中国科学技术大学：《电子技术基础》课程教学资源（PPT课件讲稿，模拟部分）总复习

总复习 2019年6月

总复习 1 2019年6月

第一章绪论 冬信号及其频谱：正弦波信号，周期性方波信 号，任意周期函数，非周期信号频谱，模拟 信号和数字信号 放大电路的基本知识：放大电路，电压放大 电路模型，放大电路的主要性能指标 3

第一章绪 论 ❖信号及其频谱：正弦波信号，周期性方波信 号，任意周期函数，非周期信号频谱，模拟 信号和数字信号 ❖放大电路的基本知识：放大电路，电压放大 电路模型，放大电路的主要性能指标 3

正弦波信号 ?正弦波电压幅值与时间的函数关系是最简单 的信号。当Vm、o和均为已知常数时，信号 中就不再含有任何未知信息。 v(t)=V sin(@t+0) Vmt 2红 u 4

正弦波信号 ❖正弦波电压幅值与时间的函数关系是最简单 的信号。当Vm 、和均为已知常数时，信号 中就不再含有任何未知信息。 4 v(t) =V (t + ) m sin

任意周期函数 ÷任意周期函数只要满足狄利克雷条件都可以展开成傅 里叶级数。方波信号展开为傅里叶级数表达式： )= +2业 sinsin 3osin 1 2 π 3 基波 2π 00= 直流分量 T sin@pt π Vs 2Vs 3元 2Vs 5π 0p4 Wa 3 5wo (6) 5

任意周期函数 ❖ 任意周期函数只要满足狄利克雷条件都可以展开成傅 里叶级数。方波信号展开为傅里叶级数表达式： 5 ( ) t V T t t t V V v t s s s 0 0 0 0 0 sin 2 2 sin5 ... 5 1 sin3 3 1 sin 2 2         =       = + + + + 直流分量 基波

非周期信号频谱 ·运用傅里叶变换可将非周期信号表达为一连续频率函 数形式的频谱，它包含了所有可能的频率(0≤o<∞) 成分。 T/C @c 6

非周期信号频谱 ❖ 运用傅里叶变换可将非周期信号表达为一连续频率函 数形式的频谱，它包含了所有可能的频率(0＜) 成分。 6

模拟信号和数字信号 ?按时间和幅值的连续性和离散性把信号分为4类； ()时间连续、数值连续信号； (2)时间离散、数值连续信号； (3)时间离散、数值离散信号； (4)时间连续、数值离散信号。 子 第()类为模拟信号，(2)、(3)(4)三类信号属于数 字信号。 7

模拟信号和数字信号 ❖ 按时间和幅值的连续性和离散性把信号分为4类； (1)时间连续、数值连续信号； (2)时间离散、数值连续信号； (3)时间离散、数值离散信号； (4)时间连续、数值离散信号。 ❖ 第(1)类为模拟信号，(2)、(3)、(4)三类信号属于数 字信号。 7

第三章半导体二极管及其基本电路 半导体的基本知识：本征半导体，电荷载流 子，多数载流子，少数载流子，自由电子， 空穴，P型半导体，N型半导体，PN结的形 成，耗尽区，扩散运动，漂移运动，势垒区， PN结的单向导电性 半导体二极管：二极管的V|持性，正向特性， 反向特性 二极管基本电路及分析方法：理想模型，恒 压降模型，小信号模型，折线模型 8

第三章半导体二极管及其基本电路 ❖ 半导体的基本知识：本征半导体，电荷载流 子，多数载流子，少数载流子，自由电子， 空穴，P型半导体， N型半导体， PN结的形 成，耗尽区，扩散运动，漂移运动，势垒区， PN结的单向导电性 ❖ 半导体二极管：二极管的V-I特性，正向特性， 反向特性 ❖ 二极管基本电路及分析方法：理想模型，恒 压降模型，小信号模型，折线模型 8

PN结的单向导电性 由于I,很小，所以PN结在反向偏置时，基本是不导电 的。 PN结的正向电阻很小，反向电阻很大，这就是它的 单向导电性。 in/mA 2.0 0.5 1.0 0.5 1.0 VD/V 9

PN结的单向导电性 ❖ 由于Is很小，所以PN结在反向偏置时，基本是不导电 的。 ❖ PN结的正向电阻很小，反向电阻很大，这就是它的 单向导电性。 9

PN结V-I特性的表达式 在硅二极管PN结的两端，施加正、反向电压时，PN 结的特性可表达为 ip Is(erolvr -1) =I3(e'akr-1） 式中n为通过PN结的电流，Vo为PN结两端的外 加电压，V为温度的电压当量=0.026V,k为波耳兹 曼常数(1.38×1023J/),T为热力学温度，q为电子 电荷(1.6×10-19C);e为自然对数的底；L,为反向饱和 电流。 10

PN结V-I特性的表达式 ❖ 在硅二极管PN结的两端，施加正、反向电压时，PN 结的V-I特性可表达为 10 ( ) ( 1) 1 = − = − V q kT S V V D S D D T I e i I e 式中iD为通过PN结的电流，VD为PN结两端的外 加电压，VT为温度的电压当量=0.026V，k为波耳兹 曼常数(1.38×10-23J/K)，T为热力学温度，q为电子 电荷(1.6×10-19C)；e为自然对数的底；Is为反向饱和 电流

二极管的V特性 二极管的V特性和PN结的V特性基本上是相同的。 ip/mA ip/mA 20t 15 10 10 5 5 40 60-40-20 30-20-1000204060.8 Up/V 0.20.40.6 t/V -10外 ② 10叶 204 204 -30叶 -30 -40叶 -40叶 ib/μA in/μA 图2.3.2硅二极管2CP10的V-I特性 图2,3.3锗二极管2AP15的V-I特性 11

二极管的V-I特性 ❖ 二极管的V-I特性和PN结的V-I特性基本上是相同的。 11