《数字电子技术》课程教学资源（PPT课件）第七章 半导体存储器

第七章半导体存储器

1 第七章 半导体存储器

第七章半导体存储器7.1概述！单元数庞大能存储大量二值信息的器件！输入输出引脚数日有限般结构形式输入出电路地址输人地址译码器I/O存储矩阵输入/出控制

2 第七章 半导体存储器 7.1 概述 能存储大量二值信息的器件 一、一般结构形式 输 入/ 出 电 路 I/O 输入/出 控制 ！单元数庞大 ！输入/输出引脚数目有限

二、分类1、从存/取功能分：掩模ROM①只读存储器可编程ROM(Read-Only-Memory)可擦除的可编程EPROM静态RAM②随机读/写(Random-Access-Memory动态RAM2、从工艺分：①双极型②MOS型

3 二、分类 1、从存/取功能分： ①只读存储器 (Read-Only-Memory） ②随机读/写 （Random-Access-Memory） 2、从工艺分： ①双极型 ②MOS型 EPROM ROM ROM 可擦除的可编程 可编程 掩模 RAM RAM 动态 静态

7.2 ROM7.2.1掩模ROM、结构地址输入输出缓冲器地址译码器数据输出存储矩阵三态控制

4 7.2 ROM 7.2.1 掩模ROM 一、结构

二、举例Voc>>DiKA4区X地址译码器B4RVA区区D,KXKVAKW.WWW输出缓冲器D?KA:dDX存储矩阵立BADD.KBdW区衣d1EN

5 二、举例

A0~An-1VeoWWM“与"项DOWo长衣“或”阵列地址译码器输出“与”阵列:wi2n-1)AXDmKKDAW,W,W输出缓冲器址数地据KXASAoDA1D3D1DoD3WXKK存储矩d000101D+KS101011DW区010001D0111EN"6

6 地 址 数 据 A1 A0 D3 D2 D1 D0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 A0~An-1 W0 W(2n-1) D0 Dm

两个概念：存储矩阵的每个交又点是一个“存储单元”，存无器件存入“0”储单元中有器件存入“1”，WVVW.WW.Ws输出缓冲器片VppXK7AAAAHCD;K?存储矩阵D2FX?id,D区区AdBD汇EN'EN“字数×位数”存储器的容量：

7 两个概念： 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存 储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 存储器的容量：“字数 x 位数

掩模ROM的特点：出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产简单，便宜，非易失性WaVWolW,W2W片Vpp输出缓冲器KKDKX-存储矩阵dWDKKd以DXEWDEN'8

8 掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性

Z.2.2可编程ROM（PROMD总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同Vc字线熔b丝-位线*熔丝由易熔合金制成*出厂时，每个结点上都有*编程时将不用的熔断！！是一次性编程，不能改写D

9 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 ！！ 是一次性编程，不能改写 编程时将不用的熔断 出厂时，每个结点上都有 熔丝由易熔合金制成   

Z.2.2可编程ROM（PROMD总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同VocA342存译码储W15矩阵文2V读/写2V放大器A$亚写入时，要使用编程器文AVV金10DD.D.DDDDD

10 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 写入时，要使用编程器