半导体课程_2_2_4场效应三极管的参数和型号

2.2.4场效应三极管的参数和型号 (1)场效应三极管的参数 ①开启电压VGs)(或Vr) 开启电压是MOS增强型管的参数,栅源电压小于 开启电压的绝对值,场效应管不能导通 ②夹断电压 V GS(off)(或V) 夹断电压是耗尽型FET的参数,当VGs= VGS(off)时, 漏极电流为零。 ③饱和漏极电流lDss 耗尽型场效应三极管,当VGs=0时所对应的漏极电 流

2.2.4 场效应三极管的参数和型号 (1) 场效应三极管的参数 ① 开启电压VGS(th) (或VT ) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 ② 夹断电压VGS(off) (或VP ) 夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时, 漏极电流为零。 ③ 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当VGS=0时所对应的漏极电 流

④输入电阻Rs 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值,对于 结型场效应三极管,反偏时Rcs约大于10g,对于 绝缘栅型场效应三极管,Ros约是109~101 ⑤低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用, 这一点与电子管的控制作用相似。gm可以在转移特 性曲线上求取,单位是mS(毫西门子) ⑥最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM=Dsl决定,与双极型 三极管的PCM相当

④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于 结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于 绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 ⑤ 低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用， 这一点与电子管的控制作用相似。gm可以在转 移特 性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。 ⑥ 最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM = VDS ID决定，与双极型 三极管的PCM相当

(2)场效应三极管的型号 场效应三极管的型号,现行有两种命名方法。其 是与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场 效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N型硅P沟 道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管,3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管 第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管 ×以数字代表型号的序号,#用字母代表同一型号 中的不同规格。例如CS14A、CS45G等

(2) 场效应三极管的型号 场效应三极管的型号, 现行有两种命名方法。其 一是与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场 效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟 道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管， ××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号 中的不同规格。例如CS14A、CS45G等

几种常用的场效应三极管的主要参数见下表。 表02.02场效应三极管的参数 参数PM VRDS VRGs Vp gn 型号 mA v mA/v MHz 3DJ2D 20 20 300 3DE10020 20 90 3DJ5H100 >20 20 55≥8 3DO2E100035~12>1225 1000 SLiC 1000.3~1 -25

几种常用的场效应三极管的主要参数见下表。 表02.02 场效应三极管的参数 参 数 型号 PDM mW IDSS mA VRDS V VRGS V VP V gm mA/ V fM MHz 3DJ2D 100 20 >20 -4 ≥2 300 3DJ7E 100 20 >20 -4 ≥3 90 3DJ15H 100 6～11 >20 >20 -5.5 ≥8 3DO2E 100 0.35～1.2 >12 >25 1000 CS11C 100 0.3～1 -25 -4 ≥2

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