《电力电子技术》课程实验指导(参考资料)Classification

Semiconductor Switching Devices Classifications:Summary 1. Uncontrolled turn on and off (e.g.diode) 2. Controlled turn on,uncontrolled turn off(e.g.SCR) 3. Controlled turn on and off(e.g.BJT,MOSFET,GTO, SITH,IGBT,SIT,MCT) 4. Continuous gate signal requirement(BJT,MOSFET, IGBT,SIT) 5. Pulse gate signal requirement(e.g.SCR,GTO,MCT) 6. Bipolar voltage blocking capability (e.g.SCR,GTO) 7 Unipolar voltage blocking capability (e.g.BJT, MOSFET,IGBT,MCT) 8. Bidirectional current capability (TRIAC,RCT) 9. Unidirectional current capability(SCR,GTO,BJT, MOSFET,MCT,IGBT,SITH,SIT,diode) RCT-Reverse Conducting Thyristor SIT-Static Induction Transistor SITH-Static Induction Thyristor IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor MCT-Mosfet Controlled Thyristor GTO-Gate turn-off Thyristor
Semiconductor Switching Devices Classifications: Summary 1. Uncontrolled turn on and off (e.g. diode) 2. Controlled turn on, uncontrolled turn off (e.g. SCR) 3. Controlled turn on and off (e.g. BJT, MOSFET, GTO, SITH, IGBT, SIT, MCT) 4. Continuous gate signal requirement (BJT, MOSFET, IGBT, SIT) 5. Pulse gate signal requirement (e.g. SCR, GTO, MCT) 6. Bipolar voltage blocking capability (e.g. SCR, GTO) 7. Unipolar voltage blocking capability (e.g. BJT, MOSFET, IGBT, MCT) 8. Bidirectional current capability (TRIAC, RCT) 9. Unidirectional current capability (SCR, GTO, BJT, MOSFET, MCT, IGBT, SITH, SIT, diode) RCT – Reverse Conducting Thyristor SIT – Static Induction Transistor SITH – Static Induction Thyristor IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor MCT – Mosfet Controlled Thyristor GTO – Gate turn-off Thyristor
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