安徽科技学院:《光电探测与信号处理》课程教学资源(课件讲稿)第四章 像探测器(打印版)
一、光电图像传感器发展历史 光电图像传感器的发展历史悠久,种类很多。 ,1934年:研制出光电摄像管(Iconoscope)。 用于室内外的广播电 视摄像。灵敏度很低,信 噪比很低,需要高于 10000k的照度才能获得 较为清晰的图像,应用受 到限制。 Vladimir Kos sma Zworykin Philo Taylor Farnsworth 1906-1971 (第一台实用的电视摄像机)电子图像分解摄像
947年:超正析像管(Imaige Orthicon) 灵敏度有所提高,但是最低照度仍要求在200Ox以上。 1954年:高灵敏视像管(Vidicon) 基本具有了成本低,体积小,结构简单的特点, 使广播电视事业和工业电视事业有了更大的发展。 1965年:氧化铅视像管(Plumbicon) 取代超正析像管,发展了彩色电视摄像机。 诞生1英寸,1/2英寸,1/3英寸(8mm)靶面的彩色摄像机。 抗强光的能力低,余辉效应影响了采样速率。 1976年:硒靶管(Saticon)和硅靶管(Siticon) 灵敏度更高,成本更低
1970年:美国贝尔电话实验室发现的电荷耦合器件(CCD)的原理使图像 传感器的发展进入了一个全新的阶段,使图像传感器从真空电子束扫描 方式发展成为固体自扫描输出方式。 ·具有固体器件的所有优点 ,自扫描输出方式消除了电子束扫描造 成的图像光电转换的非线性失真,即 CCD图像传感器的输出信号能够不失真 地将光学图像转换成视频电视图像 >体积、重量、功耗和制造成本是电子 束摄像管无法达到的 ,CCD图像传感器的诞生和发展使人们 进入了更为广泛应用图像传感器的新时代
2009年诺贝尔奖物理学奖得主 obelpriset ifysik 200 贝尔实验室George Smith和illard Boyle将可视电话和半导体存储技 术结合发明了CCD原型 牌伊尔&史密斯一发明CCD图像传 现代CCD芯片外观
二、光电成像器件的类型 外光电:光电发射式摄像管 光电型 光电导式摄像管 真空电子束扫描 内光电 pn结型 光电成像器件 扫描型 热电型:热释电摄像管 固体自扫描:CCD,CMOS,CID 红外变像管 变像管(完 选通式变像管 (成像原理) 成图像光谱 紫外变像管 变换) X射线变像管 主要由像敏 扫描型 联武 面、电子透 像增强管(图像 镜&显像面 微通道板式 强度的变换) 构成 负电子亲和势阴极 X射线增强器 7
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