清华数字：《数字电子技术基础》课程教学资源（PPT课件讲稿，第五版）第三章 补：半导体基础知识

《数字电子技术基础》第五版 《数字电子技术基础》(第五版)教学课件 清华大学 阎石王红 联系地址:清华大学自动化系 邮政编码:10004 联系電兽 wanghong@tsinghua.edu.cn :(010)62792973 大

《数字电子技术基础》第五版 《数字电子技术基础》（第五版）教学课件 清华大学 阎石 王红 联系地址：清华大学 自动化系 邮政编码：100084 电子信箱：wang_hong@tsinghua.edu.cn 联系电话：(010)62792973

《数字电子技术基础》第五版 补:半导体基础知识 大

《数字电子技术基础》第五版 补：半导体基础知识

《数字电子技术基础》第五版 半导体基础知识(1) 两种载流子 ·本征半导体:纯净的具有晶体结构的半导体 ·常用:硅Si,锗Ge 共价键 }自由 空穴 电子 +4 4 +4 +4 大

《数字电子技术基础》第五版 半导体基础知识（1） • 本征半导体：纯净的具有晶体结构的半导体。 • 常用：硅Si，锗Ge 两种载流子

《数字电子技术基础》第五版 半导体基础知识(2) 杂质半导体 N型半导体 ·)自由 电子 多子:自由电子 少子:空穴 +4 +4 施主 原子 +4 +4 大

《数字电子技术基础》第五版 半导体基础知识（2） • 杂质半导体 • N型半导体 多子：自由电子 少子：空穴

《数字电子技术基础》第五版 半导体基础知识(2) 空穴 杂质半导体 +4 P型半导体 空位 多子:空穴」 4)一 +3 +4 少子:自由电子 受主 原子 +4 (+4 +4 大

《数字电子技术基础》第五版 半导体基础知识（2） • 杂质半导体 • P型半导体 多子：空穴 少子：自由电子

《数字电子技术基础》第五版 半导体基础知识(3) 空穴负离子正离子自由电子 ⅨN结的形成 0OOo0olO P区 N区 空间电荷区 空间电荷区 (耗尽层) O○|O⊕④ ·扩散和漂移 P区 N区 大

《数字电子技术基础》第五版 半导体基础知识（3） • PN结的形成 • 空间电荷区 （耗尽层） • 扩散和漂移

《数字电子技术基础》第五版 半导体基础知识(4) 耗尽层 P区 N区 PN结的单向导电ooo|e@°a,⊙ 性 Q○○④e④ 外加正向电压 i内电场 外电场 R 大

《数字电子技术基础》第五版 半导体基础知识（4） • PN结的单向导电 性 • 外加正向电压

《数字电子技术基础》第五版 半导体基础知识(4) P区 耗尽层—!N区 ·N结的单向导电ooe@@ 性 外加反向电压 内电场 外电场 R 大

《数字电子技术基础》第五版 半导体基础知识（4） • PN结的单向导电 性 • 外加反向电压

《数字电子技术基础》第五版 半导体基础知识(5) PN结的伏安特性 正向导通区 反向截止区 =1en-) VT q BR) K波耳兹曼常数」 下热力学温度 q电子电荷 反向击穿区 大

《数字电子技术基础》第五版 半导体基础知识（5） • PN结的伏安特性 正向导通区 反向截止区 反向击穿区 q V nkT i I e T V V S T = = ( −1) K:波耳兹曼常数 T:热力学温度 q: 电子电荷

《数字电子技术基础》第五版 第三章门电路 大

《数字电子技术基础》第五版 第三章 门电路