《电子技术基础》课程教学资源（模拟电子技术）PPT课件讲稿：MOS数字集成电路

第二节MOs数字集成电路 、MOS管及其开关特性 下面主要以NMOS增强型为例介绍其开关特性 R S C C R S 截止时 导通时 孝

第二节 MOS数字集成电路 一、MOS管及其开关特性 下面主要以NMOS增强型为例介绍其开关特性

CMOS逻辑门 1.CMOS反相器 (1)电路组成 DD VT 孝

二、CMOS逻辑门 1.CMOS反相器 (1)电路组成

1.CMOS反相器 (2)工作原理 输入电压1=0V,Vs=0<K,V截止, sp= Vnn<Vr,VTp导通,输出电压约为 当输入高电平=Mm=VD时,不难得出V导 通,VT截止,输出为低电平0V。 ■综上所述,输出与输入是反相关系,即非逻 辑关系。 孝

1.CMOS反相器 (2)工作原理 ◼ 输入电压uI =VIL =0V,VGSN =0<VTN,VTN截止， ◼ VGSP =-VDD<VTP,VTP导通，输出电压约为u0 =VDD； ◼ 当输入高电平uI=VIH =VDD时，不难得出VTN导 通，VTP截止，输出为低电平0V。 ◼ 综上所述，输出与输入是反相关系，即非逻 辑关系

1.CMOS反相器 (3)传输特性 如图9-13是CM0S反相器传输特性 T截止T在饱和区 10 T可变电阻区 6 T和T均在饱和区 T在饱和区 T在可变电阻区 T,截止 246810 孝

1.CMOS反相器 (3)传输特性 如图9-13是CMOS反相器传输特性

(4)工作速度 ■CMOS反相器由于负载电容和输出电阻的影响, 使输出电压变化滞后于输入电压变化,其平均 传输延迟时间约为10ns 孝

（4）工作速度 ◼ CMOS反相器由于负载电容和输出电阻的影响， 使输出电压变化滞后于输入电压变化，其平均 传输延迟时间约为10ns

2.CMOS与非门 如图9-14为CMOS与非门 VT VT A B 孝

2 .CMOS与非门 ◼ 如图9-14为CMOS与非门

3.CMOS或非门 如图9-15为CMOS或非门电路。 DD VT B VT VT 孝

3.CMOS或非门 ◼ 如图9-15为CMOS或非门电路

4.CMOS传输门 如图9-16a、b所示分别为CMOS传输门电路及其 逻辑符号 孝

4 .CMOS传输门 ◼ 如图9-16a、b所示分别为CMOS传输门电路及其 逻辑符号

5.CMOS三态门 ■如图9-17a是CMOS三态门电路,b是其逻辑符号 A TG 。FA-1 V F dEN 孝

5 .CMOS 三态门 ◼ 如图9-17a是CMOS三态门电路， b是其逻辑符号