浙江科技大学:《无机与分析化学》课程教学课件(打印版)第6章 物质结构(5/5)

6.5分子间力和氢键ZHEHANGUNIVERSITSCIENCESTECHNOLOG6.5.1分子的极性和变形性键的极性主要与构成键的两原子电负性的相对大小有关分子极性的大小常用分子的偶极矩来衡量6.5.2分子间力的总结非极性分子间-色散力非极性分子与极性分子间一-色散力、诱导力极性分子与极性分子间一-色散力、诱导力、取向力6.5.3氢键通式XH·.Y具有饱和性和方向性使物质的熔点、沸点升高,溶解度,粘度增大2019/11/202Zhang Li-qing

6.6离子化合物ZHEJANGUNIVERSUSCIENCEATECHNOLO6.6.1离子键本质:阴阳离子间的静电引力特征:无方向性、无饱和性(1)离子电荷(2)离子构型(3)离子半径6.6.2离子晶体(1)晶体特征王(具有几何构型、固定熔点、各向异性)(2)晶体结构(结点、晶格、晶胞)(3)晶体种类(单晶与多晶、原子离子金属分子晶体)(4)配位数与结构类型(NaCI、CsCI、ZnS)6.6.3离子半径与晶体结构(0.414-0.732)2019/11/203Zhang Li-qing

6.6.4离子晶体的晶格能ZHEHASCLNCIEATECHNOLOG离子晶体稳定性:(1)晶格能:由无限远离的气态正负离子形成1mol离子晶体时所放出的热量.AHNat(g)+ Cl(g) → NaCI(s)A,H m= -788.1kJ-mol1U = 788.1kJ-mol12019/11/20Zhang Li-qing

6.6.4离子晶体的晶格能ZHEHANGUNIVERSITSCIENCEATECHNOLOG利用Born-Haber循环2)晶格能的计算:AH°m(KBr,s)K(s)KBr(s)十1/2Br2(l)AH°m3=1/2 △vapH°m(Br2,l)AHmIIAH°m6= -U1/2Br2(g)AsubHAH° m4-1/2E(Br Br)AH°ms-ExBr(g)Br (g)+AH m,2-=I,K(g)Kt(g)A,H m(KBr,s)= AH m,1+AH m,2 +AH m3 +AH m4+H m5 +NH m,62019/11/205Zhang Li-qing

6.6.4离子晶体的晶格能ZHEHA3)影响晶格能的因素:①离子电荷:ZI,U↑例:UNaCI) U(CaO)大(4)晶格能对离子晶体物理性质的影响:Mgo Cao Sro Bao大小低小小大高大U熔点硬度2019/11/20Zhang Li-qing

6.6.5离子的极化ZHEHA1.离子的极化(1)离子的极化:离子在外电场作用下产生诱导偶极的过程(2)诱导偶极:外电场作用下,离子的原子核及电子发生相对位移,造成离子的变形而形成的偶极离子极化的强弱主要取决于a.离子的极化力b.离子的变形性2019/11/20Zhang Li-qing

6.6.5离子的极化ZHEHANUNIVERSEATECNOLOC2.离子的极化力与离子的变形性:(1)离子的极化力:某离子使异电荷离子产生变形的能力影响离子极化力的主要因素:1)离子电荷;2)离子半径;3)离子的电子构型Z一般来说:Z高,r小,f大→Φ =r2019/11/20.Zhang Li-qing

6.6.5离子的极化ZHEHASCILNCEATECHNOLO一般来说:Z高,小,f大 →ΦZ相同,相近,与电子构型有关:18(18+2)以及2电子构型具强极化力。如Cut, Pb2+, Li+等8电子构型离子极化力最弱,如Nat,Ca2+等18.(18+2),2电子构型>9-17构型>8构型4s24p°4d10Ag*[Kr]4d105S018电子4s24p4d105S2Sn2+[Kr]4d105S25p018+2电子3s23p63d3Cr3+ [Ar]3d34S09-17电子2019/11/20Zhang Li-qing

6.6.5离子的极化ZHEACNCEATECHNOOG2)离子变形性:离子在外电场作用下,外层电子与核发生相对位移的性质,常用离子的极化率(α)来衡量离子变形性一般规律:①正离子a小,负离子α大:②负离子r大,a大:③r相近,但电荷不同时:负离子:z大,α大;正离子:Z大a小④r相近Z相同时,与电子构型有关离子变形性主要取决于离子半径的大小2019/11/2010Zhang Li-qing

6.6.5离子的极化3.离子极化的一般规律:①阴离子相同时,阳离子Z越大,阴离子越易被极化:②阳离子Z相同时,阳离子r越小,阴离子越易被极化③阳离子Z相同,r相近时,阴离子越大越易被极化④附加极化作用:当阳离子与阴,离子一样,也易变形时它们会相互极化,使诱导偶极增大,(18,18+2,2电子构型)2019/11/20Zhang Li-qing
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