清华大学：《数字电子技术基础》课程PPT教学课件（第五版）第七章 半导体存储器（主讲：阎石、王红）

《数字电子技术基础》第五版 第七章半导体存储器

《数字电子技术基础》第五版 第七章 半导体存储器

《数字电子技术基础》第五版 第七章半导体存储器 7.1概述 !单元数庞大 能存储大量二值信息的器件!输入输出引脚数目有限 一般结构形式 地址输入 地址译码器 存储矩阵 输入出电路 /O 输入/出 控制

《数字电子技术基础》第五版 第七章 半导体存储器 7.1 概述 能存储大量二值信息的器件 一、一般结构形式 输 入/ 出 电 路 I/O 输入/出 控制 ！单元数庞大 ！输入/输出引脚数目有限

《数字电子技术基础》第五版 二、分类 1、从存/取功能分: ①只读存储器 掩模ROM (Read-Only-Memory 可编程ROM 可擦除的可编程 EPROM ②随机读/写 静态RAM ( Random- Access-Memory)动态RM 2、从工艺分: ①双极型 ②MOS型

《数字电子技术基础》第五版 二、分类 1、从存/取功能分： ①只读存储器 (Read-Only-Memory） ②随机读/写 （Random-Access-Memory） 2、从工艺分： ①双极型 ②MOS型 EPROM ROM ROM 可擦除的可编程 可编程 掩模 RAM RAM 动态 静态

《数字电子技术基础》第五版 7.2 ROM 7.21掩模ROM 一、结构 地址输入 地址译码器 存储矩阵 输出缓冲器 数据输出 三太 控制

《数字电子技术基础 》第五版 7.2 ROM 7.2.1 掩模ROM 一、结构

《数字电子技术基础》第五版 举例 A 犬2地 B 七x Aix W W1 w2 W3 输出缓冲器 D A D 存 x 储+W D B— B

《数字电子技术基础 》第五版 二、举例

《数字电子技术基础》第五版 Ao-An-1 与”项 A1 地 与”阵列 “或”阵列氵输出 4 输出缓冲器 「地址数据 处1下 D3 A1 Ao D3 D1Do 存储矩 d2 0|00101 110 +W 10|0 W

《数字电子技术基础》第五版 地 址 数 据 A1 A0 D3 D2 D1 D0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 A0~An-1 W0 W(2n-1) D0 Dm

《数字电子技术基础》第五版 两个概念: ·存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”,存储单元 中有器件存入“1",无器件存入“0 Wal w 输出缓冲器 r 存 处21 D, EN. EN ·存储器的容量:“字数ⅹ位数

《数字电子技术基础》第五版 两个概念： • 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元 中有器件存入“1”，无器件存入“0” • 存储器的容量：“字数 x 位数

《数字电子技术基础》第五版 掩模ROM的特点: 出厂时已经固定,不能更改,适合大量生产 简单,便宜,非易失性 Wo W W2 W 输出缓冲器 D3 D3 储+W + T-D D D EN

《数字电子技术基础》第五版 掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性

《数字电子技术基础》第五版 7.22可编程ROM(PROM) 总体结构与掩模ROM样,但存储单元不同 ∫,,,,,,,十K 长长 卡卡 线 熔 地址译码器 矩 位线 阵 *熔丝由易熔合金制成 *出厂时,每个结点上都有 *编程时将不用的熔断 !是一次性编程,不能改写 D,D。D5D4D3D2D1D0

《数字电子技术基础》第五版 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 ！！ 是一次性编程，不能改写 编程时将不用的熔断 出厂时，每个结点上都有 熔丝由易熔合金制成   

《数字电子技术基础》第五版 7.22可编程ROM(PROM) 总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同 长长长卡卡卡长 A3 A 地址译码器 存 1储 k 矩 A 读写△中△中△y 放 大 平 写入时,要使用编程器 叉平」」屯 D, D Ds D4 D, D, D Do

《数字电子技术基础》第五版 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 写入时，要使用编程器