湖南工学院：21世纪高等学校计算机规划教材《单片机原理与技术》课程PPT教学课件_第2章 存储器

21世纪高等学校计算机规划教材 21st Century University Planned Textbook of Computer Science 第2章存储器 名家系列 爹人民邮电出版社 POSTS TELECOM PRESS

第2章 存储器

2.1 存储景 2280c51中的存储器组织的特点 2.3 程序存储器 2.4 数据存储器 人民邮电出版社 POSIS TELECOM PRESS 名家系列

2.1 存储器 2.2 80C51中的存储器组织的特点 2.3 程序存储器 2.4 数据存储器

21存储器 2.1.1读写存储器(RAM) 1.SR基本存储电路 人民邮电出版社 POSIS TELECOM PRESS 名家系列

2.1 存 储 器 • 2.1.1 读写存储器（RAM） 1．SRAM基本存储电路

图2-1SRAM基本存储电路 X地址 9cc(+5V) 译码线 A VT3 VT4 VT4 VT B VT6 VTI D (IO)接Y地址译码器 人民邮电出版社 POSIS TELECOM PRESS 名家系列

图2-1 SRAM基本存储电路

2.DRAM基本存储电路 字选线 数据线 〓C C1 图2-2DRAM的单管存储电路 人民邮电出版社 POSIS TELECOM PRESS 名家系列

2．DRAM基本存储电路 图2-2 DRAM的单管存储电路

为了节省面积,电容不可能做得很大,一般 比数据线上的今布电容CD小,因此每次 读出后,存储内容就被破坏,要保存原先 的信息必须采取恢复措施(重新写入) 而且,存储信息的电容上的电荷会泄漏, 故需要定时再生。统称为刷新。 这是DRAM与SRAM的最大不同 51单片机采用SRAM作数据存储器。 人民邮电出版社 POSIS TELECOM PRESS 名家系列

为了节省面积,电容不可能做得很大,一般 比数据线上的今布电容CD小,因此,每次 读出后,存储内容就被破坏,要保存原先 的信息必须采取恢复措施(重新写入)。 而且,存储信息的电容上的电荷会泄漏, 故需要定时再生。统称为刷新。 这是DRAM与SRAM的最大不同。 51单片机采用SRAM作数据存储器

2.1.2只读存储器(ROM) 1.掩膜只读存储器 人民邮电出版社 POSIS TELECOM PRESS 名家系列

2.1.2 只读存储器（ROM） 1．掩膜只读存储器

图2-3掩膜ROM举例 字线1 字线2 字地址译码器 字线3 字线4 位 位 位 线 线 D4 D3 人民邮电出版社 POSIS TELECOM PRESS 名家系列

图2-3 掩膜ROM举例

表2-1 RoM的内容 位 字 位1 位2 3 位4 字1 (0) 字2 0 (1) (0) (1) 0 字3 0 (0) (1) (0) 字 0 (1) (1) (1) (1) 人民邮电出版社 POSIS TELECOM PRESS 名家系列

位 字 位1 位2 位3 位4 字1 0 （1） 1 （0） 1 （0） 0 （1） 字2 0 （1） 1 （0） 0 （1） 1 （0） 字3 1 （0） 0 （1） 1 （0） 0 （1） 字4 0 （1） 0 （1） 0 （1） 0 （1） 表2-1 ROM的内容

2.可擦除的可编程序的只读存储器(EPRM 人民邮电出版社 POSIS TELECOM PRESS 名家系列

2．可擦除的可编程序的只读存储器（EPROM）