新疆大学：《电子线路》课程教学课件（PPT讲稿，线性部分）第二章 晶体三极管 第四节 晶体三极管的伏安特性曲线

第四节晶体三极管 的伏安特性曲线

第四节 晶体三极管 ————的伏安特性曲线

晶体三极管的理论伏安特性曲线，可以根据埃伯尔斯一 一莫尔方程直接画出来。 理论伏安特性曲线： 是不考虑中性区所固有的体电阻、制造工艺上的离散性 以及其它的寄生影响等因素。 如果考虑到这些影响，则实际的伏安特性曲线将偏离理 论伏安特性曲线。一般都采用实验方法逐点描绘出来或用晶 体三极管测试仪直接侧得

晶体三极管的理论伏安特性曲线，可以根据埃伯尔斯— —莫尔方程直接画出来。 理论伏安特性曲线： 是不考虑中性区所固有的体电阻、制造工艺上的离散性 以及其它的寄生影响等因素。 如果考虑到这些影响，则实际的伏安特性曲线将偏离理 论伏安特性曲线。一般都采用实验方法逐点描绘出来或用晶 体三极管测试仪直接侧得

双口网络 V2 E 共基极 VEB CB B

V1 双口网络 I2 I1 V2 共基极 VEB IE IC VCB E C B

VCE B E 共发射极 共集电极

共发射极 共集电极 VBC IE IB VBC E B C VCE IC IB VBE B C E

以共发射极为例： 根据电路可知： 有四个变量B、VBE、Ic、VcE 输入特性曲线族 1B=才e(VBEvcE V BE 输出特性曲线族 1c=f2E（VcE, 或1c=f2EVCEVo

以共发射极为例： 根据电路可知： 有四个变量 IB 、VBE 、IC 、VCE 输入特性曲线族 VC E B E VBE I = f 1 （ ） 输出特性曲线族 B C E CE I I = f 2 （V ） 或 VBE C E VCE I = f 2 （ ） VCE IC IB VBE E C B

在某些应用场合下，还需要其它形式的特性曲线，这些 特性曲线都可以从上述的输入和输出特性曲线转换得到。 例如： 转移特性曲线族 Ic =f (VBEvc 电流放大特性曲线族1c=∫(Ig)

在某些应用场合下，还需要其它形式的特性曲线，这些 特性曲线都可以从上述的输入和输出特性曲线转换得到。 例如： 转移特性曲线族 VC E C VBE I = f（ ） 电流放大特性曲线族 VC E C B I = f（I ）

一、输入特性曲线族： 实际测量得到的输入特性曲线族。 IB/μA VCE -0.3V VCE=0 VCE=10V V(BR)BEO 00.50.60.70.8VEN EBO CBO

一、输入特性曲线族： 实际测量得到的输入特性曲线族。 0 IEBO +ICBO V(BR)BEO IB /μA VCE = 10V VCE = 0.3V VCE = 0 0.5 0.6 0.7 VBE /V 0.8

基区宽度调制效应： WBo P N WB 一一

基区宽度调制效应： WB VCE WBO IB N P N WBO

二、输出特性曲线族： 实际测量得到的输出特性曲线族。 Ic/mA 40μA 饱和区 30μA 击 放 穿 20HA 区 区 IB-ICBO(IE-0) 10μA Ig-0 ccBo截止区 V(BR)CBO VCE/V V(BR)CEO

二、输出特性曲线族： 实际测量得到的输出特性曲线族。 放 大 区 击 穿 区 饱和区 截止区 IC /mA IB=-ICBO(IE=0) V(BR)CBO V(BR)CEO IC=ICBO IC=ICEO VCE/V 10μA IB=0 40μA 30μA 20μA

根据外加电压大小的不同，整个曲线族可划分为四个区， 即放大区、截止区、饱和区、击穿区。 1、放大区： 晶体三极管工作在放大模式，即发射结正偏，集电结反偏。 I。与I之间满足直流传输方程，即 Ic BIB+ICEO 特点： (1)、若设B为常数，当I等量增加时，输出特性曲 线也将等间隔的平行上移。由于基区宽度调制效应，当VE 增大时，基区复合减小，导致a和相应的B略有增大。 = 0 B

根据外加电压大小的不同，整个曲线族可划分为四个区， 即放大区、截止区、饱和区、击穿区。 1、放大区： 晶体三极管工作在放大模式，即 发射结正偏，集电结反偏。 IC 与 IB 之间满足直流传输方程，即 C B CEO I = I + I 特点： （1）、若设 为常数，当 IB 等量增加时，输出特性曲 线也将等间隔的平行上移。由于基区宽度调制效应，当VCE 增大时，基区复合减小，导致 和相应的 略有增大。    E cn I I 1  =    − = 1