《电子技术基础》课程教学资源（模拟电子技术）PPT课件讲稿：场效应管及其放大电路

第六节场效应管及其放大电路 缘栅型场效应管(M0S管)的结构与 工作原理 主要参数及使用时的注意事项 场效管基本放大电路 张 孝

第六节 场效应管及其放大电路 一、缘栅型场效应管（MOS管）的结构与 工作原理 二、主要参数及使用时的注意事项 三、场效管基本放大电路

缘栅型场效应管(M0S管) 的结构与工作原理 N沟道增强型绝缘栅场效应管 N沟道增强型绝缘栅场效应管导电沟道的形成 N沟道增强型绝缘栅场效应管导电沟道的导通 NMOS管的特性曲线 ■N耗尽型绝缘栅场效应管 孝

一、缘栅型场效应管（MOS管） 的结构与工作原理 N沟道增强型绝缘栅场效应管 ◼ N沟道增强型绝缘栅场效应管导电沟道的形成 ◼ N沟道增强型绝缘栅场效应管导电沟道的导通 ◼ N MOS管的特性曲线 ◼ N沟道耗尽型绝缘栅场效应管

N沟道增强型绝缘栅场效应管 S N下∵ P型硅衬底 P型硅衬底 图2-22N沟道增强型绝缘栅场效应管 管子结构b符号 张 孝

N沟道增强型绝缘栅场效应管 S G D P型硅衬底 N＋ N＋ a D G S b 图2-22 N沟道增强型绝缘栅场效应管 a 管子结构 b 符号 D G S S G D P型硅衬底 N＋ N＋ a b

N沟道增强型绝缘栅场效应管 导电沟道的形成 Ec N沟道 耗尽层 P型硅衬底 图2-23N沟道增强型绝缘栅场效应管 张 导电沟道的形成 孝

N沟道增强型绝缘栅场效应管 导电沟道的形成 S G D P型硅衬底 N＋ N＋ N沟道 图2-23 N沟道增强型绝缘栅场效应管 导电沟道的形成 耗尽层 EC

N沟道增强型绝缘栅场效应管 导电沟道的导通 沟道 P型硅衬底 张 孝

N沟道增强型绝缘栅场效应管 导电沟道的导通 S G D P型硅衬底 N＋ N＋ N沟道 EC ED ID

NMOS管的特性曲线 Ip/mA Ip/mA UD=常数 4V 3V 0 无沟道广一有沟道UV 图225NMOS管的特性曲线 张 a转移特性曲线b漏极特性曲线 孝

N MOS管的特性曲线 ID/mA UGS/V 0 UDS=常数 VT 图2-25 N MOS管的特性曲线 a 转移特性曲线 b 漏极特性曲线 无沟道 有沟道 a b UDS/V ID/mA 4V 3V 0 UGS=1V 2V

N沟道耗尽型绝缘栅场效应管 ip/mA Ip/mA 12 JDs=lOV 10 8 8 P Ups/V 张 孝 4

N沟道耗尽型绝缘栅场效应管 S G D ID ＋＋＋＋＋ B P N沟道 N＋ N＋ ED a b UDS/V ID/mA 2 1 3 －1 －2 12 0 2 4 6 8 10 12 2 4 6 8 10 14 UGS=0 ID/mA UGS/V c 0 2 4 6 8 10 1 2 3 4 UDS=10V IDSS －3 －2 －1 VP

二、主要参数及使用时的注意事项 在使用时除了不能超过极限参数处,还要 特别注意管孑栅极开路时可能出现栅极感应 电压过高而造成绝缘层击穿问题。为了避免 这种损坏,在保存时必须将三个电极短接; 在使用时需在栅极加保护电路;在焊接时, 烙铁要有良好接地,最好用电烙铁余热焊接。 MoS管通常漏极与源极互换使用,但有些产 品源极与衬底已连在一起,这时漏极与源极 对调。 孝

二、主要参数及使用时的注意事项 ◼ 在使用时除了不能超过极限参数处，还要 特别注意管子栅极开路时可能出现栅极感应 电压过高而造成绝缘层击穿问题。为了避免 这种损坏，在保存时必须将三个电极短接； 在使用时需在栅极加保护电路；在焊接时， 烙铁要有良好接地，最好用电烙铁余热焊接。 ◼ MOS管通常漏极与源极互换使用，但有些产 品源极与衬底已连在一起，这时漏极与源极 不能对调

场效管基本放大电路 1.共源放大器 2.场效应管微变等效电路 张 孝

三、场效管基本放大电路 ◼ 1．共源放大器 ◼ 2．场效应管微变等效电路

自偏压电路 D VT RG 图2-28自偏压电路 张 孝

自偏压电路 D G S ＋ － 图2-28 自偏压电路 C1 ＋ RD RG ID UGS ＋VDD C2 VT RS CS