《电子电路基础》第四章 晶体管及其小信号放大——双极型晶体管（BJT）§ 1.2 BJT的电流分配与放大原理 § 1.2 晶体管的共射极特性曲线 § 1.3 晶体管的主要参数 § 1.4 晶体管的温度特性 § 1.5 半导体晶体管的型号

第四章 晶体管及其小信号放大(1) 电子电路基础

1 第四章 晶体管及其小信号放大(1) 电子电路基础

§1双极型晶体管(BJT) §11基本结构 NPN型 C集电极集电极CPNP型 集电结 B B 基极 基极 P 发射结 E 发射极 发射极

2 §1 双极型晶体管（BJT） § 1.1 基本结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 发射结 集电结

制造工艺上的特点 集电区: C°集电极 面积较大 基区:较薄 B P 掺杂浓度低 基极 发射区:掺 杂浓度较高 发射极

3 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄， 掺杂浓度低 集电区： 面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 制造工艺上的特点

NPN型 PNP型 电路 符号 b+两种类型的三极管b

4 电路 符号 两种类型的三极管

§12鹛的电流分配与放大原理 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下,通 过载流子传输体现出来的。 (1)工作在放大状态的外部条件 发射结正偏,集电结反偏。 (2)三种组态 共发射极接法、共集电极接法、共基极接法 lE b CE CB CC 5

5 § 1.2 BJT的电流分配与放大原理 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通 过载流子传输体现出来的。 （1）工作在放大状态的外部条件： 发射结正偏，集电结反偏。 （2）三种组态 共发射极接法、共集电极接法、共基极接法

B1内部载流子的传输过程(以NPN为例) N P N EP ⊥EN CBO 个 空穴·电子电流方向 心(发射区:发射载流子集电区:收集载流子 基区:传送和控制载流子

6 1 内部载流子的传输过程 （以NPN为例 ） 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子

2电流分配关系式 少(1) E EN EP 且有 EN EP EN=lN+B且有1>BN,IN>B BN (2) cC n ICBO (3) IB=EP+ IBN CBO (4)IE=EP+IENIEP+IN+IBN =(l +IcBO )+BN+IEPI CBO (5) IF=IC+I

7 （1）IE= IEN+ IEP 且有IEN>>IEP IEN=ICN+ IBN 且有IEN>> IBN ，ICN>>IBN （2）IC=ICN+ ICBO （3）IB=IEP+ IBN－ICBO （4）IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN =(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ICBO) （5）IE =IC+IB 2 电流分配关系式

3板管的电流放大系数 (1)共基极电流放大系数、a C E 共基极直流电流放大系数 IC=ICN+Icbo=a lE+Icbo=a(c+lB+IcBo B+CBo 1-c1-c △l △f 共基极交流电流放大系数 在放大区的相当大的范围内C=C C只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外 加电压无关。一般a=0.9~099

8 3 三极管的电流放大系数 CN E  = I / I    − + − = 1 1 B CBO C I I I IC=ICN+ICBO=  IE+ICBO= (  IC+IB)+ICBO (1) 共基极电流放大系数 、 只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外 加电压无关。一般 = 0.90.99 在放大区的相当大的范围内   E C I I    = － 共基极交流电流放大系数  =   － 共基极直流电流放大系数

(2)共射极直流电流放大系数B、B 定义:B=1C/B=(N+1cBo)/B B=C=0B+-CB0 C C 共射极直流电流放大系数 B= △ 共射极交流电流放大系数 在放大区的相当大的范围内B=B 因a≈1,所以序>1

9  B B CBO B C 1 ) 1 1 ( I I I I I     − + − = = B B 1 ) 1 ( I I   −    − = 1 因  ≈1, 所以 >>1 定义: =IC /IB=(ICN+ ICBO )/IB (2) 共射极直流电流放大系数 、   － 共射极直流电流放大系数  E C I I    = － 共射极交流电流放大系数 在放大区的相当大的范围内  = 

C clt lo B B E EE NPN型三极管 PNP型三极管

10 B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管