华中科技大学：《模拟电子技术》教学资源（PPT课件）第二章 半导体二极管及其基本电路

2半导体二极管及其基本电路 21半导体的基本知识 22PN结的形成及特性 23半导体二极管 24二极管基本电路及其分析方法 25特殊二极管 HOv配

2.1 半导体的基本知识 2.3 半导体二极管 2.4 二极管基本电路及其分析方法 2.5 特殊二极管 2.2 PN结的形成及特性

2.1半导体的基本知识 211半导体材料 212半导体的共价键结构 213本征半导体 21.4杂质半导体 HOME

2.1 半导体的基本知识 2.1.1 半导体材料 2.1.2 半导体的共价键结构 2.1.3 本征半导体 2.1.4 杂质半导体

2.1.1半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同,来划分 导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等 HOME BACK NEXT

2.1.1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分 导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等

2.12半导体的共价键结构 硅晶体的空间排列 HOME BACK NEXT

2.1.2 半导体的共价键结构 硅晶体的空间排列

2.12半导体的共价键结构 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构 →两个电子的共价键 正离子核 a(+4(+4)(+4 HOME BACK NEXT

2.1.2 半导体的共价键结构 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构

213本征半导体 本征半导体—化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单 晶体形态。 空穴—共价键中的空位。 电子空穴对由热激发而 产生的自由电子和空穴对。 空穴的移动—空穴的运动 是靠相邻共价键中的价电子 依次充填空穴来实现的 图21.3由于随机热振动致使共价键被打破而产生空穴电子对 HOME BACK NEXT

2.1.3 本征半导体 本征半导体——化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单 晶体形态。 空穴——共价键中的空位。 电子空穴对——由热激发而 产生的自由电子和空穴对。 空穴的移动——空穴的运动 是靠相邻共价键中的价电子 依次充填空穴来实现的

2.1.4杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质, 可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质 主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体 称为杂质半导体。 N型半导体—掺入五价杂质元素(如磷) 的半导体。 P型半导体—掺入三价杂质元素(如硼) 的半导体。 HOME BACK NEXT

2.1.4 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质， 可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质 主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体 称为杂质半导体。 N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷） 的半导体。 P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼） 的半导体

1.N型半导体 因五价杂质原子中 只有四个价电子能与周 围四个半导体原子中的 价电子形成共价键,而 施主正离子 多余的一个价电子因无 共价键束缚而很容易形 成自由电子 图216N型导体的共价键结构 在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由杂质原 子提供;空穴是少数载流子,由热激发形成。 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子, 因此五价杂质原子也称为施主杂质。 HOME BACK NEXT

1. N型半导体 因五价杂质原子中 只有四个价电子能与周 围四个半导体原子中的 价电子形成共价键，而 多余的一个价电子因无 共价键束缚而很容易形 成自由电子。 在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原 子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子， 因此五价杂质原子也称为施主杂质

+2.P型半导体 +4)··+4··+4 因三价杂质原子 受主原子 在与硅原子形成共价 +4· +3 键时,缺少一个价电 子而在共价键中留下 +4)·+4·+4) 个空穴。 图215P型导体的共价结构 在P型半导体中空穴是多数载流子,它主要由掺 杂形成;自由电子是少数载流子,由热激发形成。 空穴很容易俘获电子,使杂质原子成为负离子。 三价杂质因而也称为受主杂质 HOME BACK NEXT

2. P型半导体 因三价杂质原子 在与硅原子形成共价 键时，缺少一个价电 子而在共价键中留下 一个空穴。 在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺 杂形成；自由电子是少数载流子， 由热激发形成。 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。 三价杂质 因而也称为受主杂质

3.杂质对半导体导电性的影响 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大 的影响,一些典型的数据如下: ①7=300K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n=p=1.4×1010/cm3 ②掺杂后N型半导体中的自由电子浓度 n=5×1016/cm3 ③本征硅的原子浓度:4.96×1022cm3 以上三个浓度基本上依次相差106m3 HOME BACK NEXT

掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大 的影响，一些典型的数据如下: T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.4×1010/cm3 1 本征硅的原子浓度: 4.96×1022 3 /cm3 以上三个浓度基本上依次相差106 /cm3 。 2 掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度: n=5×1016/cm3 3. 杂质对半导体导电性的影响