清华数字：《数字电子技术基础》课程教学资源（PPT课件讲稿，第五版）第十章 脉冲波形的产生和整形

《数字电子技术基础》第五版 《数字电子技术基础》(第五版)教学课件 清华大学 阎石王红 联系地址:清华大学自动化系 邮政编码:100084 子信箱:wang_hong@tsinghua.edu.cn 系电话:(01062792973 大

《数字电子技术基础》第五版 《数字电子技术基础》（第五版）教学课件 清华大学 阎石 王红 联系地址：清华大学 自动化系 邮政编码：100084 电子信箱：wang_hong@tsinghua.edu.cn 联系电话：(010)62792973

《数字电子技术基础》第五版 第十章 脉冲波形的产生和整形 大

《数字电子技术基础》第五版 第十章 脉冲波形的产生和整形

《数字电子技术基础》第五版 101概述 、获取矩形脉冲的方法 1.脉冲波形发生电路 2.脉冲波形整形电路 描述矩形脉冲特性的主要参数 0.9Vm- 0.5Vm 0.1Vm T T 大

《数字电子技术基础》第五版 10.1 概述 一、获取矩形脉冲的方法 1. 脉冲波形发生电路 2. 脉冲波形整形电路 二、描述矩形脉冲特性的主要参数

《数字电子技术基础》第五版 10.2施密特触发器(常用的一类脉冲整形电路) 1021用门电路组成的施密特触发器 OH DD o=0,V OL TH DD ,且R<R 2 R R O1 A G 2 大

《数字电子技术基础》第五版 10.2 施密特触发器（常用的一类脉冲整形电路） 10.2.1 用门电路组成的施密特触发器 1 2 2 1 VOH =VD D，VOL = 0，VTH = VD D，且R  R

《数字电子技术基础》第五版 R wD>"心 *当V=O时, 0。 *当v1,至V=Vm时,进入传输特性的放大区,故 V1↑→>V→>V 个 使电路迅速跳变到Vo=Vo R VI=YTHR+R2 R Vr+=(1+x)n R 大

《数字电子技术基础》第五版 → →    =  = = I O O I I TH I O V V V V V V V V 1 0 0 ' ' 当 ,至 时，进入传输特性的放大区，故 当 时， 。 使电路迅速跳变到 VO =VOH I T TH I TH I V R R V V V R R R V V ( ) 2 1 1 2 2 = = 1+  +  = = +

《数字电子技术基础》第五版 当V=时, *当V,至V=Vm时,进入传输特性的放大区,故 V→>Vo1↑→V↓ 吏电路迅速跳变到V=Vm R VI=VTH=DD-Vn ER+R R n=(1-)m R 大

《数字电子技术基础》第五版 → →    =  = = I O O I I TH I O V V V V V V V V 1 1 1 ' ' 当 ,至 时，进入传输特性的放大区，故 当 时， 。 使电路迅速跳变到VO =VOL I T TH I TH D D I I V R R V V V R R R V V V V ( ) ( ) 2 1 1 2 1 = = 1−  + +  = = − −

《数字电子技术基础》第五版 R R R TH V=y I T+ (1+)7n TH R R 三VT =(1-) TH TH 大

《数字电子技术基础》第五版 I T VTH R R V V ( ) 2 1 = + = 1+ I T VTH R R V V ( ) 2 1 = − = 1−

《数字电子技术基础》第五版 10.22集成施密特触发器 双极型TCV=0时,T截止,T饱和导通,V=V 1. R 4 R R E2≈(cC-cEs2 R+R 2k2231.4 kQ2 2|83当v↑,至V=V2+0.7时,T导通,并引起 V↑个→i↑→r1→i2y BI BEI<VE K R 4809 迅速转为T导通,T截止→V=Vn R ≈1.9 VE2→VE1(ecEs1R2+R4 大学三

《数字电子技术基础》第五版 10.2.2 集成施密特触发器 一、双极型IC 1. 3 4 4 2 2 0 1 2 R R R V V V V T T V V E CC CES I O OL +  −  =  =  ( ) 时， 截止， 饱和导通，    → → →     = + BE E I C C C I I E V V V i V i V V V V T 1 1 1 2 2 1 当 ，至 0.7 时， 导通，并引起 T T VO VOH 迅速转为 导通， 截止  =  1 2 2 4 4 2 1 1 R R R VE VE Vcc VCES + →  ( − ) VOL  1.9V

《数字电子技术基础》第五版 2684“=时,饱和,截止,=m N(v人R1 R+R nc\\ic\ C2 BI 当V,至=VE1+0.7时,T脱离饱和,并引起 T Vi V=1C1 C ↑→i2个 BEL VA R4 4809 ∴迅速转为T截止,T导通→V=V V.=V,+07 R E → E2 CES 2 r+r EI CES R+r 1+0.7V 大学三

《数字电子技术基础》第五版 2 4 4 1 1 1 1 2 R R R V V V V T T V V E CC CES I O OH +  −  =  =  ( ) 时， 饱和， 截止，    → → →     = + BE E I C C C I I E V V V i V i V V V V T 1 1 1 2 1 1 当 ，至 0.7 时， 脱离饱和，并引起 T T VO VOL 迅速转为 截止， 导通  =  1 2 3 4 4 1 2 2 R R R VE VE Vcc VCES + →  ( − ) VT+ =VE2 + 0.7V VT+ =VE1 + 0.7V 2 4 4 1 1 R R R VE Vcc VCES +  ( − )

《数字电子技术基础》第五版 2.器件实例7413 二极管与门 施密特电路平偏移|输出电路 R 4k予2kg514k9 Rs R e 130g T T B U 平 B DDDD T T 图形符号 D 之R 本本本本 480李R 附加部分: 输入加“与门” 输出加推拉式输出级“反相” OL 电压值较高,加入电平偏移部分 00.51.01.52.0v/V ⅵ大学

《数字电子技术基础 》第五版 2. 器件实例 74 13 电压值较高，加入电平偏移部分 输出加推拉式输出级“反相” 输入加“与门” 附加部分： VO L