平衡状态下热平衡状态下热平衡状态下能级;热平衡状态下半导体的载流半导体的载流半导体的载流半导体的载流(4)部分掌子浓度及其随子浓度及其随子浓度及其随握热平衡状子浓度及其随温度变化的规温度变化的规温度变化的规态下半导体温度变化的规律;律;律:律;的载流子浓(5)熟练掌握(5)较好掌握(5)基本掌握度及其随温(5)不能掌握半导体中载流半导体中载流半导体中载流度变化的规半导体中载流子的漂移运动子的漂移运动子的漂移运动律;子的漂移运动规律及漂移速规律及漂移速规律及漂移速(5)部分掌规律及漂移速度、迁移率、导度、迁移率、导度、迁移率、导握半导体中度、迁移率、导5/9

《半导体材料与器件》课程教学大纲 5 / 9 (5)掌握非平衡载流子注入和复合物理过程; 5.期末考试 (1)利用半导体物理知识设计半导体材料器件及解决实 际问题的能力; (2)串联已有半导体物理学和材料学知识的能力。 1.预习讨论 2.课堂提问 3.例题解答 4.期中考试 5.期末考试 √ (1)提前预习与查阅资料的能力; (2)建立模型和简化模型的能力; (3)独立思考提出解决问题方法的能力。 1.预习讨论 2.课堂提问 3.例题解答 4.期中考试 5.期末考试 √ (二)评定方法 评价方式为活动表现评价与终结性评价相结合,包括平时成绩 20%、课后作业 10%、 期中考试 20%,期末考试 50%。 (三)评分标准 表 4:课程目标与评分标准的对应关系表 课程 目标 占分 比例 评分标准 熟练掌握 较好掌握 基本掌握 部分掌握 不能掌握 优:90-100 良:80-89 中:70-79 合格:60-69 不合格:<60 课程 目标 1 40% (1)熟练掌握 半导体物理的 基本原理和基 本规律; (2)熟练掌握 半导体中电子 的状态及能带 结构; (3)熟练掌握 半导体中杂质 和缺陷能级; (4)熟练掌握 热平衡状态下 半导体的载流 子浓度及其随 温度变化的规 律; (5)熟练掌握 半导体中载流 子的漂移运动 规律及漂移速 度、迁移率、导 (1)较好掌握 半导体物理的 基本原理和基 本规律; (2)较好掌握 半导体中电子 的状态及能带 结构; (3)较好掌握 半导体中杂质 和缺陷能级; (4)较好掌握 热平衡状态下 半导体的载流 子浓度及其随 温度变化的规 律; (5)较好掌握 半导体中载流 子的漂移运动 规律及漂移速 度、迁移率、导 (1)基本掌握 半导体物理的 基本原理和基 本规律; (2)基本掌握 半导体中电子 的状态及能带 结构; (3)基本掌握 半导体中杂质 和缺陷能级; (4)基本掌握 热平衡状态下 半导体的载流 子浓度及其随 温度变化的规 律; (5)基本掌握 半导体中载流 子的漂移运动 规律及漂移速 度、迁移率、导 (1)部分掌 握 半 导 体物 理 的 基 本原 理 和 基 本规 律; (2)部分掌 握 半 导 体中 电 子 的 状态 及能带结构; (3)部分掌 握 半 导 体中 杂 质 和 缺陷 能级; (4)部分掌 握 热 平 衡状 态 下 半 导体 的 载流子浓 度 及 其 随温 度 变 化 的规 律; (5)部分掌 握 半导体中 (1)不能掌握 半导体物理的 基本原理和基 本规律; (2)不能掌握 半导体中电子 的状态及能带 结构; (3)不能掌握 半导体中杂质 和缺陷能级; (4)不能掌握 热平衡状态下 半导体的载流 子浓度及其随 温度变化的规 律; (5)不能掌握 半导体中载流 子的漂移运动 规律及漂移速 度、迁移率、导

《半导体材料与器件》课程教学大纲电率等相关物电率等相关物电率等相关物载流子的漂电率等相关物理量之间的关理量之间的关理量之间的关移运动规律理量之间的关系:系;系;系;及漂移速度、(6)熟练掌握(6)较好掌握(6)基本掌握迁移率、导电(6)不能掌握非平衡载流子非平衡载流子非平衡载流子率等相关物非平衡载流子的注入及复合的注入及复合理量之间的的注入及复合的注入及复合机制;机制;机制;关系;机制:(6)部分掌握非平衡载流子的注入及复合机制;(1)部分掌(1)较好掌握(1)熟练掌握握半导体材半导体材料物半导体材料物(1)基本掌握(1)不能掌握料物理规律理规律及性理规律及性半导体材料物及性能;半导体材料物能;能:理规律及性(2)部分掌理规律及性(2)熟练掌握(2)较好掌握能;握半导体材能:半导体材料器半导体材料器(2)基本掌握料器件的设(2)不能掌握件的设计及分件的设计及分半导体材料器计及分析表半导体材料器件的设计及分析表征;析表征;征;件的设计及分(3)能够很好(3)能够较好析表征;(3)能够在析表征;的解决与半导的解决与半导(3)能够基本别人的帮助(3)不能够解体材料器件相体材料器件相解决与半导体下,解决与半决与半导体材课程关的实际问关的实际问材料器件相关导体材料器料器件相关的目标30%题。题。的实际问题。件相关的实实际问题。2(4)能够很好(4)能够较好(4)能够主动(4)不能参与际问题。的积极主动地的积极主动地地参与课堂讨课堂讨论、课(4)能够很参与课堂讨参与课堂讨论、课后交流,参与课堂讨后交流,不具论、课后交流,论、课后交流,具有优秀的语论、课后交有优秀的语言具有优秀的语具有优秀的语言表达能力、流,具有优秀表达能力、人言表达能力、言表达能力、人际交往能的语言表达际交往能力;人际交往能人际交往能力:养成终身能力、人际交没有养成科学力:养成终身力:养成终身受益的科学的往能力;养成的思维方法和受益的科学的受益的科学的思维方法和严终身受益的严谨的科学态思维方法和严思维方法和严谨的科学态科学的思维度。谨的科学态谨的科学态度。方法和严谨度。度。的科学态度。(1)较好的完(1)总体上能(1)大部分能(1)基本能(1)不能够完成课程预习,够完成课程预够完成课程预够完成课程成课程预习,课程在课程中完全习,在课程中习,在课程中预习,在课程在课程中能顺目标30%能顺利跟进理能顺利跟进理能顺利跟进理中能顺利跟利跟进理论的3论的讲解;论的讲解;论的讲解:进理论的讲讲解:(2)具备很好(2)基本具备解:(2)调研和查(2)具备较好6 /9

《半导体材料与器件》课程教学大纲 6 / 9 电率等相关物 理量之间的关 系; (6)熟练掌握 非平衡载流子 的注入及复合 机制; 电率等相关物 理量之间的关 系; (6)较好掌握 非平衡载流子 的注入及复合 机制; 电率等相关物 理量之间的关 系; (6)基本掌握 非平衡载流子 的注入及复合 机制; 载 流 子 的漂 移 运 动 规律 及漂移速度、 迁移率、导电 率 等 相 关物 理 量 之 间的 关系; (6)部分掌 握 非 平 衡载 流 子 的 注入 及复合机制; 电率等相关物 理量之间的关 系; (6)不能掌握 非平衡载流子 的注入及复合 机制; 课程 目标 2 30% (1)熟练掌握 半导体材料物 理规律及性 能; (2)熟练掌握 半导体材料器 件的设计及分 析表征; (3)能够很好 的解决与半导 体材料器件相 关的实际问 题。 (4)能够很好 的积极主动地 参与课堂讨 论、课后交流, 具有优秀的语 言表达能力、 人际交往能 力;养成终身 受益的科学的 思维方法和严 谨的科学态 度。 (1)较好掌握 半导体材料物 理规律及性 能; (2)较好掌握 半导体材料器 件的设计及分 析表征; (3)能够较好 的解决与半导 体材料器件相 关的实际问 题。 (4)能够较好 的积极主动地 参与课堂讨 论、课后交流, 具有优秀的语 言表达能力、 人际交往能 力;养成终身 受益的科学的 思维方法和严 谨的科学态 度。 (1)基本掌握 半导体材料物 理规律及性 能; (2)基本掌握 半导体材料器 件的设计及分 析表征; (3)能够基本 解决与半导体 材料器件相关 的实际问题。 (4)能够主动 地参与课堂讨 论、课后交流, 具有优秀的语 言表达能力、 人际交往能 力;养成终身 受益的科学的 思维方法和严 谨的科学态 度。 (1)部分掌 握 半 导 体材 料 物 理 规律 及性能; (2)部分掌 握 半 导 体材 料 器 件 的设 计 及 分 析表 征; (3)能够在 别 人 的 帮助 下,解决与半 导 体 材 料器 件 相 关 的实 际问题。 (4)能够很 参 与 课 堂讨 论 、 课 后交 流,具有优秀 的 语 言 表达 能力、人际交 往能力;养成 终 身 受 益的 科 学 的 思维 方 法 和 严谨 的科学态度。 (1)不能掌握 半导体材料物 理规律及性 能; (2)不能掌握 半导体材料器 件的设计及分 析表征; (3)不能够解 决与半导体材 料器件相关的 实际问题。 (4)不能参与 课堂讨论、课 后交流,不具 有优秀的语言 表达能力、人 际交往能力; 没有养成科学 的思维方法和 严谨的科学态 度。 课程 目标 3 30% (1)较好的完 成课程预习, 在课程中完全 能顺利跟进理 论的讲解; (2)具备很好 (1)总体上能 够完成课程预 习,在课程中 能顺利跟进理 论的讲解; (2)具备较好 (1)大部分能 够完成课程预 习,在课程中 能顺利跟进理 论的讲解; (2)基本具备 (1)基本能 够 完 成 课程 预习,在课程 中 能 顺 利跟 进 理 论 的讲 解; (1)不能够完 成课程预习, 在课程中能顺 利跟进理论的 讲解; (2)调研和查

《半导体材料与器件》课程教学大纲的通过调研和的通过调研和通过调研和查(2)在别人阅专业书籍较查阅专业书籍查阅专业书籍阅专业书籍理的帮助下,能少,不能提出理解半导体材理解半导体材解半导体材料够调研和查合适的解决方料器件中存在料器件中存在器件中存在的阅专业书籍法。的问题,提出问题,提出合理解半导体的问题,并提合适的解决方出合适的解决适的解决方法材料器件中方法的能力。法的能力。的能力。存在的问题,提出合适的解决方法。(四)课程目标达成情况评价方法1.定量评价法平时成课后作期中考期末考业试绩试课程分目标达成定量评价方法课程目标(%)(%)(%)(%)分目标达成度={0.2x(平时202050课程目标110成绩/分目标总分)+0.1x(课后作业成绩/分目标总50课程目标2202010分)+0.2x(期中考试成绩/分目标总分+0.5x(期末考试成30302020课程目标3绩/分目标总分)2.定性评价法课程目标达成情况定性评价法主要包括问卷法、座谈交流法、专家评价法和学生评价等。任课教师通过定性评价法掌握课程目标达成情况,了解学生对课程目标达成情况的认可度,思考同行专家对课程目标达成情况的评价与意见,及时总结并持续改进。问卷法:基于向学生发放问卷,调查学生对知识和能力的掌握程度;座谈交流法:基于开展学生座谈了解学生对知识和能力的掌握程度;专家评价法:基于督导、院系领导和同行听课及反馈意见评价:学生评价:基于学生的网上评教进行评价。五、教材及参考资料教材1.刘恩科、朱秉升、罗晋升主编,《半导体物理学》(第七版),电子工业出版社,2017年出版。参考书目7 /9

《半导体材料与器件》课程教学大纲 7 / 9 的通过调研和 查阅专业书籍 理解半导体材 料器件中存在 的问题,并提 出合适的解决 方法的能力。 的通过调研和 查阅专业书籍 理解半导体材 料器件中存在 的问题,提出 合适的解决方 法的能力。 通过调研和查 阅专业书籍理 解半导体材料 器件中存在的 问题,提出合 适的解决方法 的能力。 (2)在别人 的帮助下,能 够 调 研 和查 阅 专 业 书籍 理 解 半 导体 材 料 器 件中 存在的问题, 提 出 合 适的 解决方法。 阅专业书籍较 少,不能提出 合适的解决方 法。 (四)课程目标达成情况评价方法 1.定量评价法 2.定性评价法 课程目标达成情况定性评价法主要包括问卷法、座谈交流法、专家评价法和学生评 价等。任课教师通过定性评价法掌握课程目标达成情况,了解学生对课程目标达成情况 的认可度,思考同行专家对课程目标达成情况的评价与意见,及时总结并持续改进。 问卷法:基于向学生发放问卷,调查学生对知识和能力的掌握程度; 座谈交流法:基于开展学生座谈了解学生对知识和能力的掌握程度; 专家评价法:基于督导、院系领导和同行听课及反馈意见评价; 学生评价:基于学生的网上评教进行评价。 五、教材及参考资料 教材 1.刘恩科、朱秉升、罗晋升 主编,《半导体物理学》(第七版),电子工业出版社, 2017 年出版。 参考书目 课程目标 平时成 绩 (%) 课后作 业 (%) 期中考 试 (%) 期末考 试 (%) 课程分目标达成定量评价方法 课程目标1 20 10 20 50 分目标达成度={0.2x(平时 成绩/分目标总分)+0.1x(课 后作业成绩 / 分目标总 分)+0.2x(期中考试成绩/分 目标总分+0.5x(期末考试成 绩/分目标总分} 课程目标2 20 20 10 50 课程目标3 30 30 20 20

《半导体材料与器件》课程教学大纲1.半导体物理与器件(第四版),Donald,A.,Neamen著,赵毅强、姚素英、史再峰等译,电子工业出版社,2018年出版;2.半导体物理学(上)(第二版),叶良修著,高等教育出版社,2007年出版;3.半导体器件物理(第二版),孟庆巨,刘海波,孟庆辉著,科学出版社,2009年出版。8/9

《半导体材料与器件》课程教学大纲 8 / 9 1. 半导体物理与器件(第四版),Donald, A., Neamen 著,赵毅强、姚素英、史再 峰等译,电子工业出版社,2018 年出版; 2. 半导体物理学(上)(第二版),叶良修著,高等教育出版社,2007 年出版; 3. 半导体器件物理(第二版),孟庆巨,刘海波,孟庆辉著,科学出版社,2009 年 出版

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