《传感器与检测技术》课程教学课件(PPT讲稿)基于研究项目——汽车霍尔电子点火器研究

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霍尔传感器电机 电机霍尔 电机霍尔
霍尔传感器电机 电机霍尔 电机霍尔

1.霍尔传感器实物图 2恒171B0m 霍尔转速传感器 霍尔电流传感器 霍尔电流变送器 电机霍尔开关A3144 霍尔接近开关 NPN PNP型 霍尔传感器 www.hi1718.com 霍尔效应传感器
1. 霍尔传感器实物图 霍尔转速传感器 霍尔电流传感器 霍尔电流变送器 霍尔效应传感器 霍尔接近开关 NPN PNP型 霍尔传感器 电机霍尔开关A3144

2霍尔传感器工作原理 2.1工作原理 ●半导体薄片置于磁场中,当它的电流方 向与磁场方向不一致时,半导体薄片上 平行于电流和磁场方向的两个面之间产 生电动势,这种现象称:霍尔效应。 产生的电动势称:霍尔电势 此半导体薄片称:霍尔元件 返同 上一页 下一页
2 霍尔传感器工作原理 2.1 工作原理 半导体薄片置于磁场中,当它的电流方 向与磁场方向不一致时,半导体薄片上 平行于电流和磁场方向的两个面之间产 生电动势,这种现象称:霍尔效应。 产生的电动势称:霍尔电势 此半导体薄片称:霍尔元件 返 回 上一页 下一页

霍尔效应原理及霍尔电场建立 B 图91霍尔效应原理图 IB UH =RH d 返回 上一页 下一页
霍尔效应原理及霍尔电场建立 d IB UH RH = 返 回 上一页 下一页 + + + + + + + + B M gC r2 O4 - Ti O2 湿 敏 I FE L UH l d υ 图 9-1 霍尔效应原理图 FL

载流子受洛仑兹力 F=eUB 霍尔电场强度 EH U以 b 平衡状态 =evB 因为 I=nbdve 电子运动平均速度 bdne 返同 上一页 下一页
F = eB b U E H H = eEH = evB 载流子受洛仑兹力 霍尔电场强度 平衡状态 EH = vB bdne I 电子运动平均速度 v = 返 回 上一页 下一页 因为 I = nbdve

霍尔电势 1 IB UH ne d
d IB ne UH = 1 霍尔电势

霍尔常数 ne 霍尔常数大小取决于导体的载流子密度: 金属的自由电子密度太大,因而霍尔常数小,霍尔电势也小, 所以金属材料不宜制作霍尔元件。 霍尔电势与导体厚度d成反比: 为了提高霍尔电势值,霍尔元件制成薄片形状。 UH =KH BI KH- Rn_ 霍尔元件灵敏度(灵敏系数) d ned 由于半导体中电子迁移率(电子定向运动平均速度)比空穴迁 移室高,因此N型半导体较适合于制造灵敏度高的霍尔元件 返回 上一页 下一页
霍尔常数 ne RH 1 = 霍尔常数大小取决于导体的载流子密度: 金属的自由电子密度太大,因而霍尔常数小,霍尔电势也小, 所以金属材料不宜制作霍尔元件。 霍尔电势与导体厚度d 成反比: 为了提高霍尔电势值, 霍尔元件制成薄片形状。 U K BI H = H d ned R K H H 1 = = 霍尔元件灵敏度(灵敏系数) 由于半导体中电子迁移率(电子定向运动平均速度)比空穴迁 移率高,因此N 型半导体较适合于制造灵敏度高的霍尔元件. 返 回 上一页 下一页

2.2霍尔元件的结构和基本电 路 (c)霍尔电极位置 (a)外形结构示意图 (b)图形符号 (d)基本测量电路 1-1电流控制端,2-2霍尔电势输出端 霍尔元件 返回 上一页 下一页
2.2 霍尔元件的结构和基本电 路 1-1’电流控制端, 2-2’霍尔电势输出端 霍尔元件 返 回 上一页 下一页

图(a)中,从矩形薄片半导体基片上的两个 相互垂直方向侧面上,引出一对电极,其中1 1电极用于加控制电流,称控制电极。另一对 2-2电极用于引出霍尔电势,称霍尔电势输出 极。在基片外面用金属或陶瓷、环氧树脂等封 装作为外壳。 0 图(b)是霍尔元件通用的图形符号。 图(c)所示,霍尔电极在基片上的位置及它 的宽度对霍尔电势数值影响很大。通常霍尔电 极位于基片长度的中间,其宽度远小于基片的 长度。 。图(d)是基本测量电路
⚫ 图(a)中,从矩形薄片半导体基片上的两个 相互垂直方向侧面上,引出一对电极,其中1- 1电极用于加控制电流,称控制电极。另一对 2-2电极用于引出霍尔电势,称霍尔电势输出 极。在基片外面用金属或陶瓷、环氧树脂等封 装作为外壳。 ⚫ 图(b)是霍尔元件通用的图形符号。 ⚫ 图(c)所示,霍尔电极在基片上的位置及它 的宽度对霍尔电势数值影响很大。通常霍尔电 极位于基片长度的中间,其宽度远小于基片的 长度。 ⚫ 图(d)是基本测量电路
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