上海交通大学：《微型计算机原理与接口技术》第六章 存储器

第六章存储器

第六章 存储器

上浙文通大孝 本章内容 存储器概述 ■随机存取存储器 ■只读存储器 CPU与存储器的连接 存储器空间的分配和使用 上海立通大学针算机科学与王程系

本章内容 ◼ 存储器概述 ◼ 随机存取存储器 ◼ 只读存储器 ◼ CPU与存储器的连接 ◼ 存储器空间的分配和使用

上浙文通大孝 存储器概述 计算机中用来存储程序和数据的部件 表征计算机的记忆能力 存储器用途可分为 内存储器 n外存储器 上海立通大学针算机科学与王程系

存储器概述 ◼ 计算机中用来存储程序和数据的部件 ◼ 表征计算机的记忆能力 ◼ 存储器用途可分为 ◼ 内存储器 ◼ 外存储器

上浙文通大孝 存储器概述 RAM SRAM DRAM ■ROM MROM PROM EPROM EEPROM 上海立通大学针算机科学与王程系

存储器概述 ◼ RAM ◼ SRAM ◼ DRAM ◼ ROM ◼ MROM ◼ PROM ◼ EPROM ◼ EEPROM

上浙通大孝 存储器概述 存储器的引脚特征 n地址线 输出 数据线 地址线A O2或 :|输入/ 输出线 片选 输出允许 读/写控制 WE rite CS OE Select Read 上海立通大学针算机科学与王程系

存储器概述 ◼ 存储器的引脚特征 ◼ 地址线 ◼ 数据线 ◼ 片选 ◼ 输出允许 ◼ 读/写控制

上浙文通大孝 随机存取存储器RAM ■在正常环境下可根据需要进行数据的读 出和写入 易失性存储器,需要DC的支持 SRAMDRAM 上海立通大学针算机科学与王程系

随机存取存储器RAM ◼ 在正常环境下可根据需要进行数据的读 出和写入 ◼ 易失性存储器，需要DC的支持 ◼ SRAM/DRAM

上浙通大孝 SRAM 内部结构 A x地址译码线 2 地址反相 32X32=1024 H 存储单元 J T6 1.32 Uo电路 Y译码器 入控侧 3132 T7 T 地址反相器 (O)接Y地址译码器(o) 读/写CS 上海立通大学针算机科学与王程系

SRAM ◼ 内部结构

上浙文通大孝 SRAM 例:SRAM2114(1K×4位 ■1K个存储单元,每单元4位 需要10条地址线,4条数据线 直接与地址、数据线相连 上海立通大学针算机科学与王程系

SRAM ◼ 例：SRAM2114（1K×4位） ◼ 1K个存储单元，每单元4位 ◼ 需要10条地址线，4条数据线 ◼ 直接与地址、数据线相连

上浙文通大孝 DRAM 内部结构— Intel2164(64K×1) 128×1281/128128×128 存储矩阵行译码器存储矩阵 AAAAAAAA 8位 28读出放大器 28读出放大器 3-地址 1/2(1/128 1/2(1/128 1/4 列译码器 输出一Dour 锁存器 列译码器) 1/O上缓冲器 门 28读出放大器 28读出放大器 128×1281/128128×128 存储矩阵行译码器存储矩阵 Q RAs-行时钟 列时钟 愕允许 数据输 缓冲器」缓冲器钟缓冲器人缓冲器 CAS 列选择信号 WE 教据输入榆出 上海立通大学针算机科学与王程系

DRAM ◼ 内部结构——Intel2164(64K×1)

上浙文通大孝 DRAM Inte2164(64K×1位) 行、列地址复用,只有一半的地址引脚 利用RAS、CAS进行控制 需要刷新(典型为2m4ms) ■可通过双路复用器电路(74LS157)与地址 线相连 上海立通大学针算机科学与王程系

DRAM ◼ Intel2164(64K×1位) ◼ 行、列地址复用，只有一半的地址引脚 ◼ 利用RAS、CAS进行控制 ◼ 需要刷新（典型为2ms~4ms） ◼ 可通过双路复用器电路（74LS157）与地址 线相连