清华大学：《电子技术》课程PPT教学课件（电工学）第十章 半导体器件 10.4 场效应管 第十一章 基本放大电路 11.1.4 场效应管共源极放大电路

基本放 场效应管源 路 补充:最效应管共漏放大电路 清华大学电机系电工学教研室唐庆玉编 海南风光

海南风光 第11章 基本放大电路 10.4场效应管 11.1.4 场效应管共源极放大电路 补充：场效应管共漏极放大电路 清华大学电机系电工学教研室 唐庆玉 编

答疑 1.线形电阻的伏安特性曲线 U/ER △U/△I=R R 2.晶体管BE结微变等效电路 IDo=R BEQ BQ △I B 非线性 △UBE/△IB=rbe △UBE Q be 在Q点处近似线 性 BE

答疑 1. 线形电阻的伏安特性曲线 U I R U I U/I=R U/ I=R 2. 晶体管BE结微变等效电路 IB UBE Q UBEQ / IBQ =R 非线性  UBE /  IB =rbe 在Q点处近似线 性  UBE  IB rbe

答疑 如何求r? 3电流源及其特性曲线 I=s+lrl =IstU,/r Is+l2 Is+U/r △I=12-1 (U2-U1)/r =△U/r △U/△I

答疑 3.电流源及其特性曲线 U I I IS S U I U I Ir IS r U I IS I1=IS+Ir1 =IS+U1 /r I2=IS+Ir2 =IS+U2 /r I= I2 -I1 =（ U2 - U1 ）/r = U/r r= U/ I 如何求r？

答疑 4.晶体管CE间的微变等效电路 流控电流源 C △i be △u 在线性放大区,r1很大,可忽赂/ r s Muce CE △i

答疑 4. 晶体管CE间的微变等效电路 iC uCE iC uC E c ce ce i u r   = rbe ib ib rce 流控电流源 在线性放大区，rce很大，可忽略

104场效应晶体管 场效应管与晶体管不同,它是多子 导电,输入阻抗高,温度稳定性好。 场效应管有两种: 耗尽型 结型场效应管JFET N沟道 增强型 绝绿栅型场效应管MOS 耗尽型 P沟道 增强型

§10.4 场效应晶体管 场效应管与晶体管不同，它是多子 导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: N沟道 P沟道 耗尽型 增强型 耗尽型 增强型

MOS绝缘栅场效应管(N沟道) (1)结构 金属铝§ SiO2绝缘层 两个N区 未预留→N沟道增强型 P型基底N导电沟道 预留→N沟道耗尽型

MOS绝缘栅场效应管（N沟道） （1） 结构 P N N S G D P型基底 两个N区 金属铝 SiO2绝缘层 N导电沟道 未预留→ N沟道增强型 预留→ N沟道耗尽型

(2)符号 P 漏极 G 栅极G s源极 N沟道增强型 N沟道耗尽型

P N N S G D N沟道增强型 （2）符号 N沟道耗尽型 G S D 栅极 漏极 源极 G S D

N沟道MQs管的特性曲线 R D mA G DS GS S G D 实验线珞(共源极接法) P

N沟道MOS管的特性曲线 ID mA UDS V UGS 实验线路(共源极接法) G S D RD P N N S G D

NMOS场效应管转移特性 N沟道增强型D (Ues=0时, 0) G UsUs全正 S GS ( th 开启电压 N沟道耗尽型D (Ues=0时 有lb) G Us有正 0 s有负 GS( off) S 夹断电压

NMOS场效应管转移特性 N沟道耗尽型 （UGS=0时， 有ID） G S D 0 UGS（off） ID UGS 夹断电压 UGS有正 有负 N沟道增强型 （UGS=0时， ID =0 ） G S D ID UGS UGS（th） 开启电压 UGS全正

增强型NMOS场效应管 团定一个UDs,画出LD和Us 的关系曲线,称为转移特性 输出特性曲线 曲线 p(mA Ucc=5V GS 3 UGs=4V Ucs=3V Ucc=2V Ucs=lV GS 开启电压UGs()四(v

UGS=3V U DS （V ） ID（mA） 0 1 3 2 4 UGS=4V UGS=5V UGS=2V UGS=1V 开启电压UGS（th）=1V 固定一个U DS，画出ID和UGS 的关系曲线，称为转移特性 曲线 增强型NMOS场效应管 输出特性曲线