《电力电子学》（双语版） 习题四

1·使晶闸管导通的条件是什么? 2.维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 3.图1中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为Im,试计算各 波形的电流平均值Id1、Id2、ld3与电流有效值Il、I2、I3 NA 4 *4 图 4·上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶闸管能送出的平均电流Id1、Id2、ld3各为多少? 这时,相应的电流最大值Im1、Im2、Im3各为多少? 5.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能? 6.如何防止电力 MOSFET因静电感应引起的损坏? 7.IGBT、GTR、GIO和电力 MOSFET的驱动电路各有什么特点? 8.全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么?试分析RCD缓冲电路中各元件的作用。 9.试说明IGBT、GTR、GTO和电力 MOSFET各自的优缺点

1﹒使晶闸管导通的条件是什么？ 2﹒维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 3﹒图 1 中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为 Im，试计算各 波形的电流平均值 Id1﹑Id2﹑Id3 与电流有效值 I1﹑I2﹑I3. 图 1 4﹒上题中如果不考虑安全裕量，问 100A 的晶闸管能送出的平均电流 Id1﹑Id2﹑Id3 各为多少？ 这时，相应的电流最大值 Im1﹑Im2﹑Im3 各为多少？ 5﹒GTO 和普通晶闸管同为 PNPN 结构，为什么 GTO 能够自关断，而普通晶闸管不能？ 6﹒如何防止电力 MOSFET 因静电感应引起的损坏？ 7﹒IGBT﹑GTR﹑GTO 和电力 MOSFET 的驱动电路各有什么特点？ 8﹒全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？试分析 RCD 缓冲电路中各元件的作用。 9﹒试说明 IGBT﹑GTR﹑GTO 和电力 MOSFET 各自的优缺点