《电子技术基础》课程作业习题（模拟部分）第五章 场效应管放大电路（答案）

第五章答案一、问答题1.(1)是N沟道JFET，(2)Vp=4v、Ipss=3mA。2.图（a）为N沟通耗尽型MOSFET、Vp=一3v图(b)为P沟道耗尽型MosFU，Vp=2v图(c)为P沟道增强型MoSFET，Vr=-4v二、选择填空题2. c2. b3.b、b、b三、填空题1.靠近截止区；Av=一gmRL，RL=R//RD; R,=Rg3+ (Rg1//Rg2); Ro=Rd2：图(c)为共射，图(d)为共基，图(e)为共源，图(f)为共漏；电压放大倍数(绝对值)最大的是图(c)和图(d)，其值为150、最小的是(f)，值为0.96：输入电阻最大的是(e)和（f)、值为83.6kQ，最小的是(d)，值为20Q：输出电阻最大的是图(c)、图(d)利图(e)，其佰为3kQ，最小的是（f)，值为192Q。四、求解题1IDo=4mA，VGsQ=—2V，VpsQ=6V，gm=4mS2Av=0-915,R=2.08MQ,Ro=1KQ3(1)Av=一 gm(Ra / / RL), Rj=Rg3 (Rg1 / / Rg2), Rp=Rd(2)cs开路,Rs上有信号损失，故Av减小，Av=一gm(Ra/RL)/1+gmR，R、Ro基本不变

第五章 答案 一、问答题 1．(1)是 N 沟道 JFET，(2)VP＝4v、IDSS＝3mA。 2．图(a)为 N 沟通耗尽型 MOSFET、VP＝—3v 图(b)为 P 沟道耗尽型 MosFU，VP＝2v 图(c)为 P 沟道增强型 MoSFET，VT＝-4v 二、选择填空题 2．c 2．b 3．b、 b、 b 三、填空题 1．靠近截止区； AV＝—gmRL’， RL’=RL//RD；Ri=Rg3+（Rg1//Rg2）；RO=Rd 2．图(c)为共射，图(d)为共基，图(e)为共源，图(f)为共漏；电压放大倍数(绝对值)最大的是 图(c)和图(d)，其值为 150、最小的是(f)，值为 o．96；输入电阻最大的是 (e)和〔f)、值为 83．6kΩ，最小的是(d)，值为 20Ω；输出电阻最大的是图(c)、图(d)利图(e)，其佰为 3kΩ， 最小的是〔f)，值为 192Ω。 四、求解题 1 IDQ=4mA， VGSQ＝一 2V，VDSQ=6V，gm＝4mS 2 AV=0-915，RI=2.08M Ω，RO=1K Ω 3 (1)AV＝一 gm (Rd／／RL)，RI＝R g3 (Rg1／／Rg2)，RD=Rd (2)cS开路,Rs 上有信号损失，故 AV减小，AV＝一 gm (Rd//RL)/1+ gm R，RI 、RO基本不变