清华数字：《数字电子技术基础》课程教学资源（PPT课件讲稿，第五版）第七章 半导体存储器

《数字电子技术基础》第五版 《数字电子技术基础》(第五版)教学课件 清华大学 阎石王红 联系地址:清华大学自动化系 邮政编码:100084 子信箱:wang_hong@tsinghua.edu.cn 系电话:(01062792973 大

《数字电子技术基础》第五版 《数字电子技术基础》（第五版）教学课件 清华大学 阎石 王红 联系地址：清华大学 自动化系 邮政编码：100084 电子信箱：wang_hong@tsinghua.edu.cn 联系电话：(010)62792973

《数字电子技术基础》第五版 第七章半导体存储器 大

《数字电子技术基础》第五版 第七章 半导体存储器

《数字电子技术基础》第五版 第七章半导体存储器 7.1概述 !单元数庞大 能存储大量二值信息的器件!输人腧綸出引脚数目有限 一般结构形式 输 地址输入 地址译码器 入 存储矩阵 出电路 VO 输入/出 控制 大

《数字电子技术基础》第五版 第七章 半导体存储器 7.1 概述 能存储大量二值信息的器件 一、一般结构形式 输 入/ 出 电 路 I/O 输入/出 控制 ！单元数庞大 ！输入/输出引脚数目有限

《数字电子技术基础》第五版 二、分类 1、从存/取功能分: ①只读存储器 掩模ROM Read-ony- Memory)可编程ROM 可擦除的可编程 EPROM ②随机读/写 静态RAM ( Random- Access-Memory)动态RM 2、从工艺分: ①双极型 ②MOs型 大

《数字电子技术基础》第五版 二、分类 1、从存/取功能分： ①只读存储器 (Read-Only-Memory） ②随机读/写 （Random-Access-Memory） 2、从工艺分： ①双极型 ②MOS型 EPROM ROM ROM 可擦除的可编程 可编程 掩模 RAM RAM 动态 静态

《数字电子技术基础》第五版 7.2 ROM 7.2.1掩模ROM 结构 地 址 地 址 输□丬译丬存储矩阵 码 输出缓冲器 数据输出 器 态 控制 大

《数字电子技术基础 》第五版 7.2 ROM 7.2.1 掩模ROM 一、结构

《数字电子技术基础》第五版 举例 R A-K 处地 B-K ED- 码 器 Ao 上 输出缓冲器 A 存储矩阵 B— D D 大

《数字电子技术基础 》第五版 二、举例

《数字电子技术基础》第五版 AO-An-1 与”项 DO 地址译码器 与”阵列 或”阵列:输出 I2n. Dm wol W, w2 W3 输出缓冲器 「地址」数据」 A1 Ao D3D2D1Do 存 00o 01 储+W D2 D 100 oo D 0 大

《数字电子技术基础》第五版 地 址 数 据 A1 A0 D3 D2 D1 D0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 A0~An-1 W0 W(2n-1) D0 Dm

《数字电子技术基础》第五版 两个概念: ·存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”,存储单元 中有器件存入“1″,无器件存入“0 W wo w1l w2l Ws 输出缓冲器 H 坐 d2 D3 : DI 存储器的容量:“字数×位数” 大

《数字电子技术基础》第五版 两个概念： • 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元 中有器件存入“1”，无器件存入“0” • 存储器的容量：“字数 x 位数

《数字电子技术基础》第五版 掩模ROM的特点: 出厂时已经固定,不能更改,适合大量生产 简单,便宜,非易失性 Wol WW, 输出缓冲器 处「 D, D D2 W D Do 大

《数字电子技术基础》第五版 掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性

《数字电子技术基础》第五版 7.22可编程ROM(PROM) 总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同 长卡卡长长长长 字 存 线 熔 丝 1储 长长长长卡长 位线 *熔丝由易熔合金制成 *出厂时,每个结点上都有 *编程时将不用的熔断 !!是一次性编程,不能改写 D, D6 Ds D4 D, D, D, Do 大

《数字电子技术基础》第五版 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 ！！ 是一次性编程，不能改写 编程时将不用的熔断 出厂时，每个结点上都有 熔丝由易熔合金制成   