电子科技大学：《现代印制电路原理和工艺》课程教学资源（PPT课件讲稿）第14章 特种印制板技术

www.themegallery.comLOgo 第十四章特种印制板技术 高频微游标 2 金属基印制板 3 厚铜箔埋/盲孔多层板

www.themegallery.com LOGO 第十四章 特种印制板技术 高频微波印制板 1 金属基印制板 2 厚铜箔埋/盲孔多层板 3

www.themegallery.comLOgo 特种印制板技术包括. 高频微浪印制板 金属基印制板 厚铜箔埋孔多层印制板

www.themegallery.com LOGO 特种印制板技术包括: 高频微波印制板 金属基印制板 厚铜箔埋孔多层印制板

www.themegallery.comLOgo §14.1高频微波印制板 1.1概述 美国杜邦( Dupont公司1956年发明了特氟隆 〔 Teflon)材( Polytetrafluoroethylene简称 PTFE)开创了微浪印制板大规模应用的新时 代

www.themegallery.com LOGO §14.1 高频微波印制板 1.1 概述 美国杜邦(Dupont)公司1956年发明了特氟隆 (Teflon)材(Polytetrafluoroethylene,简称 PTFE),开创了微波印制板大规模应用的新时 代

www.themegallery.comLOgo 微浪多层板可将电源层、接地层、信号层、无源 电路(如滤波器、耦合器等)做在一块电路板上, 使电路更加小型化、集成化。 微浪多层板的结构包括: 内层和外层电路 电源层 接地层 层与层间互连的通孔(PTH)

www.themegallery.com LOGO 微波多层板可将电源层、接地层、信号层、无源 电路(如滤波器、耦合器等)做在一块电路板上， 使电路更加小型化、集成化。 微波多层板的结构包括: 内层和外层电路 电源层 接地层 层与层间互连的通孔(PTH)

www.themegallery.comLOgo 育孔 通孔 电路层1 ∴.… 电路层2 电源层3 接地层4 ∴;.…、∵ 电路层5 电路层6 埋孔 介质层 图14-1六层微浪多层板的结构示意图

www.themegallery.com LOGO 图14-1 六层微波多层板的结构示意图

www.themegallery.comLOgo 1.2微波多层板基材性能 1介电常数及公差 高频电路需要高的信号传输速度v(m/s)与 材料的介电常数Er是有着密切关系:

www.themegallery.com LOGO 1.介电常数及公差 高频电路需要高的信号传输速度v (m/s)与 材料的介电常数εr是有着密切关系: εr c v = k  1.2 微波多层板基材性能

www.themegallery.comLOgo 信号的传输延迟时间tpd与介电常数Er还 有如下关系: pd S 介电常数越高,信号的延迟时间越长。因此要 实现快速的信号传输,必须选择介电常数低的基 材

www.themegallery.com LOGO 信号的传输延迟时间tpd与介电常数εr还 有如下关系： 介电常数越高，信号的延迟时间越长。因此要 实现快速的信号传输，必须选择介电常数低的基 材。 c l t ε p pd r = 

www.themegallery.comLOgo 2.介质损耗角正切值tan6 材料的介电常数是一个带有实部和虚部的复数, 实部决定着传输电信号的速率,通常叫tan6又 称耗散因子 a=kf tan&

www.themegallery.com LOGO 2. 介质损耗角正切值tanδ 材料的介电常数是一个带有实部和虚部的复数， 实部决定着传输电信号的速率，通常叫tanδ又 称耗散因子. α = k f  tanδ

www.themegallery.comLOgo 3.吸湿率 材料的吸湿率也会影响电路的性能 高的吸湿率产生更大的耗散因子和相位随频率 的更大移动。 低的吸湿率则可提高电子封装产品的可靠性。 吸湿率还会影响微波电路板的可加工性

www.themegallery.com LOGO 3. 吸湿率 材料的吸湿率也会影响电路的性能 高的吸湿率产生更大的耗散因子和相位随频 率 的更大移动。 低的吸湿率则可提高电子封装产品的可靠性。 吸湿率还会影响微波电路板的可加工性

www.themegallery.comLOgo 4.热胀系数CTE PCB所用的绝缘基材都有玻璃转化温度(Tg) 玻璃转化温度Tg越高,其热胀系数CTE越小。 旦工作温度超过材料的Tg,CTE将发生突变

www.themegallery.com LOGO 4. 热胀系数CTE PCB所用的绝缘基材都有玻璃转化温度（Tg） 玻璃转化温度Tg越高，其热胀系数CTE越小。 一旦工作温度超过材料的Tg，CTE将发生突变