模拟电子技术（半导体三极管及放大电路）

模型电子技朮 从从 第三章 半导体三极管及放大电路

第三章 半导体三极管及放大电路

↓531半导体BJT BJT结构 3AX22 3DG6 3AD6 低频锗 高频硅 低频大功率管 图3-1模拟电子技靠

§3.1 半导体BJT 一、BJT结构 图3－1 3AX22 低频锗 3AD6 低频大功率管 3DG6 高频硅

下图是NPN管的结构及符号 集电极 集电区集电结 基极 基区 发射结 发射区 发射极 图3-2 三区两结三极 型电子技宜

图3－2 N 集电区 N 发射区 P 基区 e b c 集电结 发射结 集电极 发射极 基极 三区两结三极 下图是NPN管的结构及符号 e b c

PNP管的结构及符号如下: 集电极 集电区集电结 基极 基区 发射区 发射结 发射极 图3-3 符号中的箭头表示BJT导通时的电流方向 型子技宜

图3－3 P 集电区 P 发射区 N 基区 e b c 集电结 发射结 集电极 发射极 基极 PNP管的结构及符号如下： 符号中的箭头表示BJT导通时的电流方向 b e c

二、BJT的电流分配与放大原理 放大的条件: 内部条件:发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低。 外部条件:发射结正偏:; 集电结反偏。 模型电子技成

二、 BJT的电流分配与放大原理 放大的条件： 内部条件：发射区掺杂浓度高； 基区薄且掺杂浓度低。 外部条件：发射结正偏； 集电结反偏

1.BJT内部载流子的传输 e/电子流|复 oVEE b EE CC 图3-4 模型电子技成

N Je P Jc N V0−VEE V0+VCC 1. BJT内部载流子的传输 图3－4 b VEE IB e IE c VCC IC 电子流 复合

2.电流分配关系 电子流 E 图 CBO EE CC 个三极管制定后,发射区发射的电子传输 到集电结所占比例一定,这个比例系数用a表示, 称为共基极电流放大系数 模型电子技宜

图 3 － 5 IB b VEE VCC e c IE IC N P N 电子流 I B  ICBO InC 2. 电流分配关系 一个三极管制定后，发射区发射的电子传输 到集电结所占比例一定，这个比例系数用表示， 称为共基极电流放大系数

传输到集电极的电流 发射极注入的电流IE C =1n+1 CBO 代入 I c=aI e+IcBol 通常忽略lcBo =al E a一般为0.9~0.99 假设a=0.99,则发射100个电子,扩散99个, 复合1个。 型电子技宜

E nC I I α = = 发射极注入的电流 传输到集电极的电流 I C = I nC + I CBO 代入 I C =αI E + I CBO 通常忽略 ICBO C αI E I = 一般为 0.9 ~ 0.99 假设 =0.99，则发射100个电子，扩散99个， 复合1个

3.共发射极连接方式 BJT的三种连接方式 a.共基极连接 E CC 图3-6 信号从e极输入,从集电极c输出。 模型电子技成

3. 共发射极连接方式 BJT的三种连接方式 a. 共基极连接 信号从e极输入，从集电极c输出。 图3－6 E I C I VEE VCC

b共发射极连接:信号从b极输入,从c极输出 C.共集电极连接:信号从b极输入,从e极输出 模型电子技成

b. 共发射极连接：信号从b极输入，从c极输出 c. 共集电极连接：信号从b极输入，从e极输出