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四川大学:《模拟电子技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第5章 放大电路的频响分析与稳定性分析

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资源类别:文库
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四川大学:《模拟电子技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第5章 放大电路的频响分析与稳定性分析
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第5章放大电路的频响分析与稳定性分析 前面假定信号频率不高也不低,耦合电容 结电容 >r 2m℃ 如f=1khC1、C25023交流短路 C: 1OpF ≈159Mg交流开路 2x℃ 如果信号频率很高或很低,就应考虑电容的影响

第5章 放大电路的频响分析与稳定性分析 前面假定信号频率不高也不低,耦合电容 Req fC  1 2 1  如 f =1kHz C1、C2 50uF  3 2 1 1 fC 交流短路 Cj 10pF  M fCj 15.9 2 1  交流开路 结电容 eq j R fC  2 1 如果信号频率很高或很低,就应考虑电容的影响

极管的高频小信号模型 C 物理模型 发射结正偏,结电容 由扩散电容决定(Cb 达一百皮法左右);集 b'c b'c 电结反偏,结电容由 b 势垒电容决定 (C几 b'c 个皮法)。 gm b b'e 忽略r、re (为集电区和发射区 的体电阻,很小) e

一、三极管的高频小信号模型 发射结正偏,结电容 由扩散电容决定( 达一百皮法左右);集 电结反偏,结电容由 势垒电容决定( 几 个皮法)。 物理模型 忽略rc、re (为集电区和发射区 的体电阻,很小) Cb'e Cb'c

混合π模型 b'c b'c e b'e m b'e 代表基区体电阻e为发射极动态电阻在基极回路中的 折合值n=(1+)26m/lao gmvb'e为受控电流源,与低频模型中的βb相对应。 对集电极电流没有贡献; b才能影响集电极电流的大小。 e=阝0b=Bo m b e

混合π模型 对集电极电流没有贡献; 才能影响集电极电流的大小。 ' b I  " b I  b e b e m b e b r V g V I ' ' ' 0 '' 0    =  =  b e m r g ' 0 = rbb’代表基区体电阻, 为发射极动态电阻在基极回路中的 折合值 b e r ' b e EQ r (1 )26mV / I ' = +  gm Vb'e 为受控电流源,与低频模型中的 相对应。 . I b .  0

简化的混合模型 b一 b'c bb′ b'e b'e 单向化处理: 忽略rbe m′be e b'e 密勒 定理 jOc b'c O 单向化处理 (1--)Cb2=(1-k)Cb bb b'e K K|>>1 b e 为中频时的电压放 gmlb'e 大倍数,为负值

简化的混合π模型 密勒 定理 单向化处理 忽略rbc、rce h b e b c b e ce j C V j C V V 1 ' . ' . ' . 1 1   = − b c b c b e ce h C K C V V C ' . ' ' . . 1 = (1− ) = (1− ) 单向化处理: 为中频时的电压放 大倍数,为负值 | | 1 . K  b e ce V V K ' . . . =

CI=(1-k)Cbc >>cbcb-t K-1 同理C2h=K b'c ≈Cbc C=Cbet(1-K)Cb C>C2r=RC输出回路时间常数2<<z输入回路时间常数 f1<<f2高频特性主要决定于小的这个截止频率 2丌T 20gA4 高频小信号模型 C ff b'e βo b'e be Ci-Cbe+(l-k)o b'c

高频小信号模型 C1h K Cb'c Cb'c = (1−  )  h Cb c Cb c K K C2 ' ' 1  − =   同理 b e m r g ' 0 = Ci Cb e K Cb'c . ' = + (1− ) Ci C2h 输出回路时间常数 输入回路时间常数 1 2 f  f 2  1 f = 2 1  = RC   高频特性主要决定于小的这个截止频率 f1 f2 Av 20lg f

+(1-k)C 2z(+Cn2)f为管子B降为时对应的频率, 特征频率 手册一般给出∫n gn可求出

2 ( ) b'e b'c m T C C g f + =  为管子 降为1时对应的频率, 特征频率  T f 手册一般给出 f T , Cb'c = Cob , 可求出 m g Cb'e

、场效应管的高频小信号模型 d g 单向化 简化简化模型 高频等效模型 g Ces +(1-kC gs K 8mR

二、场效应管的高频小信号模型 单向化 简化 高频等效模型 简化模型 Cgs Cgs K Cgd (1 ) ' = + −  ' . . . m L g s d s g R V V K = = −

放大电路的分频段分析法 +y CC R C通常为10~100uF, C;通常为10~100pF R R 全频段 bb′ 等效电路 d4040=今 Ci=Cbe+(1-kCb

三、放大电路的分频段分析法 全频段 等效电路 C 通常为10~100μF, Ci 通常为10~100pF Ci Cb e K Cb'c . ' = + (1− )

分频段分析法 R 中频段: 令R如 C容抗很小,交流短路; Vb G;容抗很大,交流开路。 b bb R b'e Ro RL ① b′e

➢ 分频段分析法 • 中频段: C 容抗很小,交流短路; Ci 容抗很大,交流开路

低频段: C容抗增大,不能忽略; R =c.令R G1容抗更大,交流开路。 g bb b′e b'e

• 低频段: C 容抗增大,不能忽略; Ci 容抗更大,交流开路

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