西南交通大学：《模拟电路》第三章 半导体三极管及放大电路基础

第三章半导体三极管及放大电路基础

第三章 半导体三极管及放大电路基础

3.1半导体三极管 ■半导体三极管的结构 三极管是通过一定制造工艺,把两个PN结结合在 起的器件。 大 高频 频率{低知功率{中 小 材料{ NPN 结构{PNP 功用∫放大 开关 多发射极

3.1 半导体三极管 n 半导体三极管的结构 三极管是通过一定制造工艺，把两个PN结结合在一 起的器件。 功用 放大 开关 功率 大 中 小 材料 硅 锗 频率 高频 低频 结构 NPN PNP 多发射极

工艺特点: 三极管结构和符号: 发射区掺杂浓度高 基区很薄且掺杂浓度低 集电极 集电结面积大 e 二氧化硅保护膜 N 集电区集电结 甚极 基区 N型硅 厚度 基N N型硅 lμm左右 发射区 发射结P型硅 e 发射极↓ c e (6) NPN三极管国D即

三极管结构和符号： 工艺特点： 发射区掺杂浓度高 基区很薄且掺杂浓度低 集电结面积大

c 集电极 集电区 集电结 基区厚度7m 基极FN 情片厚 基区 N型锰 50μmb 发射结 发射区 e e/射撮 e PNP型三极管

e e

3.1.2三极管的电流分配与放大作用 极管具有放大作用的条件:发射结加正向电压, 集电结加反向电压

3.1.2 三极管的电流分配与放大作用 三极管具有放大作用的条件:发射结加正向电压, 集电结加反向电压

1载流子的运动[下5 在发射结正偏,集电结反偏条 R 件下,三极管中载流子的运动: (1)发射区向基区注入电子pil R B (2)电子在基区中的扩散与 ●● 复合 (3)集电区收集电子 EEP BE JEN cIlE

在发射结正偏，集电结反偏条 件下，三极管中载流子的运动： (1) 发射区向基区注入电子 (2) 电子在基区中的扩散与 复合 (3) 集电区收集电子 1.载流子的运动

极管三个电极上的电流分别为: IE=IEN+ⅠEP=l+w+Dey Ic=lcN+lcBo R ⅠB=ⅠBN+lEP-lBOP RD e-lc+IB ●●● JEP

三极管三个电极上的电流分别为： B BN EP CBO C CN CBO E EN EP CN BN EP I I I I I I I I I I I I I           IE = IC + IB

2电流关系 三极管一旦制好,集电结收集发射结来的电子 比例即确定下来。 c = E N Re Q称为共基极电流放大倍数, 一般为0.98~0.999 R b 由IE=lC+IB可得: 节 ●●● Ic=a(c+IB) EP Ic B B

2.电流关系 称为共基极电流放大倍数， 一般为 0.98~0.999。 三极管一旦制好，集电结收集发射结来的电子 比例即确定下来。 C E I  I C ( C B) E C B I I I I I I      由 可得: IC IB     1 B  I

共发射极电流放大倍数 三极管各级电流关系: c=BIB IE=(1+B)IB IE=C+B

     1 共发射极电流放大倍数   E C B E B C B I I I I I I I        1 三极管各级电流关系：

3放大作用 放大的条件: B 发射极正偏、 Rc NPN 集电结反偏。 rb Vo Vcc 电压增益: BB △V △

N P N R c Rb Vc c VB B +_Vo IB ICIE +Vi - 电压增益: iO V VV A   放大的条件: 发射极正偏、 集电结反偏。 3.放大作用