新疆大学：《电子线路》课程教学课件（PPT讲稿，线性部分）第二章 晶体三极管 第二节 晶体三极管的其它工作模式

第二节 晶体三极管 的其它工作模式

第二节 晶体三极管 ——————的其它工作模式

1、饱和模式： 当两个PN结均加正向偏置电压。 Ie C R B 晶体管内部载流子传输示意图 晶体三极管内部载流子传输过程： 可分解为两个方向，相反的传输过程的叠加。 (1)、正向传输：假设，发射结正偏置，集电结零偏置

当两个PN结均加正向偏置电压。 晶体三极管内部载流子传输过程： 可分解为两个方向，相反的传输过程的叠加。 （1）、正向传输：假设，发射结正偏置，集电结零偏置。 1、饱和模式 ： N IF N P R1 IB IE IC IR R2 V1 V2 E C B 晶体管内部载流子传输示意图 F F  I R R  I

B R B 发射结产生的正向偏置电流为：，现将它转移到 集电极，则为FIF

F F  I 发射结产生的正向偏置电流为 I F ，现将它转移到 集电极， 则为 N IF N P R1 IB IE IC R2 V1 F F  I C E B

(2)、反向传输：假设，发射结零偏，集电结正偏。 N E R, B 由集电结正偏产生的反向传输电流为I,转移 到发射极的电流为arlR

（2）、反向传输：假设，发射结零偏，集电结正偏。 N P N R1 IB IE IC IR R2 V2 E C B R R  I R R  I 由集电结正偏产生的反向传输电流为 IR ，转移 到发射极的电流为

乙。与乙分别为共基极连接时，正向电流传输系数和反 向电流传输系数。 综合分析： I=Ir-anlk Ic =drIE-IR 由此可见，在饱和模式下，I和I。将同时受到两个 结正偏电压的控制作用，已不再具有放大模式下得正向受 控作用。 若Vc一R一、c 由于 增加了IR的空穴电流成分

与 分别为共基极连接时，正向电流传输系数和反 向电流传输系数。  F  R 综合分析： E F R R I = I − I C F F R I = I − I 由此可见，在饱和模式下，IE 和 IC 将同时受到两个 结正偏电压的控制作用，已不再具有放大模式下得正向受 控作用。 若 VBC IE 、IC 由于 IR 增加了IR 的空穴电流成分 IB IR

因此，c与IE之间或Ic与I之间均不满足放大状态下 的电流传输方程。 在饱和模式下，它们可近似的用两导通电压表示。 即VBESa)与VBC(saD) 称为饱和导通电压 对于硅管，一般取 CB VBE(sat≈VBE(On)-0.7V VBC(sat)≈VBC(on)-0.4V VBE 当共发射极连接时： VCE=VCB VBE=VBE VBC =0.7V -0.4V =0.3V 当晶体三极管处于饱和状态时，其饱和压降为Vca 0.3V(对小功率晶体三极管而言)

因此，IC 与 IE 之间或 IC 与 IB 之间均不满足放大状态下 的电流传输方程。 在饱和模式下，它们可近似的用两导通电压表示。 即 VBE(sat) 与 VBC(sat) 称为饱和导通电压 对于硅管，一般取 VBE(sat) ≈ VBE(on) =0.7V VBC(sat) ≈ VBC(on) =0.4V 当共发射极连接时： VBE VCB VCE VCE = VCB + VBE = VBE - VBC = 0.7V – 0.4V = 0.3V 当晶体三极管处于饱和状态时，其饱和压降为 VCE(sat) = 0.3V (对小功率晶体三极管而言)

饱和模式下共发射极连接时的简化电路型： B VBE VBE(on) CE(sat) E

B C VCE(sat) VCE VBE VBE(on) E 饱和模式下共发射极连接时的简化电路型：

2、截止模式： 晶体三极管，发射结、集电结均反偏。 若忽略它们的反向饱和电流，测可近似认为晶体三极 管的各极电流为零。 截止模式下共发射极连接时的，简化电路模型： B。=0 1c=0

2、截止模式： 晶体三极管，发射结、集电结均反偏。 若忽略它们的反向饱和电流，则可近似认为晶体三极 管的各极电流为零。 截止模式下共发射极连接时的，简化电路模型： E C I IC = 0 B B = 0