《电子线路基础》课程教学资源（PPT课件）晶体管及其小信号放大（1/7）

晶体管及其小信号放大

1 晶体管及其小信号放大 (1)

々晶体管是电子线路的核心单元: 分立电路/集成电路 模拟电路/数字电路 々双极型/单极型 々小信号放大/大信号放大/开关

2 晶体管是电子线路的核心单元： 分立电路／集成电路 模拟电路／数字电路 双极型／单极型 小信号放大／大信号放大／开关

§I邓极型晶体管(BJT) §11基本结构 C9集电极 NPN型 C|PNP型 集电结 集电区 B BB 基区 基极 P E 发射结 E发射区 发射极

3 §1 双极型晶体管（BJT） § 1.1 基本结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P B C E PNP型 发射结 集电结 Ｂ 集电区 基区 发射区

制造工艺上的特点 集电区 C 面积较大 基区:较 薄,掺杂 B P 浓度低 发射区:掺 杂浓度较高

4 B E C N N P 基区：较 薄，掺杂 浓度低 集电区： 面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 制造工艺上的特点

NPN型 PNP型 e e P N P 电路 b+两种类型的三极管/C 将号 e e 5

5 电路 符号 两种类型的三极管

§12BJT的电流分配与放大原理 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下,通过 载流子传输体现出来的。 (1)工作在放大状态的外部条件 发身结正偏,集电结反偏。 (2)发射区向基区注入载流子; 基区传输和控制载流子; 集电区收集载流子

6 § 1.2 BJT的电流分配与放大原理 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过 载流子传输体现出来的。 （1）工作在放大状态的外部条件： 发射结正偏，集电结反偏。 （２）发射区向基区注入载流子； 基区传输和控制载流子； 集电区收集载流子．

5度1内部敢流子的传输过程 (以NPN为例) EN CN BN B BB CC IcBo反向饱和电流

7 １内部载流子的传输过程 （以NPN为例） ICBO 反向饱和电流

2电流分配关系式 (1)l=IE+lP且有IN>EP EN→CN1BN 且有I EN⊥ BN BN (2)l=l+l CBO 。c (3) IR=IEp+ IRN-I RB Rc E P B N CBO (4) E一1 EPTIEN1 EPTICN+BN =(oN+ICBO+(BN+EPIo CBO (5)L=C+l 8

8 （1）IE= IEN+ IEP 且有IEN>>IEP IEN=ICN+ IBN 且有IEN>> IBN ，ICN>>IBN （2）IC=ICN+ ICBO （3）IB=IEP+ IBN－ICBO （4）IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN =(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ICBO) （5）IE =IC+IB 2 电流分配关系式

C B B EE E E NPN型三极管 PNP型三极管

9 B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管

3三极管的电流放大系数 IE iEFIE+AIE ic=Ic+Alc iB=IB+△IB △U1 B B BB U CC 直流放大系数/交流放大系数 不同端口间的放大系数

10 3 三极管的电流放大系数 直流放大系数/ 交流放大系数 不同端口间的放大系数 iE=IE+ΔIE iC=IC+ Δ IC iB=IB+ Δ IB