电子技术（模拟、数字电子技术）_第16章 基本放大电路（5/5）

第十六章 大电路

(1-1) 第十六章 基本放大电路 (5)

16.11场效应管及其放大电路 三极酋是电流控制元件,多数袁流孑和少数敢流 子都參与运行,所以被称为双极型器件。 场效应管是电压控制元件,多子悬电,输入阻抗高, 温度稳定性好。 沟道 绝缘栅场效应〔增强型1P沟道 场效应管 耗尽型N沟道 P沟道 结型场效应管「N沟道 P沟道

(1-2) 场效应管是电压控制元件,多子导电，输入阻抗高， 温度稳定性好。 16.11 场效应管及其放大电路 三极管是电流控制元件，多数载流子和少数载流 子都参与运行，所以被称为双极型器件。 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 场效应管 绝缘栅场效应管 结型场效应管

16.1l1绝缘栅场效应管 一、结构和电路符号 S G D 金属铝 两个N区 N P型基底|sO2绝缘层 导电沟道 N沟道增强型

(1-3) 16.11.1 绝缘栅场效应管 一、结构和电路符号 P N N S G D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 导电沟道 金属铝 G S D N沟道增强型

在栅极下方的Si0层中掺入了大量的金属正离子。所以 当ls-0时,这些正离子已经感应出了沟道 S G D G N沟道耗尽型 预埋了导 电沟道

(1-4) P N 沟道耗尽型 N N S G D 预埋了导 电沟道 G S D 在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以 当uGS=0时，这些正离子已经感应出了沟道

P P N P沟道增强型

(1-5) N P P S G D G S D P 沟道增强型

S G D P G 预埋了导 电沟道 P沟道耗尽型

(1-6) P 沟道耗尽型 N P P S G D G S D 预埋了导 电沟道

二、M管的工作原理 以N沟道增强型为例 U=0时 DS n=0 D G D 对应截止区 N P DS间相当于 两个反接的 PN结

(1-7) 二、MOS管的工作原理 以N 沟道增强型为例 P N N S G D UGS UDS UGS=0时 D-S 间相当于 两个反接的 PN结 ID=0 对应截止区

Ucs足够大时 (Us>r)将P 区少子电子聚集 GS 0时 到P区表面,形 成导电沟道,如 DS 果此时加有漏源 电压,就可以形 G丫D 成漏极电流i。 N 感应出电子」p V称为阙值电压

(1-8) P N N S G D UGS UDS UGS>0时 UGS足够大时 （UGS>VT）将P 区少子电子聚集 到P区表面，形 成导电沟道，如 果此时加有漏源 电压，就可以形 成漏极电流id。 感应出电子 VT称为阈值电压

Ucs较小时,导 电沟道相当于电 DS 阻将DS连接起 来,Ucs越大此 sGD|电阻越小 N N P

(1-9) UGS较小时，导 电沟道相当于电 阻将D-S连接起 来，UGS越大此 电阻越小。 P N N S G D UGS UDS

三、增强烈A沟道MS管的特性曲线 输出特性曲线 转移特性曲线 in=f(us)m=常数 D(mA) D(mA) 4 l uGS=6V 3 s=5V GS=4V aGS=3V S (V) 10V 246

(1-10) i D (mA) uGS=6V uGS=5V uGS=4V uGS=3V u D S (V) D i (mA) 10V 1 2 3 4 1 4 3 2 (V) u G S 2 4 6 UT iD=f(uGS)uDS=常数 三、增强型N沟道MOS管的特性曲线 输出特性曲线 转移特性曲线