《材料测试技术及方法》课程教学课件（PPT讲稿）电子显微分析——透射电子显微分析 TEM

ACS Publications .MB in H2O b 506007080 Wavelength(nm) d Nitrogen map Silicon map Characterizations of SiO2-MB NPs.(a)Typical TEM image of the SiO2-MB NPs.(b)Absorption spectrataken from pure MB,SiO2-MB NPs,and pure SiO2 NPs in aqueous solutions.(c)Filtered bright-field TEM image of single NP and the corresponding EELS maps of(d)nitrogen and(e)silicon The scale bar is 20 nm. Published in:Silu Zhang:Zhiqin Chu;Chun Yin:Chunyuan Zhang:Ge Lin;Quan Li;J.Am.Chem.Soc.2013,135,5709-5716. 00t10101a3123015 Chemical Society

Characterizations of SiO2-MB NPs. (a) Typical TEM image of the SiO2-MB NPs. (b) Absorption spectra taken from pure MB, SiO2-MB NPs, and pure SiO2 NPs in aqueous solutions. (c) Filtered bright-field TEM image of single NP and the corresponding EELS maps of (d) nitrogen and (e) silicon. The scale bar is 20 nm. Published in: Silu Zhang; Zhiqin Chu; Chun Yin; Chunyuan Zhang; Ge Lin; Quan Li; J. Am. Chem. Soc. 2013, 135, 5709-5716. DOI: 10.1021/ja3123015 Copyright © 2013 American Chemical Society

ACS Publications High quality High impact. 2100 40 Deionized Water .-pH7.4 PBS .Simulated body fuid 60 e Time (days) g Tme(days) Carrier decomposition of SiO2-MB NPs.Typical TEM images of the SiO2-MB NPs after being immersed in deionized water for(a)1,(b)4,(c)9,and(d)14 days,respectively.The scale bar is 100 nm.ICP-OES result of degraded silicon amount as a function of immersionduration in(e)deionized water at room temperature,(f)PBS(pH 7.4),and(g)simulated body fluid(with 50%FBS)at 37C. Published in:Silu Zhang:Zhigin Chu;Chun Yin;Chunyuan Zhang;Ge Lin;Quan Li;J.Am.Chem.Soc.2013,135,5709-5716. D010.1021/ja3123015 Copyright2013 American Chemical Society

Carrier decomposition of SiO2-MB NPs. Typical TEM images of the SiO2-MB NPs after being immersed in deionized water for (a) 1, (b) 4, (c) 9, and (d) 14 days, respectively. The scale bar is 100 nm. ICP-OES result of degraded silicon amount as a function of immersion duration in (e) deionized water at room temperature, (f) PBS (pH 7.4), and (g) simulated body fluid (with 50% FBS) at 37 °C. Published in: Silu Zhang; Zhiqin Chu; Chun Yin; Chunyuan Zhang; Ge Lin; Quan Li; J. Am. Chem. Soc. 2013, 135, 5709-5716. DOI: 10.1021/ja3123015 Copyright © 2013 American Chemical Society

电子显微镜 光学显微镜 媒体 电灯 放出湖 电子枪 电子束加速 光线里困 电子束 用高压电源 玻璃 透镜 聚光镜了 电子透镜一 置于玻璃 样品 置于火棉 透镜电溷 载片上 胶膜上 (空气中) (真空中) 玻璃透镜 物词 电子透镜 透镜电源 分辨率： 空气中画路 真空中 ■人眼： 0.2 玻璃透镜投影镜 电子透镜 (目镜) mm 直接观 电子束打在荧光屏 透镜电源 上变换成肉眼 ■ 光学显微镜： 可见的光学像 照相底片 照相底片 直空泵 0.2m (空气中) 记灵 (真空中)】 电子显微镜： 图3-1光学显微镜与透射电镜结构比较示意图 0.1nm

3 分辨率： ◼ 人眼：0.2 mm ◼ 光学显微镜： 0.2 μm ◼ 电子显微镜： 0.1 nm

第三章电子显微分析之一 透射电子显微分析 第一节工作原理及构造* 第二节样品制备 第三节基本成像操作及相衬度* 第五节典型应用*及其他功能简介

4 第三章 电子显微分析 之一 透射电子显微分析 第一节 工作原理及构造* 第二节 样品制备 第三节 基本成像操作及相衬度* 第五节典型应用*及其他功能简介

X射线衍射仪 电子探针仪 扫描电镜 X射线 二次电子 韧致辐射 入射电子 背散射电子 阴极荧光 吸收电子 俄歇电子 试样 透射电子 衍射电子 俄歇电镜 透射电子显微镜 电子衍射仪 5

5 2) 电子显微分析技术 X射线衍射仪 电子探针仪 扫描电镜 X 射 线 二次电子 韧致辐射 入射电子 背散射电子 阴极荧光 吸收电子 俄歇电子 试 样 透射电子 衍射电子 俄歇电镜 透射电子显微镜 电子衍射仪 图0-1 电子与物质相互作用产生的信息及相应仪器

电子显微分析方法的种类 透射电子显微镜(TE① Transmission electron microscopy 扫描电子显微镜(SEM) Scanning electron microscope 电子探针X射线显微分析仪(EPA或 EPMA) 电子激发俄歇电子能谱(XAES或AES)

6 电子显微分析方法的种类  透射电子显微镜(TEM)  Transmission electron microscopy  扫描电子显微镜(SEM)  Scanning electron microscope  电子探针X射线显微分析仪 (EPA或 EPMA)  电子激发俄歇电子能谱(XAES或AES)

透射电子显微镜(TEM①的形式 高分辨电镜(HRTEM) 透射扫描电镜(STEM) 分析型电镜（AEM)等等。 入射电子束（照明束）也有两种主要形式： 平行束：透射电镜成像及衍射 会聚束：扫描透射电镜成像、微分析及微 衍射

7 高分辨电镜（HRTEM） 透射扫描电镜（STEM） 分析型电镜（AEM）等等。 ◼ 入射电子束（照明束）也有两种主要形式： 平行束：透射电镜成像及衍射 会聚束：扫描透射电镜成像、微分析及微 衍射。 透射电子显微镜(TEM) 的形式

Basic features of A Modern TEM 电子枪 试样架 EDS探测器 镜简 扫描像观察装置 观察室 操作面板 照相室 扫描像照相机 EELS探测器 8

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剖面示意图 一高压电线 2一电子枪 赋明系线 2一园极 ☒区 一束流偏转线囿 ☒ 5元统>翼光镜 浅 学材料科学 夕县电篮缩转线圈 9一物流光侧 10一尚镜消像收战面图 ☒☒ 与 11一物镜 成像系镜 12一选区光阑 13一第一中间镜 14一第二中间镜 1仔一第三中问镜 16一高分辨行射室 17一光学品微德 18一观家窗 19-荧光屏 现据与记 录系 20一发片盒 21一收片盒 22一解相室 22

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电子枪室 15t/s SIP 电子枪 加速管 加速管 中间室 20v/s SIP 阀门1 40 测角仪 物镜光阑 样品室 样品台→ 50U3 SIP 物镜 选区光阑→口 ■ 中间镜 投影镜 阀门2 双目光学显微镜→ 0 观察室 观察窗口 小荧光屏 大荧光屏 照相室 照相室 420/ DP (a) (b) 图9.4JEM-2010型透射电子显微镜镜筒结构剖面图(a)与真空系统配置图(b) 10

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