《模拟电子技术》课程电子教案（PPT课件）第6章 模拟集成电路

6模拟集成电路6.1模拟集成电路中的直流偏置技术差分式放大电路6.26.3差分式放大电路的传输特性6.4集成电路运算放大器6.5实际集成运算放大器的主要参数和对应用电路的影响HOME

6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 6.3 差分式放大电路的传输特性 6.4 集成电路运算放大器 6.5 实际集成运算放大器的主要参数和对应 用电路的影响 6.2 差分式放大电路

6.1模拟集成电路中的直流偏置技术BJT电流源电路6.1.11.镜像电流源3.高输出阻抗电流源2.微电流源4.组合电流源6.1.2FET电流源1MOSFET镜像电流源2.MOSFET多路电流源3.JFET电流源HOME

6.1.1EBJT电流源电路+Vcc1.镜像电流源RIREF21BTi、T，的参数全同ic2=l=IREFC2Ic1b,b即β,=β2，IcEO1=IcEO2UCE2K2VV=E2E1BE2BE1三-VEEC2当BJT的较大时，基极电流I.可以忽略1Vcc + VVcc-VBE-(-VEE)EEI=I~IREFRR代表符号HOME

VBE2 =VBE1 E2 = E1 I I C2 = C1 I I T1、T2的参数全同 即β1 ＝β2，ICEO1 ＝ICEO2 当BJT的β较大时，基极电流IB可以忽略 Io ＝IC2≈IREF ＝ R V V R VCC VBE VEE CC EE ( )      代表符号

6.1.1BJT电流源电路+VccRIREF1.镜像电流源21Bic2=Ic2=IIREFC2Ic1C动态电阻b2b1UCET1T2aic2r.=1B2O0CE2-VEE=rce击穿1ic2一般r。在几百千欧以上ro=斜率可用范围UCE20HOME

动态电阻 B2 1 CE2 C2 o ( ) I v i r     ce  r

6.1.1EBJT电流源电路+Vcc2.微电流源RIREF21BVV=IBE1BE2Ic1Io = Ic2 ~ IE2ReaT2+'VBE1VBE2AVBEReRe2很小，由于A-VEEβRe2(1 +所以Ic2也很小。ro-rece2Tbe2+Re2（参考射极偏置共射放大电路的输出电阻R）HOME

e2 BE1 BE2 R V V IO  IC2  IE2  e2 BE R V  VBE ro ≈rce2（1＋ ） be2 e2 e2 r R R   Ro 

+Vcc6.1.1BJT电流源电路IREF3.高输出阻抗电流源IB3T3+VVVVBE3BE2EECCREFRC2IBAT122REFAVEEA,和A.分别是T和T，的相对结面积动态输出电阻r.远比微电流源的动态输出电阻为高HOME

A1和A3分别是T1和T3的相对结面积 动态输出电阻ro远比微电流源的动态输出电阻为高 R V V V V I CC BE3 BE2 EE REF     REF 1 3 o C2 I A A I  I  

6.1.1EBJT电流源电路+Vcc4.组合电流源T、R和T.支路产生基准电流TeIREFT和T、T和T.构成镜像电流源RIREFT,和T3，T,和T.构成了微电流源1LEB4BE1ER13REFR-VEEHOME

T1、R1和T4支路产生基准电流 IREF 1 CC EE BE1 EB4 REF R V V V V I     T1和T2、T4和T5构成镜像电流源 T1和T3，T4和T6构成了微电流源

6.1.2FET电流源+VDD1.MOSFET镜像电流源IREFR +VssVVDDGSID2=I。Io = I D2 = IREFd2RNMOSdi+当器件具有不同的宽长比时VDs?VDS1TiT-g+W./LVGs（2=0)REF-Vssds2MOSFET基本镜像电路流HOME

当器件具有不同的宽长比时 R V V V I I I DD SS GS O D2 REF      REF 1 1 2 2 O / / I W L W L I   （=0） ro = rds2 MOSFET基本镜像电路流

6.1.2FET电流源+VDD1.MOSFET镜像电流源IREF用T代替R，TT特性相同，T3ID2=I。且工作在放大区，当入=0时，输出电流为TI D2 = (W / L), K'2 (VGs2 - VT2)十VGs= K.2( cs2 - Vt2)2-Vss常用的镜像电流源HOME

2 n2 GS2 T2 2 D2 2 n2 GS2 T2 ( ) ( / ) ( ) K V V I W L K V V      用T3代替R，T1~T3特性相同， 且工作在放大区，当=0时，输出 电流为 常用的镜像电流源

6.1.2FET电流源2.MOSFET多路电流源+VDDIREF=IDoIDO=IREFKno (VGso -Vro)?NMOS T.+ ID3ID4ID2W,/L102VGSOREFW./LNMOS TIT3T4T2人装十十ID3XREFVGS1VGS2VG$3VGS4REF-VssHOME

REF 1 1 2 2 D2 / / I W L W L I  REF 1 1 3 3 D3 / / I W L W L I  REF 1 1 4 4 D4 / / I W L W L I  2 n0 GS0 T0 REF D0 K (V V ) I I   