南京工业大学信息科学与工程学院：《电工电子学》第四章 分立元件放大电路

第四章 分立元件放大电路 南京工业大学信息科学与工程学院电子系 2021/2/20 电工电子学B

2021/2/20 电工电子学B 分立元件放大电路 南京工业大学信息科学与工程学院电子系 第四章

第四章分立元件放大电路 1、半导体器件 2、基本放大电路 3、放大电路中静态工作点的稳定 4、共集电极放大电路 5、多级放大电路 2021/2/20 电工电子学B

2021/2/20 电工电子学B 1、半导体器件 2、基本放大电路 3、放大电路中静态工作点的稳定 4、共集电极放大电路 5、多级放大电路 第四章 分立元件放大电路

基本要求 理解半导体二极管、稳压二极管 晶体三极管和MOS场效应管的工作原理 和主要参数;理解放大电路的基本性能 指标;掌握共射极、共集电极单管放大 电路静态工作点的作用和微变等效电路 的分析方法;了解多级放大的概念 2021/2/20 电工电子学B

2021/2/20 电工电子学B • 基本要求 理解半导体二极管、稳压二极管、 晶体三极管和MOS场效应管的工作原理 和主要参数；理解放大电路的基本性能 指标；掌握共射极、共集电极单管放大 电路静态工作点的作用和微变等效电路 的分析方法；了解多级放大的概念

重点 理解半导体二极管、稳压二极管、晶体 三极管的工作原理和主要参数;理解放 大电路的基本性能指标;掌握共射极的 微变等效电路分析方法 难点 PN结的单向导电性,微变等效电路分析 方法 2021/2/20 电工电子学B

2021/2/20 电工电子学B • 重点 理解半导体二极管、稳压二极管、晶体 三极管 的工作原理和主要参数；理解放 大电路的基本性能指标；掌握共射极的 微变等效电路分析方法 。 • 难点 PN结的单向导电性，微变等效电路分析 方法

°PN结 半导体二极管 晶体三极管 场效应管 2021/2/20 电工电子学B

2021/2/20 电工电子学B 第一节 半导体器件 • PN结 • 半导体二极管 • 晶体三极管 • 场效应管

PN结 本征半导体 杂质半导体 PN结的形成 PN结的单向导电性 2021/2/20 电工电子学B

2021/2/20 电工电子学B 一、PN结 • 本征半导体 • 杂质半导体 • PN结的形成 • PN结的单向导电性

1、本征半导体 半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间的材料称 为半导体。最常用的半导体为硅和锗 半导体导电性能的特点: 热敏性:温度升高导电能力增强; 光敏性:光照增强导电能力增强 掺杂后导电能力剧增 21/2/20 电工电子学B

2021/2/20 电工电子学B 半导体: 导电能力介于导体和绝缘体之间的材料称 为半导体。最常用的半导体为硅和锗。 1、本征半导体 半导体导电性能的特点: 热敏性:温度升高导电能力增强； 光敏性:光照增强导电能力增强； 掺杂后导电能力剧增

本征半导体: 完全纯净、具有晶体结构的半导体。 本征半导体的导电性能 (1)在绝对0度和没有外界影响时,共价键中的价 电子被束缚很紧,本征半导体中无载流子的存在, 具有绝缘体的性能。 (2)在常温下(温度升高)使一些价电子获得足够 的能量而脱离共价键的束缚,成为自由电子,同 时共价键上留下一个空位,称为空穴一本征激发 2021/2/20 电工电子学B

2021/2/20 电工电子学B 本征半导体: 完全纯净、具有晶体结构的半导体。 本征半导体的导电性能: (1)在绝对0度和没有外界影响时, 共价键中的价 电子被束缚很紧,本征半导体中无载流子的存在, 具有绝缘体的性能。 (2)在常温下（温度升高）使一些价电子获得足够 的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同 时共价键上留下一个空位，称为空穴---本征激发

空穴 +4 +4 自由电子 +4 .、 +4 X 束缚电子 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 2021/2/20 电工电子学B

2021/2/20 电工电子学B 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 +4 +4 +4 +4 空穴 自由电子 束缚电子

2、杂质半导体 本征半导体由于载流子数量极少,因此 导电能力很低 掺入有用杂质的半导体叫杂质半导体。 N型半导体 P型半导体 2021/2/20 电工电子学B ABack

2021/2/20 电工电子学B 2、杂质半导体 • 本征半导体由于载流子数量极少，因此 导电能力很低。 • 掺入有用杂质的半导体叫杂质半导体。 N型半导体 P型半导体