上海交通大学：《大学物理教程》课程电子教案（课件讲稿）专题选读4 磁泡

专题选读9磁泡

专题选读9 磁 泡

磁泡 磁泡即磁畴，用其可制造较大容量的存储器。 一、磁泡的形成 用钇铁石榴石制作磁性薄膜，使其易磁化方向垂直 于膜面。 由于垂直方向发生自发磁化，磁畴分布呈迷宫状

磁泡即磁畴，用其可制造较大容量的存储器。 一、磁泡的形成 用钇铁石榴石制作磁性薄膜，使其易磁化方向垂直 于膜面。 由于垂直方向发生自发磁化，磁畴分布呈迷宫状。 磁 泡

磁性薄膜上的磁畴照片 亮处为“明畴”，其磁化矢量方向垂直膜面向 下，而“暗畴”则相反

磁性薄膜上的磁畴照片 亮处为 “明畴 ”，其磁化矢量方向垂直膜面向 下，而 “暗畴 ”则相反

垂直于膜面向下加外磁场H。（偏磁场)，随H,逐 渐增加，“明畴面积增大，“暗畴”面积减小，直至 出现圆柱状磁畴（小圆点) 磁泡。 如再增加H,达到某一定值，磁泡破灭，膜片达到 饱和磁化

垂直于膜面向下加外磁场 （偏磁场），随 逐 渐增加， “明畴 ”面积增大， “暗畴 ”面积减小，直至 出现圆柱状磁畴（小圆点）——磁泡。 HB HB 如再增加 ，达到某一定值，磁泡破灭，膜片达到 饱和磁化。 HB

二、磁泡的畴壁结构 1.布洛赫壁 将某个磁泡放大，则畴壁可看作是一个平面畴壁。 在畴壁上方(y>0),磁化方向指向z轴负方向。 在畴壁下方(y<0),磁化方向指向z轴正方向。 y 8 M(磁化强度) 畴壁 M

二、磁泡的畴壁结构 将某个磁泡放大，则畴壁可看作是一个平面畴壁。 在畴壁上方（ y> 0 ），磁化方向指向 z 轴负方向。 在畴壁下方（ y<0 ），磁化方向指向 z 轴正方向。 1. 布洛赫壁

研究表明，在y=0处磁化矢量方向逐渐变化

研究表明，在 y=0 处磁化矢量方向逐渐变化

存在两种过渡方式： M M M M 右旋Bloch壁 左旋Bloch壁

存在两种过渡方式： 右旋 Bloch 壁 左旋 Bloch 壁

对应圆柱状的磁泡畴壁也有两种模式。 M M M⊙ ⑧M 左旋Bloch壁 右旋Bloch壁

对应圆柱状的磁泡畴壁也有两种模式。 左旋 Bloch 壁 右旋 Bloch 壁

2.布洛赫线 研究表明，畴壁中可能同时存在两种旋转方式。 两种方式的交接处有一条垂直于膜面的线 布洛赫线（Bloch line)。 布洛赫线有四种过渡形式 M ⑧M ▣M OM M☒ M⑧ M M

研究表明，畴壁中可能同时存在两种旋转方式。 两种方式的交接处有一条垂直于膜面的线—— 布洛赫线（ Bloch line）。 布洛赫线有四种过渡形式 2. 布洛赫线

三、磁泡存储器与布拉赫线存储器 1.磁泡存储器 利用磁泡的有与无，可作为二进制数码的“0” 和“1”。 磁泡具有产生、传输、检测、复制和擦除等功 能，可用作存储器

三、磁泡存储器与布拉赫线存储器 1. 磁泡存储器 利用磁泡的有与无，可作为二进制数码的“0” 和“1” 。 磁泡具有产生、传输、检测、复制和擦除等功 能，可用作存储器