模拟电子技术（半导体二极管及其基本电路）

模拟电子技术 电类各专业适用

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型电子技市 第一章绪论 、本课程的性质、目的和任务 二、模拟电路的基本知识 、本课程的基本要求 四、基础要求 五、参考书

第一章 绪 论 一、本课程的性质、目的和任务 三、本课程的基本要求 二、模拟电路的基本知识 五、参考书 四、基础要求

瞑型电子技市 求原8 第二 半导体二极管及其基本电路 4521半导体的基本知识 本征半导体 纯净的半导体晶体称为本征半导体

§2.1 半导体的基本知识 一、本征半导体 纯净的半导体晶体称为本征半导体 第二章 半导体二极管及其基本电路

1.本征半导体的共价键结构(硅): 共价键共价键中的 两个电子 ··.. 图2 硅原子外层轨道4个价电子,它与相邻原子靠得 很近,使价电子成为两个原子公有,形成共价键结构 模型电子技宜

1. 本征半导体的共价键结构（硅）： 硅原子外层轨道4个价电子，它与相邻原子靠得 很近，使价电子成为两个原子公有，形成共价键结构。 +4 +4 +4 +4 共价键 共价键中的 两个电子 图2－1

2.本征半导体的特点: 在T=0K(绝对零度)和无外界激发, 没有自由运动的带电粒子—载流子; T个,受热激发,如T=300K(室温) 少数价电子会挣脱束缚成为自由电子, 留下空穴—本征激发。 模型电子技市

2. 本征半导体的特点： 在T = 0 K（绝对零度）和无外界激发， 没有自由运动的带电粒子——载流子； T ，受热激发，如 T = 300K（室温）， 少数价电子会挣脱束缚成为自由电子， 留下空穴——本征激发

3.本征半导体中的两种载流子: 自由电子 空穴(价电子挣脱束缚后留下的空位) a.带正电,所带电量与电子相等; b可以“移动”; c.本征半导体中,自由电子和空穴 成对出现,数目相等 模型电子技市

3. 本征半导体中的两种载流子： 自由电子 空穴（价电子挣脱束缚后留下的空位） a. 带正电，所带电量与电子相等； b. 可以“ 移动”； c. 本征半导体中，自由电子和空穴 成对出现，数目相等

4.本征半导体中的载流子浓度 E P;=A·T 2 kT n:自由电子的浓度 p;空穴的浓度 A:系数(与半导体材料有关) 模型电子技市

4. 本征半导体中的载流子浓度 kT EG n p A T e 2 2 3 i i − = =   ni：自由电子的浓度 pi：空穴的浓度 A：系数（与半导体材料有关）

T:绝对温度 EG:价电子挣脱共价键所需能量,又叫禁带宽度 K:波尔兹曼常数 结论:半导体材料一定,载流子浓度随温度 按指数规律增大。 模型电子技市

T：绝对温度 EG：价电子挣脱共价键所需能量, 又叫禁带宽度 K：波尔兹曼常数 结论：半导体材料一定，载流子浓度随温度 按指数规律增大

二、杂质半导体 半导体的导电能力取决于载流子的数目, 本征半导体受热激发只产生少量电子空穴对, 载流子浓度很低,外加电场作用,电流极其 微弱;若在本征半导体中掺入微量杂质,则导 电性能大为改观,掺入百万分之一的杂质,载 流子浓度增加1百万倍。 模型电子技市

二、杂质半导体 半导体的导电能力取决于载流子的数目， 本征半导体受热激发只产生少量电子空穴对， 载流子浓度很低，外加电场作用，电流极其 微弱；若在本征半导体中掺入微量杂质，则导 电性能大为改观，掺入百万分之一的杂质，载 流子浓度增加1百万倍

1.N型半导体 形成 本征掺杂:本征半导体 得到大量电子 (无空穴) 磷 多 余 电 本征激发:得到 少量电子空穴对 磷原子 · 图2-2

1. N型半导体 形成 本征掺杂： 本征半导体 得到大量电子 （无空穴） 磷 本征激发：得到 少量电子空穴对 +4 +4 +5 +4 磷 原 子 多 余 电 子 图2－2