中国矿业大学：《模拟电路》课程电子教案（PPT课件，第五版）第六章 模拟集成电路

6模拟集成电路 6.1模拟集成电路中的直流偏置技术 62差分式放大电路 63差分式放大电路的传输特性 64集成电路运算放大器 65实际集成运算放大器的主要参数和对应 用电路的影响 HO配E

6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 6.3 差分式放大电路的传输特性 6.4 集成电路运算放大器 6.5 实际集成运算放大器的主要参数和对应 用电路的影响 6.2 差分式放大电路

61模拟集成电路中的 直流偏置技术 611BJT电流源电路 1.镜像电流源 3.高输出阻抗电流源 2微电流源 4.组合电流源 612FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 2 MOSFET多路电流源 3.JFET电流源 HO配E

6.1 模拟集成电路中的 直流偏置技术 6.1.1 BJT电流源电路 6.1.2 FET电流源 1. 镜像电流源 2. 微电流源 3. 高输出阻抗电流源 4. 组合电流源 1. MOSFET镜像电流源 2. MOSFET多路电流源 3. JFET电流源

611BJT电流源电路 1.镜像电流源 R T1、T2的参数全同 2/B 即B1=B2,IcEo=l dc1=12=1。=EF CEO2 BE2 BEl C2 Cl EE 当BJT的较大时,基极电流可以忽略 CC BE EE Vec+y CC EE 0 C2 REF R R 代表符号 HO配E

6.1.1 BJT电流源电路 1. 镜像电流源 VBE2 =VBE1 E2 = E1 I I C2 = C1 I I T1、T2的参数全同 即β1＝β2，ICEO1＝ICEO2 当BJT的β较大时，基极电流IB可以忽略 Io ＝IC2≈IREF＝ R V V R VCC VB E VEE CC EE ( ) +  − − − 代表符号

611BJT电流源电路c 1.镜像电流源 EF 动态电阻 b C2 6U, CE2 击穿 般r在几百干欧以上 斜率 可用范围 HO配E

6.1.1 BJT电流源电路 1. 镜像电流源 动态电阻 B2 1 CE2 C2 o ( ) I v i r −   = 一般ro在几百千欧以上 ce = r

611BJT电流源电路 2微电流源 REF 2 BEl BE2 C2 E2 R T T BE2 △ BE 由于△Vn很小, R 所以工2也很小。 ce2 1+ 2 十 R (参考射极偏置共射放大电鹛的輸出电阻R HO配E

6.1.1 BJT电流源电路 2. 微电流源 e2 BE1 BE2 R V −V I O = I C2  I E2 = e2 BE R V = 由于 VBE 很小， 所以IC2也很小。 ro ≈rce2（1＋ ） be2 e2 e2 r R R +  （参考射极偏置共射放大电路的输出电阻 R ） o 

611BJT电流源电路 CC 3.高输出阻抗电流源 REF tv "CC“BB3BE2EE REF R ≥1c TI 2 REF A1和4分别是T1和T的相对结面积 动态输出电阻r远比微电流源的动态输出电阻为高 HO配E

A1和A3分别是T1和T3的相对结面积 动态输出电阻ro远比微电流源的动态输出电阻为高 6.1.1 BJT电流源电路 3. 高输出阻抗电流源 R V V V V I CC B E3 BE2 EE REF − − + = REF 1 3 o C2 I A A I  I = 

611BJT电流源电路 +Vcc 4.组合电流源 T、R1和T支路产生基准电流 T 长K REF T和T2、T和T构成镜像电流源 R T和T3,T和T构成了微电流源 Vcc+VEe BEl EB4 12 T REF R I R EE HO配E

6.1.1 BJT电流源电路 4. 组合电流源 T1、R1 和T4支路产生基准电流 IREF 1 CC EE BE1 EB4 REF R V V V V I + − − = T1和T2、T4和T5构成镜像电流源 T1和T3，T4和T6构成了微电流源

612FET电流源 1 MOSFET镜像电流源 V+V。一V R REF Io =lD=ref S i R DD GS d22=l R NMOS 当器件具有不同的宽长比时 T1 8 T2 VDS2 W2/L2 O W,/LI TREF (=0) ds 2 MOSFET基本镜像电路流 HO配E

6.1.2 FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 当器件具有不同的宽长比时 R V V V I I I DD SS G S O D2 REF + − = = = REF 1 1 2 2 O / / I W L W L I =  （=0） ro= rds2 MOSFET基本镜像电路流

612FET电流源 D 1 MOSFET镜像电流源a 用T代替R,TT特性相同 T D2=10 且工作在放大区,当A=0时,输出 电流为 Im2=(W/L)2kn2(s2-V12)2 n2GS2 Vn2)2 常用的镜像电流源 HO配E

6.1.2 FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 2 n2 GS2 T2 2 D2 2 n2 GS2 T2 ( ) ( / ) ( ) K V V I W L K V V = − =  − 用T3代替R，T1 ~T3特性相同， 且工作在放大区，当=0时，输出 电流为 常用的镜像电流源

612FET电流源 2. MOSFET多路电流源 +VDp REF K n0 gS W/L NMOS To W/L.REF GSO W/L NMOS TL T T T4 REF VGsL VGs GS4 W/L REF HO配E

6.1.2 FET电流源 2. MOSFET多路电流源 REF 1 1 2 2 D2 / / I W L W L I = REF 1 1 3 3 D3 / / I W L W L I = REF 1 1 4 4 D4 / / I W L W L I = 2 n0 GS0 T0 REF D0 K (V V ) I I = − =