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《陶瓷材料》课程教学资源(PPT课件)第六章 功能陶瓷 6.3 绝缘陶瓷

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《陶瓷材料》课程教学资源(PPT课件)第六章 功能陶瓷 6.3 绝缘陶瓷
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6.3绝缘陶瓷 第六章功能陶瓷 一精密绝缘陶瓷在的应用 绝缘材料在电气电路或电子电路中所起作用主 要是根据电路设计要求将导体物理隔离,以防 电流在它们之间流动而破坏电路正常运行。 。绝缘材料还起着导体的机械支持、散热及电路 环境保护等作用

一 精密绝缘陶瓷在的应用 ⚫ 绝缘材料在电气电路或电子电路中所起作用主 要是根据电路设计要求将导体物理隔离,以防 电流在它们之间流动而破坏电路正常运行。 ⚫ 绝缘材料还起着导体的机械支持、散热及电路 环境保护等作用。 6.3 绝缘陶瓷 第六章 功能陶瓷

6.3绝缘陶瓷 第六章功能陶瓷 绝缘陶瓷

6.3 绝缘陶瓷 第六章 功能陶瓷 绝缘陶瓷

6.3绝缘陶瓷 第六章功能陶瓷 绝缘陶瓷分为氧化物绝缘陶瓷和非氧化物绝 缘陶瓷。 ●绝缘陶瓷它必须具备如下性能: (1)体积电 阻率(p)≥1012Ωcm:(2)相对介电常数 (εr)s30:(3)损耗因子(tg)s0.001:(4) 介电强度(心S)≥5.0kV/mm

⚫ 绝缘陶瓷分为氧化物绝缘陶瓷和非氧化物绝 缘陶瓷。 ⚫ 绝缘陶瓷它必须具备如下性能:(1)体积电 阻率(ρ) ≥1012Ω·cm; (2)相对介电常数 (εr)≤30; (3)损耗因子(tgδ)≤0.001;(4) 介电强度(DS)≥5.0kV/mm。 6.3 绝缘陶瓷 第六章 功能陶瓷

6.3绝缘陶瓷 第六章功能陶瓷 除上述性能外,绝缘陶瓷还应具有良好导热 性、与导体材料尽可能一致热膨胀性、耐热 性、高强性及化学稳定性等。 ●与传统绝缘陶瓷相比,精密绝缘陶瓷则是后 起之秀,它在近代电子技术中所起的作用是 前者无法比拟

⚫ 除上述性能外,绝缘陶瓷还应具有良好导热 性、与导体材料尽可能一致热膨胀性、耐热 性、高强性及化学稳定性等。 ⚫ 与传统绝缘陶瓷相比,精密绝缘陶瓷则是后 起之秀,它在近代电子技术中所起的作用是 前者无法比拟。 6.3 绝缘陶瓷 第六章 功能陶瓷

6.3绝缘陶瓷 第六章功能陶瓷 。在当今世界上,每年要制造数百亿件质量相 当高的集成电路,其中约20%要采用精密绝 缘陶瓷基片。 ●在计算机集成电路中采用多层绝缘陶瓷基片 与封装材料可以使高速计算机的工作效率翻 番,其价值超过了陶瓷自身所具价值的成千 上万倍

⚫ 在当今世界上,每年要制造数百亿件质量相 当高的集成电路,其中约20%要采用精密绝 缘陶瓷基片。 ⚫ 在计算机集成电路中采用多层绝缘陶瓷基片 与封装材料可以使高速计算机的工作效率翻 番,其价值超过了陶瓷自身所具价值的成千 上万倍。 6.3 绝缘陶瓷 第六章 功能陶瓷

6.3绝缘陶瓷 第六章功能陶瓷 二绝缘陶瓷的性能与特征 (一)离子导电和绝缘性 ●固体能带中那些被电子完全占满的叫满带,未 被电子占据的叫导带,满带和导带之间称之为 禁带。如果禁带宽度足够大,满带的电子就难 以被激发而超越禁带进入导带,固体便成为典 型的绝缘体

二 绝缘陶瓷的性能与特征 (一)离子导电和绝缘性 6.3 绝缘陶瓷 第六章 功能陶瓷 ⚫ 固体能带中那些被电子完全占满的叫满带,未 被电子占据的叫导带,满带和导带之间称之为 禁带。如果禁带宽度足够大,满带的电子就难 以被激发而超越禁带进入导带,固体便成为典 型的绝缘体

6.3绝缘陶瓷 第六章功能陶瓷 实际上,理想的绝缘体只有在绝对零度 时才能获得。这与高温时半导体的性质 相似,只不过绝缘体的禁带宽度比半导 体大(绝缘体的禁带宽度约4~5eV,半 导体约为1eV左右)

6.3 绝缘陶瓷 第六章 功能陶瓷 ⚫实际上,理想的绝缘体只有在绝对零度 时才能获得。这与高温时半导体的性质 相似,只不过绝缘体的禁带宽度比半导 体大(绝缘体的禁带宽度约4~5eV,半 导体约为1eV左右)

6.3绝缘陶瓷 第六章功能陶瓷 ●因为绝缘体禁带宽度很大,激发电子需很大 能量,在室温附近,实际上可认为电子几乎 不迁移。很多绝缘陶瓷是典型离子晶体或共 价晶体,在此情况下,对具有足够宽度禁带 区绝缘陶瓷而言,离子导电就变得十分重要 了,这是通过离子扩散而发生的导电行为

6.3 绝缘陶瓷 第六章 功能陶瓷 ⚫ 因为绝缘体禁带宽度很大,激发电子需很大 能量,在室温附近,实际上可认为电子几乎 不迁移。很多绝缘陶瓷是典型离子晶体或共 价晶体,在此情况下,对具有足够宽度禁带 区绝缘陶瓷而言,离子导电就变得十分重要 了,这是通过离子扩散而发生的导电行为

6.3绝缘陶瓷 第六章功能陶瓷 一般离子电导率0,可用下式表示: oi=nqui (6-33) n:单位体积中可迁移的离子数;q:离子 的电荷:离子的迁移率。 9D, 4= (6-34) kT D:离子的扩散系数;k:玻耳兹曼常数;T: 绝对温度(K)

一般离子电导率  i 可用下式表示:  i = nq i (6-33) n:单位体积中可迁移的离子数;q:离子 的电荷;  i :离子的迁移率。 kT qDi i = (6-34) Di:离子的扩散系数;k:玻耳兹曼常数;T: 绝对温度 (K)。 6.3 绝缘陶瓷 第六章 功能陶瓷

6.3 绝缘陶瓷 第六章功能陶瓷 而D可由下式给出: (6-35) 式中,E:激活能;A:频率系数。 E 由式(6-33)~(6-35)及1gT<k 可导出下式: E lgo,≈常数- kT (6-36) 由式(6-36)可知,离子导电率随温度的升高呈 指数增加

而Di可由下式给出:       = − k T E Di Aexp (6-35) 式中,E:激活能;A:频率系数。 由式(6-33)~(6-35)及lgT<< kT E ,可导出下式: k T E lg  i  常数 − 由式(6-36)可知,离子导电率随温度的升高呈 指数增加。 (6-36) 6.3 绝缘陶瓷 第六章 功能陶瓷

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