北京交通大学：《数字逻辑电路》课程教学资源（PPT课件讲稿）第二章 逻辑门电路

第三章逻辑门电路 内容概述 §2-1典型TTL与非门工作原理 §22其它类型TTL门电路 §2-3ECL集成逻辑门 §2-4I2L集成逻辑门 §25MOs集成逻辑门 §2-6接口问题 小结

第二章 逻辑门电路 §2-1 典型TTL与非门工作原理 §2-2 其它类型TTL门电路 §2-3 ECL集成逻辑门 §2-4 I2L集成逻辑门 §2-5 MOS集成逻辑门 §2-6 接口问题 小结 内容概述

§2-1典型T与非门工作原理 TTL与非门 oTTL与非门工作原理 TTL与非门的工作速度 TTL与非门的外特性及主要参数

§2-1 典型TTL与非门工作原理 TTL与非门 TTL与非门工作原理 TTL与非门的工作速度 TTL与非门的外特性及主要参数

§2-2其它类型TT门电路 集电极开路TTL“与非”门(0c门) 三态逻辑门(TSL)

§2-2 其它类型TTL门电路 三态逻辑门（TSL） 集电极开路TTL“与非”门（OC门）

§2-3EC集成逻辑门 ECL“或/或非”门电路 QECL门的主要优缺点

§2-3 ECL集成逻辑门 ECL“或/或非”门电路 ECL门的主要优缺点

§2-42集成還辑门 |2L基本单元电路 12L门电路 |2L的主要优缺点

§2-4 I2L集成逻辑门 I 2 L基本单元电路 I 2 L门电路 I 2 L的主要优缺点

§2-5M0S集成還辑门 NMOS反相器 ●MMOS门电路 ●CMOS门电路

§2-5 MOS集成逻辑门 NMOS反相器 NMOS门电路 CMOS门电路

§2-6接口问题 QTTL与CMOS接口 CMS与T接口

§2-6 接口问题 TTL与CMOS接口 CMOS 与TTL接口

TTL、ECL 内容概迷 P2L、HTI 集 r双极型集成逻辑′NO 成按器件类型分 CMOS 逻 MOS集成逻辑门 辑 SSI(100以下个等效门) 门技集成度分 MSI(〈103个等效门) LSI(〈10个等效门) VISⅠ(>104个以上等效门) 本章内容 基本逻辑门的基本结构、工作原理以及外部特性

内容概述 集 成 逻 辑 门 双极型集成逻辑门 MOS集成逻辑门 按器件类型分 PMOS NMOS CMOS 按集成度分 SSI（100以下个等效门） MSI（〈103个等效门） LSI （〈104个等效门） VLSI（>104个以上等效门） 本章内容 基本逻辑门的基本结构、工作原理以及外部特性 TTL、ECL I 2L、HTL

中间级是放大级,由T2、R 输入级由多发射极晶体 各 和R3组成,T2的集电极C2和 管T1和基极电组R1组成, 发射极E2可以分提供两个相 它实现了输入变量A、 位相反的电压信号 B、C的与运算 R Rs 3kn (100m) 3.6VA T C 1 F 0.3V 〔 〔vr 36D 输出级 输出级:由T3、T4、T和R4、R3组成 其中T3、T构成复合管,与T组成型电路 拉式输出结构。具有较强的负载能力 「返回

输入级由多发射极晶体 TTL与非门电路 管T1和基极电组R1组成， 它实现了输入变量A、 B、C的与运算 输出级：由T3、T4、T5和R4、R5组成 其中T3、T4构成复合管，与T5组成推 拉式输出结构。具有较强的负载能力 返回 中间级是放大级，由T2、R2 和R3组成，T2的集电极C2和 发射极E2可以分提供两个相 位相反的电压信号

山江与非门工作原理 返回 °输入端至少有一个 接低电平 T管:A端发射结导通, Va V 1V 750 e 00 其它发射结均因反偏 s 而截止 03V 3.6V Vn1=1V,所以T2、T536VB 截止,Vc2≈Vcc=5V, 3.6VC T3微饱和状态。 3600 放大状态。 电路输出高电平为: 输入级中级输出级 be3 be4 图2-2TL“与非”门典型电路 ≈5-0.7-0.7=3.6V

TTL与非门工作原理 • 输入端至少有一个 接低电平 0 .3V 3 .6V 3 .6V 1V 3 .6V T1管:A端发射结导通， Vb1 = VA + Vbe1 = 1V， 其它发射结均因反偏 而截止. VOH = VC2 − Vbe3 − Vbe4  5-0.7-0.7=3.6V Vb1 =1V,所以T2、T5 截止, VC2≈Vcc=5V, T3：微饱和状态。 T4：放大状态。 电路输出高电平为： 5V 返回