《电工学》课程PPT教学课件（电子技术）第09章 半导体存储器和可编程逻辑器件

第九章 半导体存储器 可编程逻辑器件

第九章 半导体存储器 可编程逻辑器件

§1半导体存储器概述 半导体存储器几乎是当今数字系统中不可缺少的重要组成部分， 它可以用来存储大量的二进制数据。 半导体存储器由半导体集成电路制成，具有集成度高、存取速 度快、体积小等特点。 半导体存储器的容量用能存储二进制数的字数与每个字的位数 的乘积表示，如1024×1(1K),2048×8（16K)等。 内存储器 要求存取速度要快，一般采用半导体存储器。 计算机 存储器 外存储器 要求存储容量大，一般采用磁盘、光盘等

半导体存储器几乎是当今数字系统中不可缺少的重要组成部分， 它可以用来存储大量的二进制数据。 半导体存储器由半导体集成电路制成，具有集成度高、存取速 度快、体积小等特点。 半导体存储器的容量用能存储二进制数的字数与每个字的位数 的乘积表示，如10241（1K）,2048  8（16K）等。 计算机 存储器 内存储器— 要求存取速度要快，一般采用半导体存储器。 外存储器— 要求存储容量大，一般采用磁盘、光盘等。 §1 半导体存储器概述

掩模ROM (不可改写ROM、固定ROM) 一次可编程ROM(PROM) ROM 光可擦除可编程ROM(EPROM) 半导体 存储器 电可擦除可编程ROM(E2PROM) 静态RAM RAM 动态RAM ROM-Read Only memory RAM- Random Access Memory

半导体 存储器 ROM RAM 静态RAM 动态RAM 掩模ROM （不可改写ROM、固定ROM） 一次可编程ROM（PROM） 光可擦除可编程ROM（EPROM） 电可擦除可编程ROM（E2PROM） ROM——Read Only memory RAM——Random Access Memory

§2ROM存储器 存储矩阵 1掩模ROM 2/4线 Yo A 由二极管构成的 Ao 地址译码器 掩模ROM 输出缓冲器 D3 D2 D1 Do 掩模ROM在制造时，生产厂家利用 掩模技术把数据写入存储器中，一旦 ROM制成，其存储的数据固定不变

§2 ROM存储器 1 掩模ROM 由二极管构成的 掩模ROM 2/4线 地 址 译 码 器 输出缓冲器 D3 D2 D1 D0 Y0 Y2 Y1 Y3 A1 A0 存储矩阵 掩模ROM在制造时，生产厂家利用 掩模技术把数据写入存储器中，一旦 ROM制成，其存储的数据固定不变

存储矩阵 4条字线 22=4 2/4线 Y 两位 A 地址 地址译码 Y 输入 存储容量：4×4=16 位线 输出缓冲器 D3 D2 D1 Do

4条字线 位线 2 4 2 = 两位 地址 输入 2/4线 地 址 译 码 器 输出缓冲器 D3 D2 D1 D0 Y0 Y2 Y1 Y3 A1 A0 存储矩阵 存储容量：4  4=16

工作原理 A1A0=00 选中字线Yo 2/4线 Yo=1 A Y=Y2=Y3=0 接在Y线上的 地址译码器 二极管导通 D2=1、D0=1 输出缓冲器 D3 D2 D1 Do D3D2D1Do=0101

2/4线 地 址 译 码 器 输出缓冲器 D3 D2 D1 D0 Y0 Y2 Y1 Y3 A1 A0 A1A0=00 选中字线Y0 Y0=1 Y1=Y2=Y3=0 接在Y0线上的 二极管导通 D2=1、D0=1 D3D2D1D0=0101 工作原理

存储内容列表 地址 字线 位线 (存储内容) A A0 Y3 Y2 YI Yo D3 D2 D1 Do 0 0 0 0 0 1 0101 0 1 0 01 0 10 11 0 1 01 0 0 01 00 11 10 00 1110

地址 字线 位线 （存储内容） A1 A0 Y3 Y2 Y1 Y0 D3 D2 D1 D0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 1 0 1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 1 1 1 0 0 0 1 1 1 0 存储内容列表

2/4线 Yo 千Ucc A 地址译码器 Y3 由三极管构成的 掩模ROM 输出缓冲器 D: D2D1 Do

2/4线 地 址 译 码 器 Y0 Y2 Y1 Y3 A1 A0 输出缓冲器 D3 D2 D1 D0 +UCC 由三极管构成的 掩模ROM

工作原理 2/4线 0 千Uc A1A0=00 A1 选中字线Y Yo=1 A0 Y1=Y2=Y3=0 地址译码器 Y3 接在Y线上的 三极管导通 输出缓冲器 D2=1、D0=1 D, D Do D3D2D1Do=0101

A 1 A 0=00 选中字线 Y0 Y0=1 Y1 = Y2 = Y3=0 接在 Y0线上的 三极管导通 D2=1、D0=1 D3D2D1D0=0101 工作原理 2/4 线地址译码器 Y0 Y2 Y1 Y3 A 1 A 0 输出缓冲器 D 3 D 2 D 1 D 0+ UCC

负载管 2/4线 写妇 0 地址译码器 两 阿 由NMOS管构成的 掩模ROM 1- D

由 NMOS管构成的 掩模ROM 2/4 线地址译码器 Y0 Y2 Y1 Y3 A 1 A 0 D 3 D 2 D 1 D 0+ UCC 1 1 1 1 负载管