《模拟电子技术》课程教学课件（PPT讲稿）知识点13 结型场效应管

第3章双极型三极管及其放大电路 。”一。 知识点13结型场效应管 3.1.1结型场效应管的结构 3.1.2结型场效应管的工作原理 3.1.3结型场效应管的特性曲线

第3章 双极型三极管及其放大电路 3.1.1 结型场效应管的结构 3.1.2 结型场效应管的工作原理 知识点13 结型场效应管 3.1.3 结型场效应管的特性曲线

第3章双极型三极管及其放大电路 3.1.1结型场效应管的结构 d- 漏极 尽层 N沟道 栅 源 沟道结型场效应管的结构和符号

第3章 双极型三极管及其放大电路 3.1.1 结型场效应管的结构 N 沟 道 耗 尽 层 g d s g d s P + P + N沟道结型场效应管的结构和符号 栅 极 漏极 源 极

第3章双极型三极管及其放大电路 合 3.1.2结型场效应管的工作原理 1.uGs对i,的控制作用 I=0 Ip=0 P+ P+ P+ P+ D+ g 型沟道 型沟 UGS=0 UGS<0 uGS=UGS(of)

第3章 双极型三极管及其放大电路 uGS = 0 uGS < 0 uGS = UGS(off) ID=0 ID=0 N 型 沟 道 g d s P+ P+ N 型 沟 道 g d s P+ P+ g d s P+ P+ 3.1.2 结型场效应管的工作原理 1. uGS 对iD的控制作用

第3章双极型三极管及其放大电路 ●中小●。●●●●。中想。中。中一。也 2.漏源电压对iD的影响 is=ip d ip g VDD g DD VGG UGS-0,UGD>UGS(of) UGS<0,UGD-UGS(om) 沟道较宽，in较大。 沟道变窄，b较小

第3章 双极型三极管及其放大电路 沟道较宽，iD 较大。 iS = iD iD iS iD iS uGS=0，uGD> UGS(off) uGS UGS(off) 2. 漏源电压对iD 的影响 N P+ P+ VGG VDD g d s N P+ P+ VDD g d s 沟道变窄，iD 较小

第3章双极型三极管及其放大电路 网合 。由●w●。●。●●。中果●。中we。中 DD GG uGs<0,UGD=UGS(of)' uGs≤UGs(or，WGD<UGs(of D更小，导电沟道预夹断。 iD≈0，导电沟道夹断

第3章 双极型三极管及其放大电路 N P+ P+ iD iS VGG VDD P+ P+ iD iS VGG VDD uGS < 0，uGD= UGS(off)， uGS ≤ UGS(off) ，uGD < UGS(off)， iD更小，导电沟道预夹断。 iD ≈ 0， 导电沟道夹断

第3章双极型三极管及其放大电路 。 3.1.3结型场效应管的特性曲线 预夹断轨迹 lupS-uGsl-IUGSom 1.输出特性 ip/mA 可变 uGs=0 ip=f (ups) uGS-常数 Ipss 电阻区 可变电阻区： -2 :击穿区 ib与us基本上呈线性关系， 恒流区 -4 但不同的ucs其斜率不同。 -6 恒流区：又称饱和区， -8 in几乎与4ns无关，i的值 UGs(of 受ucs控制。 8V 夹断电压 4Ds/八 N沟道结型场效应管的漏极特性 击穿区： 反向偏置的PN结被击穿，in电流突然增大

第3章 双极型三极管及其放大电路 1. 输出特性 iD=f（uDS）|uGS=常数 预夹断轨迹 可变 电阻区 恒流区 击穿区 |UGS(off)| 8V IDSS uGS=0 -4 -2 -6 -8 iD/mA uDS/V O |uDS-uGS|= |UGS(off)| 可变电阻区： iD 与uDS 基本上呈线性关系， 但不同的uGS 其斜率不同。 恒流区：又称饱和区， iD 几乎与uDS 无关，iD 的值 受uGS 控制。 N沟道结型场效应管的漏极特性 击穿区： 反向偏置的PN结被击穿，iD 电流突然增大。 夹断电压 3.1.3 结型场效应管的特性曲线

第3章双极型三极管及其放大电路 。●●。●。中。中 2.转移特性 ib=f(uGs)luns=常数 m ip/mA GG 饱和漏极电流 场效应管特性曲线测试电路 UGs(of uGs/V 栅源间加反向电压ucs<0 N沟道结型场效应管转 移特性 利用场效应管输入电阻高的优点。 iD=/pss(1- 1Gs)2 Usto) (当Up≤UGs≤0时)

第3章 双极型三极管及其放大电路 2. 转移特性 iD = f（uGS）|uDS=常数 GS 2 D DSS GS(off) = − (1 ) u i I U (当UP  UGS  0时 ） g d s mA V V ID VGG VDD 场效应管特性曲线测试电路 Ｎ沟道结型场效应管转 移特性 IDSS UGS(off) 饱和漏极电流 栅源间加反向电压 uGS < 0 利用场效应管输入电阻高的优点。 uGS/V iD/mA O