《数字电子技术》课程教学资源（PPT课件）第十章 脉冲波形的产生和整形

第十章脉冲波形的产生和整形

1 第十章 脉冲波形的产生和整形

10.1概述获取矩形脉冲的方法脉冲波形发生电路2.脉冲波形整形电路描述矩形脉冲特性的主要参数trN0.9V.m0.5Vm0. 1V.2

2 10.1 概述 一、获取矩形脉冲的方法 1. 脉冲波形发生电路 2. 脉冲波形整形电路 二、描述矩形脉冲特性的主要参数

10.2施密特触发器（常用的一类脉冲整形电路）10.2.1用门电路组成的施密特触发器DVDD'VoL= 0,V且R <R一DD'OHTH2R2R1VolVIoVAG1G2vo3

3 10.2 施密特触发器（常用的一类脉冲整形电路） 10.2.1 用门电路组成的施密特触发器 1 2 2 1 VOH =VD D，VOL = 0，VTH = VD D，且R  R

R2RiVo1UrVoUG2G1vo*当V, =0时,V。=0。O0VDD1V0*当V↑,至V=V时，进入传输特性的放大区，故V 个-→>Vo +->V。个使电路迅速跳变到Vo = VoHR2-VV=VmR +R,IRLVHV, =V+++(1+R2

4 → →    =  = = I O O I I TH I O V V V V V V V V 1 0 0 ' ' 当 ,至 时，进入传输特性的放大区，故 当 时， 。 使电路迅速跳变到 VO =VOH I T TH I TH I V R R V V V R R R V V ( ) 2 1 1 2 2 = = 1+  +  = = +

*当V, =1时，V。=l。*当V,U,至V=V时，进入传输特性的放大区，故V' +->Vo. 个-→>V。+使电路迅速跳变到V。=VoLR,+VV= Vm=(VDD-V)R + R21RLVmVi = Vr- =(1-R,5

5 → →    =  = = I O O I I TH I O V V V V V V V V 1 1 1 ' ' 当 ,至 时，进入传输特性的放大区，故 当 时， 。 使电路迅速跳变到VO =VOL I T TH I TH D D I I V R R V V V R R R V V V V ( ) ( ) 2 1 1 2 1 = = 1−  + +  = = − −

voRIVTHR212V, = Vr+ =(1+THRR/, = Vr_ =(1THRCVTHVDDUtTS、vo6

6 I T VTH R R V V ( ) 2 1 = + = 1+ I T VTH R R V V ( ) 2 1 = − = 1−

10.2.2集成施密特触发器Vi=O时，T截止，T饱和导通，V=VoL双极型ICR4VE2 ~ (Vcc - VcEs2)R226年14起款R,+R4iR3当V个，至V-VE2+0.7V时，T导通，并引起iB2Vc1Vi个→ici-Veiic2T2JiclVc2VBIhVBEIT-VET1ic2UESR4.迅速转为T导通，T,截止=V=VoH4802R4Ve2 -Vel ~ (Vee - Vcesi)R +RVoL~1.9V7

7 10.2.2 集成施密特触发器 一、双极型IC 1. 3 4 4 2 2 0 1 2 R R R V V V V T T V V E CC CES I O OL +  −  =  =  ( ) 时， 截止， 饱和导通，    → → →     = + BE E I C C C I I E V V V i V i V V V V T 1 1 1 2 2 1 当 ，至 0.7 时， 导通，并引起 T T VO VOH 迅速转为 导通， 截止  =  1 2 2 4 4 2 1 1 R R R VE VE Vcc VCES + →  ( − ) VOL  1.9V

VI=1时，T饱和，T截止，V=VoHR2<RM2 k2 1.4 k2R4iR3VEl ~ (Vcc -VcEsi)iB2R, + R4UCIT2Vc2iciVBI当V，至V-VEI+0.7V时，T脱离饱和，并引起Vici+→Vc个→ic2个T1ic2VEVBEIV-VEA≤R4480.迅速转为T截止，T导通V=V0R4V = Ve. +0.7VVel -→ Ve2 ~ (Vec-VCES2)R+RR4Ve ~(Vc-VceCES1R + R4VI+=VEI +0.7V8

8 2 4 4 1 1 1 1 2 R R R V V V V T T V V E CC CES I O OH +  −  =  =  ( ) 时， 饱和， 截止，    → → →     = + BE E I C C C I I E V V V i V i V V V V T 1 1 1 2 1 1 当 ，至 0.7 时， 脱离饱和，并引起 T T VO VOL 迅速转为 截止， 导通  =  1 2 3 4 4 1 2 2 R R R VE VE Vcc VCES + →  ( − ) VT+ =VE2 + 0.7V VT+ =VE1 + 0.7V 2 4 4 1 1 R R R VE Vcc VCES +  ( − )

2.器件实例74 13二极管与门施密特电路电平偏移输出电路VocIR,R23RMRi>RsMRM13022ko>4kQ1.4kiRiB2TUciTSVc2iciD.DDuUBIAD,立DVoB VTaicY0UtCV图形符号TD4DMR4ROERs480本本本本4附加部分：3H输入加“与门”2F输出加推拉式输出级“反相Vor电压值较高，加入电平偏移部分00.51.01.52.0V/V9

9 2. 器件实例 74 13 电压值较高，加入电平偏移部分 输出加推拉式输出级“反相” 输入加“与门” 附加部分： VO L

二、CMOSIC施密特电路整形级缓冲级VDD1输入UTJO保护1Ko/VVpb=15VT1311511Tio?10V51510150/V

10 二、CMOS IC