《模拟电子技术》课程教学资源(PPT课件)第3章 场效应管及其放大电路

置第3章场效应管及其放大电路 合 第3章场效应管及其放大电路 3.1结型场效应管 3.2绝缘栅型场效应管 3.3场效应管的主要参数及特点 3.4场效应管放大电路
第3章 场效应管及其放大电路 第3章 场效应管及其放大电路 3.1 结型场效应管 3.2 绝缘栅型场效应管 3.3 场效应管的主要参数及特点 3.4 场效应管放大电路

第3章场效应管及其放大电路 场效应三极管中参与导电的只有一种极性的载流 子(多数载流子),故称为单极型三极管。 (N沟道 结型场效应管 (P沟道 N沟道 分类:{ 增强型 (P沟道 绝缘栅型场效应管〈 N沟道 耗尽型 P沟道
第3章 场效应管及其放大电路 场效应三极管中参与导电的只有一种极性的载流 子(多数载流子),故称为单极型三极管。 分类: 结型场效应管 绝缘栅型场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 N沟道 P沟道 P沟道

第3章场效应管及其放大电路 。中中源。”。金。想。中中一。中 3.1结型场效应管 3.1.1结型场效应管的结构 3.1.2结型场效应管的工作原理 3.1.3结型场效应管的特性曲线
第3章 场效应管及其放大电路 3.1.1 结型场效应管的结构 3.1.2 结型场效应管的工作原理 3.1 结型场效应管 3.1.3 结型场效应管的特性曲线

第3章场效应管及其放大电路 国合 3.1.1结型场效应管的结构 od 漏极 耗 D+ N沟道 极 源 沟道结型场效应管的结构和符号
第3章 场效应管及其放大电路 3.1.1 结型场效应管的结构 N 沟 道 耗 尽 层 g d s g d s P + P + N沟道结型场效应管的结构和符号 栅 极 漏极 源 极

第3章场效应管及其放大电路 ●。中中●。在。西血中中一。中 3.1.2结型场效应管的工作原理 1.4cs对in的控制作用 Ip=0 Ip-0 P+ P+ P+ g 型沟道 型沟 UGS=0 UGS=UGS(of)
第3章 场效应管及其放大电路 uGS = 0 uGS < 0 uGS = UGS(off) ID=0 ID=0 N 型 沟 道 g d s P+ P+ N 型 沟 道 g d s P+ P+ g d s P+ P+ 3.1.2 结型场效应管的工作原理 1. uGS 对iD的控制作用

第3章场效应管及其放大电路 中●●●●。●金●●●。●州 2.漏源电压对D的影响 is=ip g g DD VGG is UGS=0,UGD>UGS(om) UGS<0,UGDUGS(of) 沟道较宽,n较大。 沟道变窄,in较小
第3章 场效应管及其放大电路 沟道较宽,iD 较大。 iS = iD iD iS iD iS uGS=0,uGD> UGS(off) uGS UGS(off) 2. 漏源电压对iD 的影响 N P+ P+ VGG VDD g d s N P+ P+ VDD g d s 沟道变窄,iD 较小

第3章场效应管及其放大电路 合 。中标。”会。想。中中一中 D DD GG lis UGs<0,UGD=UGS(of)' uGs≤UGS(o,lGD<UGs(of)' ,更小,导电沟道预夹断。 in≈0,导电沟道夹断
第3章 场效应管及其放大电路 N P+ P+ iD iS VGG VDD P+ P+ iD iS VGG VDD uGS < 0,uGD= UGS(off), uGS ≤ UGS(off) ,uGD < UGS(off), iD更小,导电沟道预夹断。 iD ≈ 0, 导电沟道夹断

第3章场效应管及其放大电路 3.1.3结型场效应管的特性曲线 预夹断轨迹 lups-uGSH IUGS(om 1.输出特性 ip/mA 可变 UGS=0 iof(uDs) uGS-常数 Ipss 电阻区 可变电阻区: -2 :击穿区 i与us基本上呈线性关系, 恒流区 -4 但不同的ucs其斜率不同。 -6 恒流区:又称饱和区, -8 iD几乎与ups无关,io的值 s(oml 受ucs控制。 8V 夹断电压 uDs N沟道结型场效应管的漏极特性 击穿区: 反向偏置的PN结被击穿,D电流突然增大
第3章 场效应管及其放大电路 1. 输出特性 iD=f(uDS)|uGS=常数 预夹断轨迹 可变 电阻区 恒流区 击穿区 |UGS(off)| 8V IDSS uGS=0 -4 -2 -6 -8 iD/mA uDS/V O |uDS-uGS|= |UGS(off)| 可变电阻区: iD 与uDS 基本上呈线性关系, 但不同的uGS 其斜率不同。 恒流区:又称饱和区, iD 几乎与uDS 无关,iD 的值 受uGS 控制。 N沟道结型场效应管的漏极特性 击穿区: 反向偏置的PN结被击穿,iD 电流突然增大。 夹断电压 3.1.3 结型场效应管的特性曲线

第3章场效应管及其放大电路 中”。”金。想。中中中 2.转移特性 ib=f(uGs)luns=常数 ip/mA DD Ipss 饱和漏极电流 场效应管特性曲线测试电路 UGs(of) uGs/V 栅源间加反向电压ucs<0 N沟道结型场效应管转 移特性 利用场效应管输入电阻高的优点。 iD=Ipss(1- UGs (当Up≤UGs≤0时)
第3章 场效应管及其放大电路 2. 转移特性 iD = f(uGS)|uDS=常数 GS 2 D DSS GS(off) = − (1 ) u i I U (当UP UGS 0时) g d s mA V V ID VGG VDD 场效应管特性曲线测试电路 N沟道结型场效应管转 移特性 IDSS UGS(off) 饱和漏极电流 栅源间加反向电压 uGS < 0 利用场效应管输入电阻高的优点。 uGS/V iD/mA O

第3章场效应管及其放大电路 中。w。●e金●。e。w●由●。中 3.2绝缘栅型场效应管 3.2.1N沟道增强型MOS场效应管 3.2.2N沟道耗尽型MOS场效应管
第3章 场效应管及其放大电路 3.2.1 N沟道增强型MOS场效应管 3.2.2 N沟道耗尽型MOS场效应管 3.2 绝缘栅型场效应管
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