《模拟电子技术》课程教学资源（PPT课件讲稿）第一章 半导体二极管 小结

拟电子彼求 第章 小结

小 结 第 1 章

拟电子彼求 第1章小结 、两种半导体和两种载流子 两种载流「电子一自由电子两种(N型(多电子 子的运动空穴一价电子 半导体{P型(多空穴) 二、二极管 1.特性一单向导电 正向电阻小(理想为0),反向电阻大(∞) (BR) >O. T D ip=ls(e-1) L D L1、<0,I 0 2.主要参数 正向一最大平均电流l 反向一「最大反向工作电压Ca过则击穿) 反向饱和电流(I)(受温度影响)

一、两种半导体和两种载流子 两种载流 子的运动 电子 — 自由电子 空穴 — 价电子 两 种 半导体 N 型 (多电子) P 型 (多空穴) 二、二极管 1. 特性 — 单向导电 正向电阻小(理想为0)，反向电阻大()。 (e 1) D D = S − UT u i I 0, (e 1) D D  D = S − UT u u i I uD  0, I = −IS  0 iD O uD U (BR) I F URM 2. 主要参数 正向 — 最大平均电流IF 反向 — 最大反向工作电压U(BR)(超过则击穿) 反向饱和电流IR (IS)(受温度影响) 第 1 章 小 结 IS

拟电子彼求 第1章小结 3.二极管的等效模型 理想模型(大信号状态采用) 正偏导通电压降为零相当于理想开关闭合 D 反偏截止电流为零相当于理想开关断开 D(on) 恒压降模型 正偏电压≥UDom0时导通等效为恒压源 UD(on) 否则截止,相当于二极管支路断开 硅管:UDm0=(0.6~0.8)V估算时取0.7V 锗管: 0.1~03)V 0.2V 折线近似模型 相当于有内阻的恒压源UD(m0

3. 二极管的等效模型 理想模型 (大信号状态采用) uD iD 正偏导通 电压降为零 相当于理想开关闭合 反偏截止 电流为零 相当于理想开关断开 恒压降模型 UD(on) 正偏电压  UD(on) 时导通 等效为恒压源UD(on) 否则截止，相当于二极管支路断开 硅管：UD(on) = (0.6  0.8) V 估算时取 0.7 V 锗管： (0.1  0.3) V 0.2 V 折线近似模型 相当于有内阻的恒压源 UD(on) 第 1 章 小 结

拟电子彼求 第1章小结 4.二极管的分析方法 图解法 微变等效电路法 5.特殊二极管 工作条件主要用途 稳压二极管 反偏 稳压 发光二极管正偏 发光 光敏二极管 反偏光电转换

4. 二极管的分析方法 图解法 微变等效电路法 5. 特殊二极管 工作条件 主要用途 稳压二极管 反 偏 稳 压 发光二极管 正 偏 发 光 光敏二极管 反 偏 光电转换 第 1 章 小 结