《数字电子技术》课程教学资源（PPT课件讲稿）第二章 门电路

第二章门电路

第二章 门电路

概述 门电路的分类: 按门电路的结构分类 CM0S:CM0S逻辑门电路 TTL:TTL逻辑门电路 ECL:射极耦合逻辑门电路 2.按门电路的规模分类: SSI:小规模集成电路 MSI:中规模集成电路 LSI:大规模集成电路 ⅥLSI:超大规模集成电路(CPLD-复杂可编程逻辑器 件/FPGA-现场可编程逻辑器件) ☆ASIC:专用集成电路

概述 • 门电路的分类： • １．按门电路的结构分类: • CMOS：CMOS逻辑门电路 • TTL: TTL逻辑门电路 • ECL: 射极耦合逻辑门电路 • ２．按门电路的规模分类: • SSI：小规模集成电路 • MSI：中规模集成电路 • LSI：大规模集成电路 • VLSI：超大规模集成电路（ＣＰＬＤ-复杂可编程逻辑器 件／ＦＰＧＡ-现场可编程逻辑器件） • ☆ASIC：专用集成电路

按门电路的逻辑功能分类 AND门 OR门 NAND门 NOR门 ·AND-OR一NOT门 OD门 EX-0R门 三态门

按门电路的逻辑功能分类 • ＡＮＤ门 • ＯＲ门 • ＮＡＮＤ门 • ＮＯＲ门 • ＡＮＤ－ＯＲ－ＮＯＴ门 • ＯD门 • ＥＸ－ＯＲ门 • 三态门

sec2.1CMos反向器 ·1.cMoS逻辑电路的逻辑电平 2cMoS反向器

Sec2.1 CMOS 反向器 • 1.CMOS逻辑电路的逻辑电平 • 2.CMOS 反向器

cMos逻辑电路的逻辑电平 5. Ov Logic 1(high) 3.5 Undefined state 1.5v LogIC O(LoV Ov

CMOS逻辑电路的逻辑电平 Logic 1(high) Undefined state Logic 0(Low) 5.0v 3.5v 1.5v 0v

MOS晶体管作为压控电阻 G D R +G (U in) G D N-MOS P-MOS

MOS 晶体管作为压控电阻 N-MOS P-MOS +G - S D - G S - D + + S G D S G D G (U in) S D R

CMOs反向器 VDD=+5V Vout Q2 p-Channel n +5v Vout 5.0V N N-Channel 3.5V 3.5v Q1 1.5v 0.0v +5v Vin 0102 Vout 开 Vin 0.0V off on50v 1.5V 5.0v|on off.0

CMOS 反向器 Vin Vout VDD=+5v N-Channel p-Channel Q2 Q1 Vin Q1 Q2 Vout 0.0V off on 5.0v 5.0v on off 0.0 0.0v 5.0v Vout Vin 0 关 门 开 门 ＋５v +5v 3.5v 1.5v 3.5V 1.5V Ip IN

CMOs反向器 +vdd NC VDD 01 06 I1 16 P--channe NC I 5 12 03 I5 I3 04 10 VSS 14 小- channel 4009

CMOS 反向器

说明 当Vin加低电平时,P沟道场效应晶体管导 通,有电流流过沟道,沟道电阻很小,输 出电压∨out约为+5V; 当Vin逐渐增大,P沟道晶体管截止,N沟道 场效应晶体管导通,在1.5V-35V期间为不 稳定区间,变化很快,最终N沟道导通,P 沟道截止,输出为低电平

说明 ➢当Vin加低电平时，P沟道场效应晶体管导 通，有电流流过沟道，沟道电阻很小，输 出电压Vout约为+5v； ➢当Vin逐渐增大，P沟道晶体管截止，N沟道 场效应晶体管导通，在1.5v-3.5v期间为不 稳定区间，变化很快，最终N沟道导通，P 沟道截止，输出为低电平

sec2.2CMos逻辑门 >CMOS与非门 CMOS或非门 CMoS同向缓冲逻辑门 与-或-非门 >异或门 三态门

Sec 2.2 CMOS 逻辑门 ➢ CMOS 与非门 ➢ CMOS 或非门 ➢ CMOS 同向缓冲逻辑门 ➢ 与-或-非门 ➢ 异或门 ➢ 三态门