北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）课堂讨论1

数字集成电路原理 课堂讨论1 ●●●● 2

数字集成电路原理 课堂讨论 1

●●● ●●●● 讨论题 ●●●●● ●●●● ●●●● ●●0 ·双极工艺和MOS工艺中的OCO隔离有什么嗟别; 为什么场区要注硼。 为什么早期的铝栅 MOSFET不是自对准结构,能 否用铝栅实现自对准结构。 MOSFET的硅栅和双极晶体管的多晶硅发射极有 什么差别。 先进的CMOS工艺为什么采用 n+硅栅NMOS和p+硅栅PMOS: 若NMOS用P+硅栅,PMOS用 n+硅栅是否可以

讨论题 z 双极工艺和MOS工艺中的LOCOS隔离有什么差别； 为什么场区要注硼。 z 为什 早期的铝栅 么 MOSFET不是自对准结构，能 否用铝栅实现自对准结构。 z MOSFET的硅栅和双极晶体管的多晶硅发射极有 什么差别。 z 先进的CMOS工艺为什么采用 n+硅栅NMOS和p+硅栅PMOS， 若NMOS用p+硅栅，PMOS用 n+硅栅是否可以

●●● ●●●● ●●●●● 讨论题 ●●●● ●●●● 比较SBC、CDⅠ和3D双极结构的优缺点。 ·双极工艺中的埋层能否在外延后用离子注 入实现 ·双极晶体管版图采用单基极和双基极各有 什么优缺点,单基极结构中E、B、C电极 如何排列

讨论题 z 比较SBC、CDI和3D双极结构的优缺点。 z 双极工艺中的埋层能否在外延后用离子注 入实现。 z 双极晶体管 图采用单基极和 基极各有 版图采用单基极和双基极各有 什么优缺点，单基极结构中E、B、C电极 如何排列

●●● ●●●● 根据图中标出的图例写出各种图形制作的顺序,画出8 沿3个箭头位置切开的剖面图。制作这个电路应选用 什么类型、什么晶向的衬底材料,为什么。 铝 多晶硅 匚有源区 P阱 □引线孔 了P注入框 n

z 根据图中 作 标出的图例写出各种图形制作的顺序，画出 沿3个箭头位置切开的剖面图。制作这个电路应选用 什 类型 么 、什 晶向的衬底材料 么晶向的衬底材料，为什么。 铝 多晶硅 有源区 阱 引线孔 P P+注入框