《数字电子技术》课程PPT教学课件（EDA技术与VHDL）第2章 PLD硬件特性与编程技术

K蕨芯科技 EDA技术与VHDL 第2章 PLD硬件特性与编程技术

EDA技术与VHDL 第2章 PLD硬件特性与编程技术 KX 康芯科技

K康花科技 2.1PLD概述 输 输入 与 或 输出 输 入 缓冲 电路 列 缓冲 出 列 电路 图2-1基本PLD器件的原理结构图

KX 康芯科技 2.1 PLD 概述 图2-1 基本PLD器件的原理结构图 输入 缓冲 电路 与 阵 列 或 阵 列 输出 缓冲 电路 输 入 输 . . 出

K康还科技 2.1 PLD 概述 2.1.1PLD的发展历程 20世纪70年代 20世纪70年代末 20世纪80年代初 熔丝编程的 AMD公 PROM和 司推出 GAL器件 PLA器件 PAL器件 20世纪80年代中期 20世纪80年代末 进入20世纪90年代后 内嵌复杂 FPGA器 CPLD器 功能模块 件 件 的SoPC EPLD器 件

KX 康芯科技 2.1.1 PLD的发展历程 熔丝编程的 PROM和 PLA器件 AMD公 司推出 PAL器件 GAL器件 FPGA器 件 EPLD器 件 CPLD器 件 内嵌复杂 功能模块 的SoPC 20世纪70年代 20世纪70年代末 20世纪80年代初 20世纪80年代中期 20世纪80年代末 进入20世纪90年代后 2.1 PLD 概述

K黛芯科技 2.1 PLD 概述 2.1.2PLD的分类 可编程逻辑器件(PLD) 简单PLD 复杂PLD PROM PLA PAL CPLD FPGA 图2-2按集成度(PLD)分类

KX 康芯科技 2.1.2 PLD的分类 可编程逻辑器件（PLD） 简单 PLD 复杂 PLD PROM PLA PAL GAL CPLD FPGA 图2-2 按集成度(PLD)分类 2.1 PLD 概述

K康还科技 2.1PLD概述 2.1.2PLD的分类 从编程工艺上划分： 1.熔丝(Fuse)型器件。 2.反熔丝(Anti-fuse)型器件。 3.EPROM型。称为紫外线擦除电可编程逻辑器件。 4.EEPROM型。 5.SRAM型。 6.Flash型

KX 康芯科技 2.1.2 PLD的分类 1．熔丝(Fuse)型器件。 2．反熔丝(Anti-fuse)型器件 。 3．EPROM型。称为紫外线擦除电可编程逻辑器件。 4．EEPROM型 。 5．SRAM型 。 6．Flash型 。 2.1 PLD 概述 从编程工艺上划分:

K能在科技 2.2低密度PLD可编程原理 2.2.1电路符号表示 非门 与门 或门 异或门 常用符号 A0-A -F 国标符号 =1 逻辑表达式 A=NOT A F=AB F=A+B F=A⊕B 图2-3常用逻辑门符号与现有国标符号的对照

KX 康芯科技 2.2 低密度PLD可编程原理 2.2.1 电路符号表示 图2-3 常用逻辑门符号与现有国标符号的对照

K 康芯科技 2.2.1电路符号表示 F-ABD ABC D 图2-4PLD的互补缓冲器 图2-5PLD的互补输入图2-6PLD中与阵列表示 末连接 固定连接 可编程连接 图2-7PLD中或阵列的表示 图2-8阵列线连接表示

KX 康芯科技 2.2.1 电路符号表示 图2-4 PLD的互补缓冲器 图2-5 PLD的互补输入 图2-6 PLD中与阵列表示 图2-7 PLD中或阵列的表示 图2-8 阵列线连接表示

K能恋科液 2.2低密度PLD可编程原理 2.2.2 PROM A W A 地址 W 存储单元 F 译码器 W,: 阵列 A m-l P=2 图2-9PROM基本结构

KX 康芯科技 2.2.2 PROM 图2-9 PROM基本结构 地址 译码器 存储单元 阵列 . . . A0 A1 An−1 W0 W1 Wp−1 F0 F1 Fm−1 n p = 2 2.2 低密度PLD可编程原理

K康还科技 2.2低密度PLD可编程原理 2.2.2 PROM PROM中的地址译码器是完成PROM存储阵列的行的选择， 其逻辑函数是： W。=An-1.A1A0 W=An-1.AAo W2-1=A-1.AA0

KX 康芯科技 2.2.2 PROM 2 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 0 0 . W A A A W A A A W A A A n n n n =  =  =  − − − − PROM中的地址译码器是完成PROM存储阵列的行的选择， 其逻辑函数是： 2.2 低密度PLD可编程原理

K能在科技 2.2低密度PLD可编程原理 2.2.2 PROM Fo =Mp-1.oWp1++M1.oW+Mo.oWo F=Mp-,Wp1+.+MW+MoW% Fm-1=Mp-m-Wp+MmW+Mo.m-Wo 其中p=2”,而Mp-m-1是存储单元阵列第m-1列p-1行单元的值

KX 康芯科技 2.2.2 PROM 其中 p = 2 n ， 而M p−1,m−1 是存储单元阵列第m −1列p −1行单元的值 2.2 低密度PLD可编程原理 1 1, 1 1 1, 1 1 0, 1 0 1 1,1 1 1,1 1 0,1 0 0 1,0 1 1,0 1 0,0 0 F M W M W M W F M W M W M W F M W M W M W m p m p m m p p p p − − − − − − − − − − = + + + = + + + = + + +    . . . . .