中国地质大学（武汉）：《低频电子线路 Linear Electronic Circuits》课程教学资源（课件讲稿）05 场效应管放大电路

5场效应管放大电路 授课内容 5.1金属-氧化物-半导体 (MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管（JFET) *5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较 HOME NEXT

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路 授课内容

5场效应管放大电路 返 教学目的、要求： 1.了解各场效应管的工作状态 2.掌握结型场效应管组成的基本放大电路的参数计算。 5.理解各种放大器件电路性能比较。 HOME BACK NEXT

教学目的、要求： 1.了解各场效应管的工作状态 2.掌握结型场效应管组成的基本放大电路的参数计算。 5.理解各种放大器件电路性能比较

5场效应管放大电路 返 教学重点： 1.结型场效应管和金属-氧化物-半导体场效应管的 工作原理、特性曲线，参数gm、rs的含义 2.场效应管的低频小信号模型及其动态分析 3.FET放大器和BJT放大器的异同点 HOME BACK NEXT

教学重点： 1.结型场效应管和金属-氧化物-半导体场效应管的 工作原理、特性曲线，参数 gm、rds的含义 2.场效应管的低频小信号模型及其动态分析 3.FET放大器和BJT放大器的异同点

5场效应管放大电路 泳 教学难点： 1.场效应管工作原理的分析 2.场效应管的动态分析 HOME BACK NEXT

教学难点: 1.场效应管工作原理的分析 2.场效应管的动态分析

5.1金属-氧化物-半导体 (MOS)场效应管 5.1.1N沟道增强型MOSFET 5.1.2N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3P沟道OSFET 5.1.4沟道长度调制效应 5.1.5 MOSFET的主要参数 HOME BACK NEXT

5.1 金属-氧化物-半导体 （MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应

场效应管的分类： N沟道 增强型 MOSFET P沟道 (IGFET) N沟道 FET 绝缘栅型 耗尽型 场效应管 P的道 JFET N沟道 (耗尽型) 结型 P沟道 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 HOME BACK NEXT

P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 场效应管的分类：

5.1.1N沟道增强型OSFET 1.结构(N沟道) L:沟道长度 W:沟道宽度 t:绝缘层厚度 通常W>L 绝缘体 沟道 栅极g 二氧化硅绝缘层 (SiO2) 铝电极 (A1) P型衬底 源极s 漏极d 人- HOME BACK NEXT

5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构（N沟道） L ：沟道长度 W ：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度 通常 W > L

5.1.1N沟道增强型MOSFET 1.结构(N沟道) 源极s 栅极g 漏极d 铝 SiO,绝缘层 铝 铝 衬底 耗尽层 P型硅衬底 B B衬底引线 剖面图 符号 HOME BACK NEXT

5.1.1 N沟道增强型MOSFET 剖面图 1. 结构（N沟道） 符号

5.1.1N沟道增强型OSFET 2.工作原理 D=0 铝 (1)⑦cs对沟道的控制作用 二氧化硅、 当vs≤0时 无导电沟道，d、s间加电压时，也 无电流产生。 耗尽层 当0时 在电场作用下产生导电沟道，d、s间加 电压后，将有电流产生。 N ℃s越大，导电沟道越厚 耗尽层N型（感生）沟道 P ?称为开启电压 B衬底引线 HOME BACK NEXT

5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 （1）vGS对沟道的控制作用 当vGS≤0时 无导电沟道， d、s间加电压时，也 无电流产生。 当0VT 时 在电场作用下产生导电沟道，d、s间加 电压后，将有电流产生。 vGS越大，导电沟道越厚 VT 称为开启电压

2.工作原理 VDD (2)VDs对沟道的控制作用 当vs一定(s>)时， s个→)个→沟道电位梯度个 g 万迅速增大 →靠近漏极d处的电位升高 →电场强度减小→沟道变薄 N N 整个沟道呈楔形分布 N型（感生）沟道 P 。B衬底引线 HOME BACK NEXT

2. 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用 靠近漏极d处的电位升高 电场强度减小 沟道变薄 当vGS一定（vGS >VT ）时， vDSID 沟道电位梯度 整个沟道呈楔形分布