《医学电子学基础》课程教学资源（课件讲稿）第2章 放大器的基本原理

第二章 放大器的基本原理 医学电子学基础 第二章放大器的基本原理 第一节 晶体二极管 第二节 晶体三极管 第三节 基本放大电路 第四节 射极输出器 第五节 场效应管及其放大电路 单击导脑

第一节 晶体二极管 第二节 晶体三极管 第三节 基本放大电路 第四节 射极输出器 第五节 场效应管及其放大电路

第二章 放大器的基本原理 好置警电各普基础 第一节晶体二极管 一、半导体的导电特性 二、PN结及其单向导电性 三、晶体二极管及其特性 四、特殊二极管 单击导脑

第一节 晶体二极管 一、半导体的导电特性 三、晶体二极管及其特性 二、PN结及其单向导电性 四、特殊二极管

第二章 放大器的基本原理 好 医学电子学基础 一、半导体的导电特性 l.本征半导体(intrinsic semiconductor) 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗， 它们的最外层电子（价电子)都是四个。 单晶硅(Si)和单晶锗(Ge)的原子结构： 单击导棕

Ge Si 1. 本征半导体（intrinsic semiconductor） 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗， 它们的最外层电子（价电子）都是四个。 单晶硅（Si）和单晶锗（Ge）的原子结构： 一、半导体的导电特性 Ge Si Si

第二章 放大器的基本原理 医学电子学基础 载流子(carrier) 热运动产生 自由电子 1 空穴 Si Si Si 常温下都可以定向运动 自由电子 共价键 形成电流。 o (Si Q Si Si 本征半导体内的自由电 空穴 价电子 子和空穴总是成对出现，两 Si Si Si 种载流子的浓度相同。 单击导脑

载流子（carrier）： 热运动产生 自由电子 空穴 常温下都可以定向运动 形成电流。 本征半导体内的自由电 子和空穴总是成对出现，两 种载流子的浓度相同

第二章 放大器的基本原理 好 医学电子学基础 2.杂质半导体 (extrinsic semiconductor) 掺入微量的5价元素 掺入微量的3价元素 Si Si Si ● S Si Si ● 自由电子 空穴 Si D Si B Si Si Si Si Si ● N型半导体 P型半导体 单击导葛

2. 杂质半导体 （extrinsic semiconductor） 掺入微量的5价元素 掺入微量的3价元素 N型半导体 P型半导体

第二章 放大器的基本原理 好 医学电子学基础 二、PN结的形成及其特性 扩散→复合→空间电荷区→内电场→阻止扩散 L少少子漂移 漂移=扩散→动态平衡→PN结形成 P区 N区 P区 空间电荷区 N区 ⊕ ⊕ o ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ E 单击导脑

二、PN结的形成及其特性 扩散→复合→空间电荷区 →内电场→阻止扩散 少子漂移 漂移=扩散→动态平衡→PN结形成

第二章 放大器的基本原理 好 医学电子学基础 PN结的单向导电性： 加正向电压（正向偏置)：E0与E:的方向相反 →空间电荷区变窄→扩散电流变大→PN结导通 加反向偏置：空间电荷区变宽→PN结截止 P区 空间电荷区 N区 P区 空间电荷区 N区 ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ Θ ⊕ ⊕ ⊙( ⊕ ⊕ ⊕ E E 单击导脑

加正向电压（正向偏置）： E0与Ei的方向相反 →空间电荷区变窄 →扩散电流变大→PN结导通 加反向偏置：空间电荷区变宽 → PN结截止 PN结的单向导电性：

第二章 放大器的基本原理 医学电子学基础 PN结的单向导电性： *PN结正向偏置 内电场被削弱，多子的扩散加强能够 形成较大的扩散电流。 米 PN结反向偏置 内电场被加强，多子的扩散受抑制。 少子漂移加强，但少子数量有限，只 能形成较小的反向电流。 单击导赢

内电场被削弱，多子的扩散加强能够 形成较大的扩散电流。 * PN 结正向偏置 * PN 结反向偏置 内电场被加强，多子的扩散受抑制。 少子漂移加强，但少子数量有限，只 能形成较小的反向电流。 PN结的单向导电性：

第二章 放大器的基本原理 好 医学电子学基础 三、晶体二极管及其特性 PN结 晶体二极管→PN结两端引出电极 N P区出的电极是二极管的正极 N区引出的电极是二极管的负极 Si02保护层 阳极引线 阳极引线 PN结 P型硅 P型触丝N型锗片 N型硅 引线 底座 N型硅 阴极引线 阴极引线 单击导参 点接触型 面接触型 平面型

三、晶体二极管及其特性 N区引出的电极是二极管的负极 晶体二极管 PN结两端引出电极 P区引出的电极是二极管的正极

第二章 放大器的基本原理 医学电子学基础 二极管的特性： ① 二极管具有单向导电性； ② 二极管的伏安特性具有非线性； 二极管的伏安特性与温度有关。 死区电压Um:一般 硅管为0.5V、锗管 二极管的伏 安特性曲线 略小于0.2V。 正常工作管压降： 0 U 硅管通常为0.7V、 锗管0.20.3V。 单击导核

二极管的特性： 死区电压Uon：一般 硅管为0.5V、锗管 略小于0.2V。 正常工作管压降： 硅管通常为0.7V、 锗管0.2—0.3V。 二极管的伏 安特性曲线 ① 二极管具有单向导电性； ② 二极管的伏安特性具有非线性； ③ 二极管的伏安特性与温度有关